发明人:丁錾
申请号:CN202010408093.7申请日:20200514
公开号:CN111584515A
公开日:
20200825
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本申请提供一种阵列基板及其制备方法,该阵列基板包括依次设置的基底、遮光结构层、缓冲层、有源层、介电绝缘层和源漏极金属层。遮光结构层设置在基底上。遮光结构层包括依次设置的第一遮光层和第二遮光层。第一遮光层的材料为第一金属氧化物。第二遮光层的材料为第一铜合金。其中,第一金属氧化物至少包括氧化铝。第一铜合金至少包括铜和铝。本申请解决了遮光层在基底上的附着力较差的技术问题。 申请人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
地址:518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号
国籍:CN
代理机构:深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人:唐秀萍