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功率半导体封装方法和结构[发明专利]

专利名称：功率半导体封装方法和结构

专利类型：发明专利

发明人：R·A·费利昂,R·A·博普雷,A·埃拉塞尔,R·J·沃纳洛夫斯基,C·S·科尔曼

申请号：CN200610115024.7

申请日：20060817

公开号：CN1917158A

公开日：

20070221

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种半导体芯片封装结构，包括电介质膜(10)，该电介质膜(10)具有与至少一个功率半导体芯片(21)的一个或多个接触垫(22)和(23)对准的一个或多个通孔(11)。邻近电介质膜(10)的图案化的导电层(40)具有一个或多个导电柱(41)，其延伸通过与接触垫(22)和(23)对准的该一个或多个通孔(11)，以将导电层(40)电耦接至接触垫(22)和(23)。在特定实施例中，可在电介质膜(10)和该至少一个功率半导体芯片(21)的有源表面(24)之间形成一个或多个空气隙(91)。还公开了用于制备该半导体芯片封装结构的方法。

申请人：通用电气公司

地址：美国纽约州

国籍：US

代理机构：中国专利代理(香港)有限公司

本文发布于:2024-09-20 15:29:42，感谢您对本站的认可！

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