模块性质：非隔离降压恒流、恒压模块（CC CV） 充电模块
适用范围：大功率LED恒流驱动,锂电池充电(包括铁电),4V、6V、12V、14V、24V电瓶充电、镍镉镍氢电池（电池组）充电,太阳能电池板,风力发电机 （2）固定输出（1.25-30V之间任意选择）,购买时请告诉掌柜。（暂时只针对批量客户，样品全部发可调型）
输出电流：额定2A，最大4A (超过15W 请安装散热片
) 恒流范围：0-3A（可调节）
转灯电流：恒流值*（1%—100%），转灯电流与恒流值联动，比如恒流值为3A，转灯电流设置为恒流的0.1倍(0.1*3A=0.3A)，当把恒流值调节成2A时候，此时转灯电流为恒流的0.1倍(0.1*2A=0.2A).
默认出货时已经调节到 0.1倍
最低压差：2V
输出功率：自然冷却15W转换效率：92%（最高92%（输出电压越高，效率越高）
输出纹波: 20M带宽 （仅供参考）
输入12V 输出5V 3A 60mV(MAX)
工作温度：工业级（-40℃到 +85℃）（环境温度超过40度，请降低功率使用，或加强散热）
满载温升：45℃
空载电流：典型10mA(12V转4.2V)
负载调整率：±1%
电压调整率：±0.5%
动态响应速度：5% 200uS
电位器调节方向：顺时针（增加），逆时针（减少）
指示灯：恒流指示灯红，充电中指示灯红，充电完毕指示灯蓝
输出短路保护：有，恒流（当前设置恒流值）
输入反接保护：无，请在输入串联二极管。
接线方式：焊接，加引脚后可直接焊接在PCB上
电池充电 使用方法：
1.确定您需要充电电池的 浮充电压和充电电流，模块的输入电压；
2.调节恒压电位器使输出电压达到浮充电压；
3.用万用表10A电流挡测量输出短路电流，同时调节恒流电位器使输出电流达到预定的充电电流值；
4.充电转灯电流默认出货为 0.1倍充电电流（恒流值），如需调整请调节转灯电流电位器；
5.接上电池，试充。
（1、2、3、4步骤为模块输入接电源，输出空载不接电池。）
LED恒流驱动 使用方法：
1.确定您需要驱动LED的工作电流和最高工作电压；
2.调节恒压电位器使输出电压达到LED最高工作电压；
3.用万用表10A电流挡测量输出短路电流，同时调节恒流电位器使输出电流达到预定的LED工作电流；
4接上LED，试机。
为了方便大家学习，进一步了解锐骏MOS管的应用，我们为大家提供了10种驱动电路供大家选择参考。
1. PWM芯片直接驱动MOSFET
2. 开通和关断速度分开控制的MOSFET驱动电路
3. 带图腾柱扩流的MOSFET驱动电路
4. 使用TL494,SG3524内部的输出电路采用的单端集电极和射极开路的驱动电路
5. 使用光耦隔离的驱动电路
6. 使用光耦隔离的带负压关断驱动电路：
7. 采用专用驱动光耦驱动的隔离驱动电路：
8. 电动车控制器驱动电路
9. P管驱动电路：
10. 多管并联驱动电路：
MOSFET作为一种新型的功率器件，具有开关速度快，内阻低损耗小等优点，但是如果使用不当也容易损坏。MOSFET损坏的原因主要有过压，过流，短路，静电，过热，机械损坏等。
一．过压：
MOSFET的过压主要分为栅源极过压和漏源极过压。
1. 栅源极过压：
MOSFET的栅源极之间允许的电压（VGSS）都有一个限制，业界的一般是±20V,锐骏半导体大部分MOS管的栅源极耐压是±25V,意味着MOSFET的栅源极之间超过这个电压，MOSFET就有可能击穿损坏。为了防止栅源极过压，我们可以采取如下措施：
1）.采用12-15V稳定的电压给MOSFET驱动芯片供电；
2）.对于无法采用12-15V稳定的电压给MOSFET驱动芯片供电的情况下需要在栅源极之间并联15V的稳压管。
2. 漏源极过压
MOSFET的漏源极之间允许的电压（BVDSS）都有一个限制，意味着MOSFET的漏源极之间超过这个电压，MOSFET就有可能击穿损坏。因此在选型的时候我们需要根据电路的电压输入范围和拓扑结构来选择MOSFET并留有一定的余量。当然，由于分布参数和变压器漏感的影响，在MOSFET的某个工作瞬间往往会瞬间过压，虽然MOSFET具有抗击这种瞬间过压不被损坏的能力，但也不能超过一定的限度，为了电路的安全，我们还是要做好保护措，一般以下几3种：
1）.采用瞬态二极管的尖峰抑制电路：
2）.采用RC吸收回路：
3）.采用RCD吸收回路：
二． 过流
MOSFET能承受的的电流和芯片，时间，结温和电流都有关系，例如锐骏半导体的RU190N08R,芯片在25度时允许通过的电流为ID=190A, 在100度许通过的电流为ID=140A,但是这个只是芯片能承受的电流，当然还受封装的限制，对于TO-220封装来说，只允许通过7
5A的电流。如果是瞬间呢，在25度时，在300微秒（没有超过安全区域）的脉冲宽度可以通过700A的IDP(峰值电流)。
在设计选型时我们要根据的上述电流参数选择合适的MOSFET并留有一定的余量，MOSFET过流一般都是由于过流后引起结温过高而损坏，或者是超过了安全区域导致耗散功率过大损坏。
常规的过流保护电路有：
1）.采用源极串联电流取样电阻的过流保护电路:由图中可以看出，U1的电流比较基准是1V,只要R3两端的压降超过了1V,U1就关断PWM停止输出，从而保护了MOSFET.
2）.采用电流互感器取样的过流保护电路:互感器取样的特点是能过很大的电流而损耗小，但体积比较大。
三．短路
短路也可以理解为严重的过流，以锐骏半导体的RU190N08为例，我们来看下MOS管的安全区域：
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
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