存储器装置的存储器管理及删除解码的制作方法

存储器装置的存储器管理及删除解码
1.交叉参考
2.本专利申请案主张2019年6月14日提出申请的标题为“存储器装置中对电荷泄漏的存储器管理(memory management for charge leakage in a memory device)”的维斯康提(visconti)的美国专利申请案第16/441,722号以及2020年4月3日提出申请的标题为“存储器装置的删除解码(erasure decoding for a memory device)”的法肯萨尔(fackenthal)等人的美国专利申请案第16/840,286号的优先权，上述美国专利申请案中的每一者转让给本发明受让人且上述美国专利申请案中的每一者以其全文引用的方式明确并入本文中。

背景技术：

3.存储器装置广泛地用于在各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器等)中存储信息。通过将存储器装置的不同状态编程来存储信息。举例来说，二进制装置最通常存储两种状态中的一者，通常标示为逻辑1或逻辑0。在其它装置中，可存储多于两种状态。为存取所存储信息，装置的组件可读取或感测存储器装置中所存储的至少一种状态。为存储信息，装置的组件可将状态写入或编程于存储器装置中。
4.存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)及其它。存储器装置可以是易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，feram)即使在无外部电源的情况下仍可维持其所存储的逻辑状态达长的时间段。易失性存储器装置(例如，dram)可在与外部电源断开连接时丢失其所存储的状态。feram可由于使用铁电电容器作为存储装置而能够实现与易失性存储器类似的密度但可具有非易失性性质。
附图说明
5.图1图解说明根据本文中所公开的实例的支持存储器管理及删除解码的存储器装置的实例。
6.图2图解说明根据本文中所公开的实例的支持存储器装置的存储器管理及删除解码的实例性电路。
7.图3a及3b根据本文中所公开的各种实例利用磁滞曲线图解说明铁电存储器单元的非线性电性质的实例。
8.图4图解说明根据本文中所公开的实例的支持存储器装置的存储器管理及删除解码的电路的实例。
9.图5展示图解说明根据本文中所公开的实例支持存储器装置的存储器管理及删除解码的实例性存取程序的操作的时序图。
10.图6展示图解说明根据本文中所公开的实例的支持针对电荷泄漏的存储器管理的方法的流程图。
11.图7图解说明根据本文中所公开的实例包含可支持存储器装置的删除解码的与不同信息状态相关联的读取特性的分布的曲线图。
12.图8图解说明根据本文中所公开的实例的支持存储器装置的删除解码的方法的实例。
13.图9展示根据本文中所公开的实例的支持针对电荷泄漏的存储器管理的存储器装置的框图。
14.图10展示根据本文中所公开的实例的支持针对电荷泄漏的存储器管理的存储器装置的框图。
15.图11展示根据本公开的各方面的支持存储器装置的删除解码的存储器装置的框图。
16.图12展示图解说明根据本公开的各方面的支持针对电荷泄漏的存储器管理的一或多种方法的流程图。
17.图13展示图解说明根据本文中所公开的实例的支持存储器装置的删除解码的一或多种方法的流程图。
具体实施方式
18.在一些存储器装置中，电荷泄漏或其它现象可对存储器装置确定存储器单元所存储的逻辑状态的能力造成负面影响。举例来说，存储器装置中的电荷泄漏可导致检测到或以其它方式识别出比原本与先前存储到存储器单元的特定逻辑状态相关联的电荷转移大的电荷转移，例如检测到信号线上的电压低于在不存在电荷泄漏时的对应电压。在一些实例中，电荷泄漏可减小存储器装置的读取余裕，或可与从存储器单元读取不正确逻辑状态(例如，与已存储于存储器单元处的逻辑状态不同的逻辑状态)相关联。这些效应可例如与电容性存储器技术或其中存储器单元可存储不同电荷量或不同极化极性以存储不同逻辑状态的其它电荷存储存储器技术相关。
19.在一个实例中，存储器装置的存储器单元可经配置以存储(例如，在电容性存储器元件中、在铁电存储器元件中)与第一电荷转移量相关联的第一逻辑状态或与第二电荷转移量相关联的第二逻辑状态或者这两者，所述第二电荷转移量大于所述第一电荷转移量。第一电荷转移量可指代或以其它方式对应于在读取操作期间往来于存储第一逻辑状态的存储器单元的电荷转移、存储于存储器单元处的第一电荷量或存储于存储器单元处的第一电荷极性，或者第一电荷转移量可通常对应于相对低的当前逻辑状态。
20.第二电荷转移量可指代或以其它方式对应于在读取操作期间往来于存储第二逻辑状态的存储器单元的电荷转移量、存储于存储器单元处的第二电荷量或存储于存储器单元处的第二电荷极性，或者第二电荷转移量可通常对应于相对高的当前逻辑状态。在对存储第一逻辑状态的存储器单元进行读取操作期间，感测组件可检测或以其它方式识别第一电荷转移量以确定存储器单元存储所述第一逻辑状态。在对存储第二逻辑状态的存储器单元进行读取操作期间，感测组件可检测或以其它方式识别第二电荷转移量以确定存储器单元存储所述第二逻辑状态。
21.在存在电荷泄漏时，举例来说，存储器装置(例如，存储器装置内的感测组件)可检测到比在正常情况下与特定逻辑状态相关联的电荷转移高的电荷转移，所述较高电荷转移
可部分地表示来自存储所述逻辑状态的存储器单元的电荷转移且部分地表示电荷泄漏。换句话说，电荷泄漏可叠加于在正常情况下与特定逻辑状态相关联(例如，与针对所述逻辑状态的读取操作相关联)的电荷转移上。在一些情形中，所叠加电荷泄漏可减小读取存储第一逻辑状态(例如，在正常情况下与相对较低的电荷转移相关联)的存储器单元的读取余裕，或可导致存储器装置从写入有第一逻辑状态的存储器单元不正确地检测到第二逻辑状态(例如，在读取操作期间与较高电荷转移相关联)。
22.在一些情形中，存储器装置可识别与一或多个存储器单元或存取线相关联的电荷泄漏，且可确定是否要在存在电荷泄漏时特意地将一或多个存储器单元所存储的逻辑状态反相以提高恰当地检测逻辑状态的可能性。举例来说，存储器装置可在存取操作期间(例如，在存取操作的读取部分期间、在存取操作的写入部分期间)确定由存储器单元所存储的逻辑状态，且还检测存储器单元或相关存取线是否与电荷泄漏相关联(例如，在存取操作的泄漏检测部分期间)。
23.在一些情形中，存储器装置可部分地基于检测到电荷泄漏或某一其它现象确定将经确定逻辑状态的补数(例如，与关联于存取操作的读取或写入部分的逻辑状态不同的逻辑状态、互补逻辑状态、经反相逻辑状态、相反逻辑状态)写入到存储器单元。在一些实例中，确定写入逻辑状态的补数可基于所检测到的逻辑状态是与第一电荷转移量相关联，且所述逻辑状态的补数是与第二电荷转移量相关联，所述第二电荷转移量大于所述第一电荷转移量。在一些情形中，存储器装置可随后将逻辑状态的补数写入到存储器单元(例如，在存取操作的重写部分期间)。
24.伴随将互补逻辑状态写入到存储器单元，存储器装置还可存储所检测到的逻辑状态的补数被写入的指示，例如位翻转指示，其中此指示可对应于一组一或多个存储器单元，所述一组一或多个存储器单元包含被检测到相关联电荷泄漏的存储器单元。举例来说，存储器装置可存储此指示以跟踪存储器单元或一组存储器单元(例如，行或页)是被编程有直接逻辑状态还是互补逻辑状态(例如，经翻转状态)。此指示可用于后续读取操作中以在读取存储器装置的信息时恰当地解释一或多个存储器单元的已改变逻辑状态(例如，直接解释存储器单元所存储的逻辑状态或者将所述存储器单元所存储的逻辑状态的解释反相或以其它方式改变)。
25.因此，可通过改变由存储器单元存储的逻辑状态(例如，在重写操作期间)来考量存储器装置中的所检测到电荷泄漏或其它现象，这可避免不正确地解释存储器单元所存储的信息，或者可避免或减小读取余裕变窄的效应。在一些实例中，此技术可支持存储器装置的经改善性能，例如扩展循环失败(cycling-to-fail(ctf))性能、放松位错误率(ber)要求及其它益处。
26.在一些存储器装置中，删除或其它行为可造成其中写入到存储器单元或由存储器单元存储的信息状态(例如，逻辑状态)可能不确定(例如，在后续存取操作期间)的状况。举例来说，在一些情况中，存储器装置可无法区分存储器单元存储一种逻辑状态还是另一逻辑状态(例如，存储器单元存储逻辑1还是逻辑0)，或者存储器装置可在读取存储器单元时读取一种逻辑状态，但一不同逻辑状态被写入到所述存储器单元(例如，在对存储器单元进行读取操作期间检测到逻辑0，但所述存储器单元被写入逻辑1)。在一些实例中，具有不确定逻辑状态的存储器单元可造成需要加以校正(例如，通过错误校正码(ecc)或ecc引擎)的
对应码字的错误，或可造成对应码字的错误数量超出错误校正能力(例如，存储器装置的错误校正能力、与存储器装置耦合的主机装置的错误校正能力)。例如这些等的状况可使存储器装置或使用存储器装置进行信息存储的主机装置的性能降级，或者可导致存储器装置或主机装置的操作失败。
27.在一些实例中，存储器装置可经配置以识别存储器单元或在存取操作期间产生的与删除相关联的对应码字的信息位置、指示可能删除的状况或以其它方式与不确定的信息状态相关联的状况。在一些实例中，存储器装置可经配置以识别指示电荷泄漏(例如，经由存储器单元的电荷泄漏、经由与存取操作相关联的存取线的电荷泄漏)的状况，电荷泄漏可能与感测到存储器单元存储特定逻辑状态的较高可能性相关联(例如，使与读取逻辑状态相关联的读取余裕降级或消除所述读取余裕)。在一些实例中，存储器装置可经配置以识别与读取存储器单元相关联的信号处于与第一信息状态对应的第一阈值(例如，指示逻辑0的信号阈值)和与第二信息状态对应的第二阈值(例如，指示逻辑1的信号阈值)之间的范围内，且处于此范围内的所述信号可指示关于存储器单元是存储第一信息状态还是第二信息状态的不确定性。
28.识别与不确定的信息状态相关联的状况可增强错误检测或错误校正操作的各方面，包含可在存储器装置或主机装置处执行的错误检测或错误校正操作(例如，在位于存储器装置外部的存储器控制器处执行的错误校正操作)。举例来说，存储器装置可识别出一或多个存储器单元、一或多个存取线或者码字的一或多个信息位置与不确定的信息状态相关联。对应码字(例如，在读取操作期间产生)可包含具有检测到或确定的信息状态(例如，逻辑0或逻辑1)的一些信息位置以及具有不确定的信息状态或以其它方式未经指派的信息状态(例如，逻辑x、空逻辑状态)的一些信息位置。可对一或多个码字(例如，推测性码字)执行错误检测操作或错误校正操作，其中与不确定或未经指派的逻辑状态相关联的信息位置被替换或被指派以相应假定的信息状态(例如，以逻辑0替换逻辑x、以逻辑1替换逻辑x)。通过识别将被指派此假定的信息状态的信息位置，可提高进行错误检测或错误校正以处置不确定状态或不确定状态与其它错误状况的组合(例如，在未知存储器单元或码字位置处所感测的信息状态的错误)的能力。
29.本公开的特征最初在参考图1到3的存储器装置、电路系统及存储器单元特性的上下文中予以描述。本公开的特征进一步在参考图4到5的实例性电路及对应存取操作以及参考图6的针对存储器装置中的电荷泄漏的一般化存储器管理方法的上下文中予以描述。本公开的特征进一步在参考图7到8的读取特性及删除解码方法的实例的上下文中予以描述。本公开的这些及其它特征进一步通过且参考与参考图9到13描述的存储器装置的存储器管理及删除解码相关的设备图及流程图予以图解说明及描述。
30.图1图解说明根据本文中所公开的实例的支持存储器管理及删除解码的存储器装置100的实例。存储器装置100也可被称为电子存储器设备。存储器装置100可包含可编程以存储不同逻辑状态的存储器单元105。在一些情形中，存储器单元105可编程以存储两种逻辑状态，标示为逻辑0及逻辑1。在一些情形中，存储器单元105可编程以存储多于两种逻辑状态。在各种实例中，存储器单元105可包含电容性存储元件、铁电存储元件、材料存储器元件、电阻式存储器元件、阈值化存储器元件、相变存储器元件或其它类型的存储元件(例如，存储器元件、电荷存储元件、极化存储元件)。
31.一组存储器单元105可以是存储器装置100的存储器区段110的部分(例如，包含存储器单元105的阵列)，其中在一些实例中，存储器区段110可以是指存储器单元105的连续片块(例如，半导体芯片的一组连续元件)。在一些实例中，存储器区段110可以是指可在存取操作中被偏置的最小一组存储器单元105或共享共同电节点(例如，共同板线、被偏置到共同电压的一组板线)的最小一组存储器单元105。尽管仅展示存储器装置100的单个存储器区段110，但支持所描述技术的存储器装置的各种实例可具有一组一或多个存储器区段110。在一个说明性实例中，存储器装置100可包含32个“库”且每一库可包含32个区段。因此，根据说明性实例的存储器装置100可包含1,024个存储器区段110。
32.在一些实例中，存储器单元105可存储表示可编程逻辑状态的电荷(例如，在电容器、电容性存储器元件、电容性存储元件中存储电荷)。在一个实例中，经充电及未经充电的电容器可分别表示两种逻辑状态。在另一实例中，带正电荷(例如，第一极性、正极性)及带负电荷(例如，第二极性，负极性)电容器可分别表示两种逻辑状态。dram或feram架构可使用此设计，且所采用的电容器可包含具有线性或顺电极化性质的介电材料作为绝缘体。在一些实例中，电容器的不同电荷电平可表示不同逻辑状态，在一些实例中，这可在相应存储器单元105中支持多于两种逻辑状态。在一些实例中，例如feram架构，存储器单元105可包含铁电电容器，所述铁电电容器具有铁电材料作为电容器的端子之间的绝缘(例如，非导电)层。铁电电容器的不同极化电平或不同极化极性可表示不同逻辑状态(例如，在相应存储器单元105中支持两种或多于两种逻辑状态)。铁电材料具有非线性极化性质，包含参考图3a及3b更详细论述的非线性极化性质。
33.在一些实例中，存储器单元105可包含可配置材料或以其它方式与可配置材料相关联，所述可配置材料可被称为材料存储器元件、材料存储元件、材料部分及其它。可配置材料可具有表示(例如，对应于)不同逻辑状态的一或多个可变且可配置的特性或性质(例如，材料状态)。举例来说，可配置材料可呈现不同形式、不同原子配置、不同结晶程度、不同原子分布或以其它方式维持可用于表示一种逻辑状态或另一逻辑状态的不同特性。在一些实例中，此些特性可与可在读取操作期间检测到或区分以识别写入到可配置材料或由可配置材料存储的逻辑状态的不同电阻、不同阈值电压或其它性质相关联。
34.在一些情形中，存储器单元105的可配置材料可与阈值电压相关联。举例来说，当在存储器单元105的两端施加大于阈值电压的电压时，电流可流过可配置材料，且当在存储器单元105的两端施加小于阈值电压的电压时，电流可不流过可配置材料或可以低于某一水平的速率(例如，根据泄漏速率)流过可配置材料。因此，施加到存储器单元105的电压可导致不同电流或不同所感知电阻或电阻改变(例如，阈值化事件或切换事件)，这取决于存储器单元105的可配置材料部分被写入有一种逻辑状态还是另一种逻辑状态。因此，与从对存储器单元105施加读取电压而产生的电流相关联的电流量值或其它特性(例如，阈值化行为、电阻击穿行为、突返行为)可用于确定写入到存储器单元105或由存储器单元105存储的逻辑状态。
35.存储器装置100可包含三维(3d)存储器阵列，其中多个二维(2d)存储器阵列(例如，层面、层级)形成于彼此顶部上。在各种实例中，此些阵列可被划分成一组存储器区段110，其中每一存储器区段110可布置于层面或层级内、跨越多个层面或层级分布或以其任何组合分布。与2d阵列相比，此种布置可增加可放置于或形成于单个裸片或衬底上的存储
器单元105的数目，这又可降低生产成本或提高存储器装置100的性能，或者既降低生产成本也提高存储器装置100的性能。层面或层级可被电绝缘材料分隔开。每一层面或层级可经对准或经定位使得存储器单元105可跨越每一层面彼此大致对准，从而形成存储器单元105的堆叠。在存储器装置100的实例中，存储器区段110的每一行存储器单元105可与一组第一存取线120中的一者(例如字线(wl)，例如wl1到wlm中的一者、选择线)耦合，且每一列存储器单元105可与一组第二存取线130中的一者(例如数字线(dl)，例如dl1到dln中的一者)耦合。在一些实例中，不同存储器区段110(未展示)的一行存储器单元105可与不同多个第一存取线120中的一者(例如，与wl1到wlm不同的字线)耦合，且不同存储器区段110的一列存储器单元105可与不同多个第二存取线130中的一者(例如，与dl1到dln不同的数字线)耦合。在一些情形中，第一存取线120与第二存取线130在存储器装置100中可基本上彼此垂直(例如，当观看存储器装置100的层面的平面时，如图1所展示)。所提及的字线及位线或其类似物是可互换的，并不会对理解或操作造成损失。
36.通常，一个存储器单元105可位于存取线120与存取线130的交叉处(例如，与存取线120及存取线130耦合，耦合在存取线120与存取线130之间)。此交叉处可被称为存储器单元105的地址。目标或选定存储器单元105可以是位于经激发或以其它方式选定的存取线120与经激发或以其它方式选定的存取线130的交叉处的存储器单元105。换句话说，存取线120及存取线130可经激发或以其它方式选定以存取(例如，读取、写入、重写、刷新)位于其交叉处的存储器单元105。与相同存取线120或130进行电子通信(例如，连接到相同存取线120或130)的其它存储器单元105可被称为非目标或非选定存储器单元105。
37.在一些架构中，存储器单元105的逻辑存储组件(例如，电容性存储元件、铁电存储元件、材料存储元件)可通过单元选择组件与第二存取线130电隔离(例如，选择性地隔离)，在一些实例中，所述单元选择组件可被称为存储器单元105的切换组件或选择器装置或以其它方式与存储器单元105相关联。第一存取线120可与单元选择组件(例如，经由单元选择组件的控制节点或端子)耦合，且可控制存储器单元105的单元选择组件。举例来说，单元选择组件可以是晶体管且第一存取线120可与所述晶体管的栅极耦合(例如，其中晶体管的栅极节点可以是晶体管的控制节点)。激活存储器单元105的第一存取线120可在存储器单元105的逻辑存储组件与其对应第二存取线130之间形成电连接或闭合电路。然后，可存取第二存取线130以读取或写入存储器单元105。
38.在一些实例中，存储器区段110的存储器单元105还可与多个第三存取线140中的一者(例如板线(pl)，例如pl1到pln中的一者)耦合。尽管被图解说明为单独的线，但在一些实例中，所述多个第三存取线140可表示或以其它方式在功能上等效于存储器区段110的共同板线、共同板或其它共同节点(例如，存储器区段110中的存储器单元105中的每一者共同的节点)或存储器装置100的其它共同节点。在一些实例中，所述多个第三存取线140可将存储器单元105与一或多个电压源耦合以进行各种感测操作或写入操作，包含本文中所描述的感测操作或写入操作。举例来说，当存储器单元105采用电容器来存储逻辑状态时，第二存取线130可提供对电容器的第一端子或第一板的存取，且第三存取线140可提供对电容器的第二端子或第二板(例如，与电容器的第一端子相反地与电容器的相对板相关联的端子、以其它方式在电容的与电容器的第一端子相对的侧上的端子)的存取。在一些实例中，不同存储器区段110(未展示)的存储器单元105可与不同多个第三存取线140中的一者(例如，与
pl1到pln不同的一组板线、不同共同板线、不同共同板、不同共同节点)耦合。
39.所述多个第三存取线140可与板组件145耦合，这可控制各种操作，例如激活所述多个第三存取线140中的一或多者或将所述多个第三存取线140中的一或多者与电压源或其它电路元件选择性地耦合。尽管存储器装置100的所述多个第三存取线140被展示为与所述多个第二存取线130基本上平行，但在其它实例中，多个第三存取线140可与所述多个第一存取线120基本上平行，或呈任何其它配置(例如，共同平面导体、共同板层)。
40.尽管参考图1所描述的存取线被展示为存储器单元105与所耦合组件之间的直通线，但存取线可包含其它电路元件，例如电容器、电阻器、晶体管、放大器、电压源、切换组件、选择组件及其它，其可用于支持存取操作，包含本文中所描述的存取操作。在一些实例中，电极可与存储器单元105及存取线120耦合(例如，耦合于存储器单元105与存取线120之间)或者与存储器单元105及存取线130耦合(例如，耦合于存储器单元105与存取线130之间)。术语电极可以是指电导体或组件之间的其它电接口，且在一些情形中可用作与存储器单元105的电触点。电极可包含提供存储器装置100的元件或组件之间的导电路径的迹线、配线、导电线、导电层、导电垫等。
41.可通过激活或选择与存储器单元105耦合的第一存取线120、第二存取线130或第三存取线140来对存储器单元105执行存取操作(例如读取、写入、重写及刷新)，这可包含对相应存取线施加电压、电荷或电流。存取线120、130及140可由导电材料(例如，金属(例如，铜(cu)、银(ag)、铝(al)、金(au)、钨(w)、钛(ti)))、金属合金、碳或其它导电或半导电材料、合金或化合物制成。在选择存储器单元105时，可使用所产生信号来确定由存储器单元105存储的逻辑状态。举例来说，可选择具有存储逻辑状态的电容性存储器元件的存储器单元105，且可检测经由存取线的所产生电荷流或存取线的所产生电压以确定由存储器单元105存储的经编程逻辑状态。
42.可通过行组件125(例如，行解码器)、列组件135(例如，列解码器)或板组件145(例如，板驱动器)或其组合控制存取存储器单元105。举例来说，行组件125可从存储器控制器170接收行地址且基于所接收到的行地址激活适当第一存取线120。类似地，列组件135可从存储器控制器170接收列地址且激活适当第二存取线130。因此，在一些实例中，可通过激活第一存取线120及第二存取线130存取存储器单元105。在一些实例中，此些存取操作可伴随着板组件145对第三存取线140中的一或多者进行偏置(例如，对存储器区段110的第三存取线140中的一者偏置、对存储器区段的所有第三存取线140进行偏置、对存储器区段110或存储器装置100的共同板线进行偏置、对存储器区段110或存储器装置100的共同节点进行偏置)，这可被称为“移动”存储器单元105、存储器区段110或存储器装置100的“板”。
43.在一些实例中，存储器控制器170可通过各种组件(例如，行组件125、列组件135、板组件145、感测组件150)控制存储器单元105的操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作、放电操作、电压调整操作、耗散操作、均衡操作)。在一些情形中，行组件125、列组件135、板组件145及感测组件150中的一或多者可位于同一位置或以其它方式与存储器控制器170一起被包含。存储器控制器170可产生行地址信号及列地址信号以激活所要存取线120及存取线130。存储器控制器170还可产生或控制在存储器装置100的操作期间使用的各种电压或电流。尽管仅展示单个存储器控制器170，但存储器装置100的其它实例可具有多于一个存储器控制器170(例如，存储器装置的一组存储器区段110中的每一者的存储
器控制器170、存储器装置100的若干个子组的存储器区段110中的每一者的存储器控制器170、多芯片存储器装置100的一组芯片中的每一者的存储器控制器170、多库存储器装置100的一组库中的每一者的存储器控制器170、多核心存储器装置100的每一核心的存储器控制器170或其任何组合)，其中不同存储器控制器170可执行相同功能或不同功能。
44.尽管存储器装置100被图解说明为包含单个行组件125、单个列组件135及单个板组件145，但存储器装置100的其它实例可包含不同配置以适应一组存储器区段110。举例来说，在各种存储器装置100中，行组件125可在一组存储器区段110当中共享(例如，具有一组存储器区段110中的所有存储器区段共同的子组件、具有专用于一组存储器区段110中的相应存储器区段的子组件)，或行组件125可专用于一组存储器区段110中的一个存储器区段110。同样地，在各种存储器装置100中，列组件135可在一组存储器区段110当中共享(例如，具有一组存储器区段110中的所有存储器区段共同的子组件、具有专用于一组存储器区段110中的相应存储器区段的子组件)，或列组件135可专用于一组存储器区段110中的一个存储器区段110。另外，在各种存储器装置100中，板组件145可在一组存储器区段110当中共享(例如，具有一组存储器区段110中的所有存储器区段共同的子组件、具有专用于一组存储器区段110中的相应存储器区段的子组件)，或板组件145可专用于一组存储器区段110中的一个存储器区段110。
45.通常，可对所施加电压、电流或电荷的振幅、形状或持续时间做出调整或变化，且所述振幅、形状或持续时间可针对所论述的用于操作存储器装置100的各种操作而有所不同。此外，可同时存取存储器装置100内的一个、多个或所有存储器单元105。举例来说，可同时存取共享共同存取线120的存储器单元105中的每一者或共享共同存取线120(例如，共同单元选择线)的存储器单元105的某一子组(例如，根据存储器行存取布置、根据“页”存取布置、根据一组存取线130或可被同时存取或感测的列)。在另一实例中，可在复位操作期间同时存取存储器装置100的多个或所有存储器单元105，在所述复位操作中所有存储器单元105或存储器单元105的组(例如，存储器区段110的存储器单元105)被设定为单个逻辑状态。
46.当存取存储器单元105时(例如，与存储器控制器170协作)通过感测组件150可读取(例如，感测)存储器单元105以确定写入到存储器单元105或由存储器单元105存储的逻辑状态。举例来说，感测组件150可经配置以响应于读取操作而感测通过或来自存储器单元105的电流或电荷转移或从将存储器单元105与感测组件150或其它中介性组件(例如，存储器单元105与感测组件150之间的信号生成组件)耦合而产生的电压。感测组件150可将指示从存储器单元105读取的逻辑状态的输出信号提供到一或多个组件(例如，提供到列组件135、输入/输出组件160、存储器控制器170)。在各种存储器装置100中，感测组件150可在一组存储器区段110当中共享(例如，具有一组存储器区段110中的所有存储器区段共同的子组件、具有专用于一组存储器区段110中的相应存储器区段的子组件)，或感测组件150可专用于一组存储器区段110中的一个存储器区段110。
47.在一些实例中，在存取存储器单元105期间或之后，存储器单元105的存储元件可放电或以其它方式准许电荷或电流经由其对应存取线120、130或140流动。此电荷或电流可由从存储器装置100的一或多个电压源或供应器(未展示)对存储器单元105进行偏置或施加电压而产生，其中此类电压源或供应器可以是行组件125、列组件135、板组件145、感测组
件150、存储器控制器170或某一其它组件(例如，偏置组件)的部分。在一些实例中，在选定存储器单元105与存取线130之间共享的电荷可致使存取线130的电压发生改变，感测组件150可比较存取线130的电压与参考电压以确定存储器单元105所存储的逻辑状态。
48.感测组件150可包含各种切换组件、选择组件、晶体管、放大器、电容器、电阻器或电压源以检测或放大感测信号的差(例如，读取电压与参考电压之间的差、读取电流与参考电流之间的差、读取电荷与参考电荷之间的差)，在一些实例中，这可被称为锁存。在一些实例中，感测组件150可包含组件(例如，电路元件)集合，所述组件集合针对连接到感测组件150的一组存取线130中的每一者而重复。举例来说，感测组件150可针对与感测组件150耦合的一组存取线130中的每一者包含单独感测电路(例如，单独或复制的感测放大器、单独或复制的信号生成组件)，使得可针对与一组存取线130中的相应存取线耦合的相应存储器单元105单独地检测逻辑状态。在一些实例中，参考信号源(例如，参考组件)或所产生参考信号可在存储器装置100的组件之间共享(例如，在一或多个感测组件150当中共享、在感测组件150的单独感测电路当中共享、在存储器区段110的存取线120、130或140当中共享)。在一些实例中，可通过列组件135或输入/输出组件160输出存储器单元105的所检测到的逻辑状态作为输出。
49.感测组件150可包含于包含存储器装置100的装置中。举例来说，感测组件150可与可耦合到存储器装置100的存储器的其它读取与写入电路、解码电路或寄存器电路一起被包含。在一些实例中，可通过列组件135或输入/输出组件160输出存储器单元105的所检测到的逻辑状态作为输出。在一些实例中，感测组件150可以是列组件135或行组件125的部分。在一些实例中，感测组件150可连接到列组件135或行组件125或者以其它方式与列组件135或行组件125进行电子通信。
50.尽管展示单个感测组件150，但存储器装置100(例如，存储器装置100的存储器区段110)可包含多于一个感测组件150。举例来说，第一感测组件150可与第一子组存取线130耦合且第二感测组件150可与第二子组存取线130(例如，不同于第一子组存取线130)耦合。在一些实例中，感测组件150的此划分可支持多个感测组件150的并行(例如，同时)操作。在一些实例中，感测组件150的此划分可支持具有不同配置或特性的感测组件150与存储器装置的存储器单元105的特定子组匹配(例如，支持不同类型的存储器单元105、支持存储器单元105的子组的不同特性、支持存取线130的子组的不同特性)。另外或替代地，两个或多于两个感测组件150可与同一组存取线130耦合(例如，为了组件冗余)。在一些实例中，此配置可支持维护功能性以克服冗余感测组件150中的一者的操作失败或在其它方面不良的操作。在一些实例中，此配置可支持针对特定操作特性来选择冗余感测组件150中的一者的能力(例如，关系到功耗特性、关系到特定感测操作的存取速度特性、关系到在易失性模式还是非易失性模式中操作存储器单元105)。
51.在一些存储器架构中，存取存储器单元105可能会使所存储逻辑状态降级或破坏所存储逻辑状态，且可执行重写或刷新操作以使存储器单元105恢复所存储逻辑状态。在dram或feram中，举例来说，存储器单元105的电容器可在感测操作期间被部分地或完全放电，因而损坏存储器单元105中所存储的逻辑状态。因此，在一些实例中，可在存取操作期间重写存储器单元105中所存储的逻辑状态。此外，激活单个存取线120、130或140可致使与经激活存取线120、130或140耦合的所有存储器单元105放电。因此，可在存取操作之后重写与
和所述存取操作相关联的存取线120、130或140耦合的数个或所有存储器单元105(例如，经存取行的所有单元、经存取列的所有单元)。
52.在一些实例中，读取存储器单元105可以是非破坏性的。即，在读取存储器单元105之后可无须重写存储器单元105的逻辑状态。然而，在一些实例中，在不存在或存在其它存取操作时可需要或可不需要刷新存储器单元105的逻辑状态。举例来说，可按照周期性间隔通过施加适当写入脉冲、重写脉冲、刷新脉冲或均衡脉冲或者偏置来刷新由存储器单元105存储的逻辑状态，以维持所存储逻辑状态。刷新存储器单元105可减小或消除由于电荷泄漏或存储器元件的材料配置随时间推移的改变所致的读取干扰错误或逻辑状态损坏。
53.可通过激活相关的第一存取线120、第二存取线130或第三存取线140(例如，经由存储器控制器170)来对存储器单元105进行设定或写入。换句话说，逻辑状态可存储于存储器单元105中。举例来说，行组件125、列组件135或板组件145可经由输入/输出组件160接受将被写入到存储器单元105的数据。在一些实例中，可通过感测组件150至少部分地执行写入操作，或写入操作可经配置以绕过感测组件150。
54.在电容性存储器元件的情形中，可通过对或跨越电容器施加电压且然后隔离电容器(例如，将电容器与用于对存储器单元105进行写入的电压源隔离、使电容器浮动)以将与所要逻辑状态相关联的电荷存储于电容器中来对存储器单元105进行写入。在铁电存储器的情形中，可通过以下方式对存储器单元105的铁电存储器元件(例如，铁电电容器)进行写入：施加量值足够高以将铁电存储器元件极化成与所要逻辑状态相关联的极化的电压(例如，施加饱和电压)，且可将铁电存储器元件隔离(例如，浮动)，或可跨越铁电存储器元件施加零净电压或偏置(例如，接地、虚拟接地或使跨越铁电存储器元件的电压均衡化)。在材料存储器架构的情形中，可通过根据对应逻辑状态对材料存储器元件施加电流、电压或者其它加热或偏置以对材料进行配置来对存储器单元105进行写入。
55.在一些实例中，存储器装置100可包含一组存储器区段110。存储器区段110中的每一者可包含一组存储器单元105，所述一组存储器单元105与(例如，相应存储器区段110的)一组第二存取线130中的一者以及一组第三存取线140中的一者耦合，或者耦合于一组第二存取线130中的一者与一组第三存取线140中的一者之间。存储器单元105中的每一者可包含单元选择组件，所述单元选择组件经配置以将存储器单元105与(例如，相应存储器区段110的)相关联第二存取线130或相关联第三存取线140选择性地耦合。在一些实例中，单元选择组件中的每一者可与(例如，存储器区段110的)第一存取线120中的相应第一存取线耦合(例如，在相应单元选择组件的控制节点或控制端子处)，这可用于激活或撤销激活特定单元选择组件。
56.可对存储器区段110的选定存储器单元105执行存取操作，所述存取操作可包含读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作或其各种组合。在一些实例中，存取操作可和对与选定存储器单元105相关联的第二存取线130或第三存取线140加偏置相关联。在存取操作期间，可激活用于选定存储器单元105的单元选择组件，使得选定存储器单元105可与第二存取线130或第三存取线140选择性地耦合。因此，由于对第二存取线130或第三存取线140加偏置以进行存取操作，与存取操作相关联的信号(例如，与存取操作相关联的电压、与存取操作相关联的电荷、与存取操作相关联的电流)可传递到选定存储器单元105、从选定存储器单元105传递出或传递通过选定存储器单元105。
57.在一些实例中，电荷可能会从存储器装置100或存储器区段110的一个部分泄漏到另一部分。可能的泄漏原因包含制造缺陷、组件击穿(例如，薄膜晶体管(tft)击穿或泄漏)、存储器单元耗损机制(例如，应力引发的泄漏电流(silc)、击穿(bd)电流)、组成改变或其它原因。举例来说，电荷可跨越存储器单元105的单元选择组件泄漏、跨越电容性存储元件的介电材料泄漏、从存储器装置100的一个存取线到另一存取线泄漏(例如，从存取线130到另一存取线120、130或130泄漏)、跨越意在撤销激活的晶体管泄漏(例如，跨越切换到非导电状态的晶体管泄漏)，且存在其它泄漏。在一些实例中，电荷泄漏可对存储器装置100的性能造成负面影响(例如，导致在读取存储器单元时检测到与先前写入到存储器单元的逻辑状态不同的逻辑状态)。因此，根据本文中所公开的技术，存储器装置100(例如，存储器控制器170)可经配置以基于对存储器装置100中的电荷泄漏的检测来确定是将直接逻辑状态还是将互补逻辑状态存储到存储器单元105或一组存储器单元105。
58.在一些实例中，删除或其它行为可导致写入到存储器单元105或由存储器单元105存储的信息状态(例如，逻辑状态)可不确定(例如，在后续存取操作中)的状况。举例来说，在一些情况中，存储器装置100可无法区分存储器单元105所存储的是一种逻辑状态还是另一种逻辑状态(例如，存储器单元所存储的是逻辑1还是逻辑0)，或存储器装置100可在读取存储器单元105时检测一种逻辑状态，但写入到存储器单元105的是不同逻辑状态(例如，在对存储器单元进行读取操作期间检测到逻辑0，但所述存储器单元是被写入逻辑1)。
59.在一些实例中，存储器装置100可经配置以识别可与不确定或不肯定的信息状态相关联的各种状况。举例来说，存储器装置100可识别与不确定或不肯定的信息状态相关联的一或多个存储器单元105、一或多个存取线(例如，存取线130)或者码字的一或多个信息位置。对应码字(例如，在读取操作期间产生)可包含具有所检测到的信息状态(例如，逻辑0或逻辑1)的一些信息位置及具有不确定的信息状态或以其它方式未经指派的信息状态(例如，逻辑x、空逻辑状态)的一些信息位置。可对码字执行错误处置操作，其中与不确定或未经指派的逻辑状态相关联的信息位置被替换或指派以相应假定或推测性信息状态(例如，以逻辑0替换逻辑x、以逻辑1替换逻辑x)，这可提高处置各种错误的能力且具有其它益处。
60.图2图解说明根据本文中所公开的实例的支持存储器装置的存储器管理及删除解码的实例性电路200。电路200包含存储器单元105-a，存储器单元105-a可为参考图1所描述的存储器单元105的实例。电路200还包含感测放大器290，感测放大器290可为参考图1所描述的感测组件150的一部分。电路200还可包含字线205、数字线210及板线215，在一些实例中，字线205、数字线210及板线215可分别对应于参考图1所描述的(例如，存储器区段110的)第一存取线120、第二存取线130及第三存取线140。在一些实例中，板线215可说明同一存储器区段110的存储器单元105-a及另一存储器单元105(未展示)的共同板线、共同板或另一共同节点。电路200还可包含由感测放大器290使用以确定存储器单元105-a所存储的逻辑状态的参考线265。
61.如图2中所图解说明，感测放大器290可包含第一节点291及第二节点292，在一些实例中，第一节点291及第二节点292可与电路的不同存取线耦合(例如，分别与电路200的信号线260及参考线265耦合)，或在其它实例中可与不同电路(未展示)的共同存取线耦合。在一些实例中，第一节点291可被称为信号节点，且第二节点292可被称为参考节点。然而，存取线或参考线的其它配置可用于支持本文中所描述的技术。
62.存储器单元105-a可包含逻辑存储组件(例如，存储器元件、存储元件、存储器存储元件)，例如具有第一板、单元板221及第二板、单元底部222的电容器220。单元板221及单元底部222可通过位于其之间的介电材料电容性地耦合(例如，在dram应用中)，或通过位于其之间的铁电材料电容性地耦合(例如，在feram应用中)。单元板221可与电压v
plate
相关联，且单元底部222可与电压v
bottom
相关联，如电路200中所图解说明。在不改变存储器单元105-a的操作的情况下，单元板221及单元底部222的定向可不同(例如，翻转)。可经由板线215存取单元板221，且可经由数字线210存取单元底部222。如本文中所描述，可通过将电容器220充电、放电或极化而存储各种逻辑状态。
63.电容器220可电连接到数字线210，且可通过操作电路200中所表示的各种元件来读取或感测电容器220所存储的逻辑状态。举例来说，存储器单元105-a还可包含单元选择组件230，在一些实例中，所述单元选择组件230可被称为与存取线(例如，数字线210)及电容器220耦合或耦合于存取线与电容器220之间的切换组件或选择器装置。在一些实例中，单元选择组件230可被视为位于存储器单元105-a的说明性边界之外，且单元选择组件230可被称为与存取线(例如，数字线210)及存储器单元105-a耦合或耦合于存取线与存储器单元105-a之间的切换组件或选择器装置。
64.当激活单元选择组件230时(例如，通过激活逻辑信号)，电容器220可与数字线210选择性地耦合，且当撤销激活单元选择组件230时(例如，通过撤销激活逻辑信号)，电容器220可与数字线210选择性地隔离。可对单元选择组件230的控制节点235(例如，控制节点、控制端子、选择节点、选择端子)施加逻辑信号或其它选择信号或电压(例如，经由字线205、选择线)。换句话说，单元选择组件230可经配置以基于经由字线205施加到控制节点235的逻辑信号或电压将电容器220与数字线210选择性地耦合或解耦合。
65.激活单元选择组件230可被称为选择或激活存储器单元105-a，且撤销激活单元选择组件230可被称为取消选择或撤销激活存储器单元105-a。在一些实例中，单元选择组件230是晶体管且其操作可通过对晶体管栅极(例如，控制或选择节点或端子)施加激活电压来加以控制。用于激活晶体管的电压(例如，晶体管栅极端子与晶体管源极端子之间的电压)可以是大于晶体管的阈值电压量值的电压。字线205可用于激活单元选择组件230。举例来说，施加到字线205的选择电压(例如，字线逻辑信号或字线电压)可施加到单元选择组件230的晶体管的栅极，单元选择组件230可选择性地连接电容器220与数字线210(例如，提供电容器220与数字线210之间的导电路径)。在一些实例中，激活单元选择组件230可被称为选择性地耦合存储器单元105-a与数字线210。
66.在其它实例中，单元选择组件230与电容器220在存储器单元105-a中的位置可切换，使得单元选择组件230可与板线215及单元板221耦合或耦合于板线215与单元板221之间，且电容器220可与数字线210及单元选择组件230的另一端子耦合或耦合于数字线210与单元选择组件230的另一端子之间。在此实例中，单元选择组件230可通过电容器220与数字线210进行电子通信。此配置可与用于存取操作的替代时序及偏置相关联。
67.在采用铁电电容器220的实例中，电容器220在连接到数字线210时可或可不完全放电。在各种方案中，为感测由铁电电容器220存储的逻辑状态，可对板线215或数字线210施加电压，且可对字线205加偏置(例如，通过激活字线205)以选择存储器单元105-a。在一些情形中，在激活字线205之前，可将板线215或数字线210虚拟接地且然后与虚拟接地隔
离，这可被称为浮动状况、闲置状况或备用状况。
68.通过使去往单元板221的电压变化(例如，经由板线215)来操作存储器单元105-a可被称为“移动单元板”。对板线215或数字线210加偏置可跨越电容器220导致电压差(例如，数字线210的电压减去板线215的电压)。所述电压差可伴随着电容器220上所存储的电荷的改变(例如，由于在电容器220与数字线210之间共享电荷，由于在电容器220与板线215之间共享电荷)，其中所存储电荷的改变量值可取决于电容器220的初始状态(例如，初始电荷或逻辑状态存储的是逻辑1还是逻辑0)。在一些方案中，电容器220所存储的电荷的改变可导致数字线210或信号线260中的一或两者的电压的改变，此改变可由感测放大器290使用来确定存储器单元105-a所存储的逻辑状态。
69.数字线210可与额外存储器单元105(未展示)耦合，且数字线210可具有导致不可忽视的固有电容240(例如，大约数微微法拉(pf))的性质，所述固有电容240可将数字线210与电压源250-a耦合。电压源250-a可表示共同接地或虚拟接地电压或电路200的邻近存取线的电压(未展示)。尽管在图2中被图解说明为单独元件，但固有电容240可与遍及数字线210分布的性质相关联。
70.在一些实例中，固有电容240可取决于数字线210的物理特性，包含数字线210的导体尺寸(例如，长度、宽度、厚度)。固有电容240还可取决于邻近存取线或电路组件的特性、与此些邻近存取线或电路组件的接近度或数字线210与此些存取线或电路组件之间的绝缘特性。因此，在选择存储器单元105-a之后数字线210的电压的改变可取决于数字线210的净电容(例如，与净电容相关联)。换句话说，当电荷沿着数字线210流动(例如，流动到数字线210、从数字线210流动)时，可沿着数字线210存储一些有限电荷(例如，存储于固有电容240、与数字线210耦合的其它电容器或电容中)，且数字线210的所产生电压可取决于数字线210的净电容。
71.感测放大器290可比较在选择存储器单元105-a之后数字线210或信号线260的所产生电压与参考(例如，参考线265的电压)以确定存储器单元105-a中所存储的逻辑状态。在一些实例中，参考组件285可提供参考线265的电压。在其它实例中，可省略参考组件285且可例如通过存取存储器单元105-a以产生参考电压(例如，在自参考存取操作中)而提供参考电压。其它操作可用于支持对存储器单元105-a的选择或感测。
72.在一些实例中，电路200可包含信号生成组件280，信号生成组件280可以是与存储器单元105-a及感测放大器290耦合或耦合于存储器单元105-a与感测放大器290之间的信号生成电路的实例。在感测操作之前，信号生成组件280可放大或以其它方式转换数字线210的信号。信号生成组件280可包含(举例来说)晶体管、放大器、栅-阴放大器或任何其它电荷或电压转换器或放大器组件。在一些实例中，信号生成组件280可包含电荷转移感测放大器(ctsa)，所述电荷转移感测放大器可包含呈栅-阴配置或电压控制配置的一或多个晶体管。在具有信号生成组件280的一些实例中，感测放大器290与信号生成组件280之间的线可被称为信号线(例如，信号线260)。在一些实例(例如，具有或没有信号生成组件280的实例)中，数字线210可直接与感测放大器290电连接。
73.在一些实例中，电路200可包含旁路线270，旁路线270可准许选择性地绕过存储器单元105-a与感测放大器290之间的信号生成组件280或某一其它信号产生电路。在一些实例中，可通过切换组件275选择性地启用旁路线270。换句话说，当激活切换组件275时，数字
线210可经由旁路线270与信号线260耦合(例如，将存储器单元105-a与感测放大器290耦合)。
74.在一些实例中，当激活切换组件275时，信号生成组件280可与数字线210或信号线260中的一或两者选择性地隔离(例如，通过另一切换组件或选择组件，未展示)。当撤销激活切换组件275时，数字线210可经由信号生成组件280与信号线260选择性地耦合。在其它实例中，选择组件可用于选择性地耦合存储器单元105-a(例如，数字线210)与信号生成组件280或旁路线270中的一者。另外或替代地，在一些实例中，选择组件可用于选择性地耦合感测放大器290与信号生成组件280或旁路线270中的一者。在一些实例中，可选择旁路线270可支持通过使用信号生成组件280产生感测信号以用于检测存储器单元105-a的逻辑状态，且产生写入信号以将逻辑状态写入到绕过信号生成组件280的存储器单元105-a。
75.支持本文中所公开的技术的存储器装置100的一些实例可包含在存储器单元105与感测放大器290之间共享共同存取线(未展示)以支持从同一存储器单元105产生感测信号及参考信号的电路200。在一个实例中，信号生成组件280与感测放大器290之间的共同存取线可替代电路200中所图解说明的信号线260及参考线265。在此些实例中，共同存取线可在两个不同节点(例如，第一节点291及第二节点292，如本文中所描述)处连接到感测放大器290。在一些实例中，共同存取线可准许自参考读取操作以在信号产生操作及参考产生操作两者中共享可存在于感测放大器290与被存取的存储器单元105之间的组件。此配置可减小感测放大器290对存储器装置100中的各种组件(例如存储器单元105、存取线(例如，字线205、数字线210、板线215)、信号生成电路(例如，信号生成组件280)、晶体管、电压源250及其它)的操作变化的灵敏度。
76.尽管数字线210及信号线260被标识为单独的线，但数字线210、信号线260及连接存储器单元105与感测放大器290的任何其它线均可被称为单个存取线。在各种实例性配置中，出于图解说明中介性组件及中介性信号的目的，可单独地标识此存取线的构成部分。
77.感测放大器290可包含各种晶体管或放大器以检测、转换或放大信号差，这可被称为锁存。举例来说，感测放大器290可包含接收并比较第一节点291处的感测信号电压(例如，v
sig
)与第二节点292处的参考信号电压(例如，v
ref
)的电路元件。可基于感测放大器290处的比较将感测放大器的输出驱动到较高电压(例如，正电压)或较低电压(例如，负电压、接地电压)。
78.举例来说，如果第一节点291具有比第二节点292低的电压，那么可将感测放大器290的输出驱动到第一感测放大器电压源250-b的相对较低电压(例如电压v
l
，其可以是基本上等于v0的接地电压或可以是负电压)。包含感测放大器290的感测组件150可锁存感测放大器290的输出以确定存储器单元105-a中所存储的逻辑状态(例如，当第一节点291具有比第二节点292低的电压时，检测到逻辑0)。
79.如果第一节点291具有比第二节点292高的电压时，那么可将感测放大器290的输出驱动到第二感测放大器电压源250-c的电压(例如，电压vh)。包含感测放大器290的感测组件150可锁存感测放大器290的输出以确定存储器单元105-a中所存储的逻辑状态(例如，当第一节点291具有比第二节点292高的电压时，检测到逻辑1)。然后，可经由可包含穿过列组件135的输出的一或多个输入/输出(i/o)线(例如，i/o线295)或参考图1所描述的输入/输出组件160输出与存储器单元105-a的所检测到的逻辑状态对应的感测放大器290的经锁
存输出。
80.为对存储器单元105-a执行写入操作，可跨越电容器220施加电压。可使用各种方法。在一个实例中，可通过字线205(例如，通过激活字线205)激活单元选择组件230以将电容器220电连接到数字线210。可通过控制单元板221(例如，通过板线215)及单元底部222(例如，通过数字线210)的电压来跨越电容器220施加电压。
81.举例来说，为写入逻辑0，可将单元板221置于高电平(例如，对板线215施加正电压)，且可将单元底部222置于低电平(例如，将数字线210接地、将数字线210虚拟接地、对数字线210施加负电压)。可执行相反过程以写入逻辑1，其中将单元板221置于低电平且将单元底部222置于高电平。在一些情形中，在写入操作期间跨越电容器220施加的电压可具有等于或大于电容器220中的铁电材料的饱和电压的量值，使得将电容器220极化，且因此即使当所施加电压的量值减小时或在跨越电容器220施加零净电压的情况下仍维持电荷。在一些实例中，感测放大器290可用于执行写入操作，所述写入操作可包含将第一感测放大器电压源250-b或第二感测组件电压源250-c与数字线耦合。当感测放大器290用于执行写入操作时，可绕过或可不绕过信号生成组件280(例如，通过经由旁路线270施加写入信号)。
82.包含感测放大器290、单元选择组件230、信号生成组件280或参考组件285的电路200可包含各种类型的晶体管。举例来说，电路200可包含n型晶体管，其中对n型晶体管的栅极施加高于n型晶体管的阈值电压的相对正电压(例如，所施加电压相对于源极端子具有大于阈值电压的正量值)会启用n型晶体管的其它端子(例如，源极端子与漏极端子)之间的导电路径。
83.在一些实例中，n型晶体管可用作切换组件，其中所施加电压是逻辑信号，所述逻辑信号的用法是：通过施加相对高逻辑信号电压(例如，与逻辑1状态对应的电压，可与正逻辑信号电压供应器相关联)启用贯通晶体管的传导性，或通过施加相对低逻辑信号电压(例如，与逻辑0状态对应的电压，可与接地电压或虚拟接地电压相关联)停用贯通晶体管的传导性。在n型晶体管用作切换组件的一些实例中，施加到栅极端子的逻辑信号的电压可经选择以使晶体管在特定工作点处(例如，在饱和区中或在作用区中)操作。
84.在一些实例中，n型晶体管的行为可比逻辑切换更复杂，且跨越晶体管的选择性传导性还可随变化的源极电压及漏极电压而变。举例来说，在栅极端子处施加的电压可具有用于在源极端子电压低于特定电平(例如，低于栅极端子电压减去阈值电压)时启用源极端子与漏极端子之间的传导性的特定电压电平(例如，箝位电压)。当源极端子电压或漏极端子电压的电压升高到高于特定电平时，可撤销激活n型晶体管使得源极端子与漏极端子之间的导电路径断开。
85.另外或替代地，电路200可包含p型晶体管，其中对p型晶体管的栅极施加高于p型晶体管的阈值电压的相对负电压(例如，所施加电压相对于源极端子具有大于阈值电压的负量值)会启用p型晶体管的其它端子(例如，源极端子与漏极端子)之间的导电路径。
86.在一些实例中，p型晶体管可用作切换组件，其中所施加电压是逻辑信号，所述逻辑信号的用法是：通过施加相对低逻辑信号电压(例如，与逻辑“1”状态对应的电压，可与负逻辑信号电压供应器相关联)启用传导性，或通过施加相对高逻辑信号电压(例如，与逻辑“0”状态对应的电压，可与接地电压或虚拟接地电压相关联)停用传导性。在p型晶体管用作切换组件的一些实例中，施加到栅极端子的逻辑信号的电压可经选择以使晶体管在特定工
作点处(例如，在饱和区中或在作用区中)操作。
87.在一些实例中，p型晶体管的行为可比通过栅极电压进行的逻辑切换更复杂，且跨越晶体管的选择性传导性还可随变化的源极电压及漏极电压而变化。举例来说，在栅极端子处所施加的电压可具有用于只要源极端子电压高于特定电平(例如，高于栅极端子电压加阈值电压)便会启用源极端子与漏极端子之间的传导性的特定电压电平。当源极端子电压的电压降到低于特定电平时，可撤销激活p型晶体管使得源极端子与漏极端子之间的导电路径断开。
88.电路200的晶体管可以是场效晶体管(fet)，其包含金属氧化物半导体fet，所述金属氧化物半导体fet可被称为mosfet。这些及其它类型的晶体管可通过衬底上的材料掺杂区形成。在一些实例中，晶体管可形成于专用于电路200的特定组件的衬底上(例如，用于感测放大器290的衬底、用于信号生成组件280的衬底、用于存储器单元105-a的衬底)，或晶体管可形成于电路200的特定组件共同的衬底上(例如，感测放大器290、信号生成组件280及存储器单元105-a共同的衬底)。一些fet可具有包含铝或其它金属的金属部分，但一些fet(包含可被称为mosfet的那些fet)可实施其它非金属材料，例如多晶硅。此外，尽管氧化物部分可用作fet的介电部分，但其它非氧化物材料可用于fet(包含可被称为mosfet的那些fet)中的介电材料中。
89.尽管电路200图解说明相对于单个存储器单元105的一组组件，但电路200的各种组件可在存储器装置100中复制以支持各种操作。举例来说，为支持行存取或“页”存取操作，存储器装置100可被配置有感测放大器290、信号线260、信号生成组件280、数字线210或其它组件中的一或多者的多个，其中所述多个可根据可在行存取或“页”存取操作中(例如，在同时操作中)存取的存储器单元105的数量而配置。在各种实例中，一组此多个可对应于存储器装置100中的每一存储器区段110或以其它方式针对存储器装置100中的每一存储器区段110而重复，或此一组多个可在存储器装置中的一或多个存储器区段110当中共享。
90.在一个说明性实例中，对于支持256单元行存取(例如，共同存取256列)或256位页的存储器装置100，存储器装置100(例如，感测组件150)可包含至少一组256个感测放大器290、256个信号线260、256个信号生成组件280及256个数字线210，其中在一些实例中，可通过激活单个共同字线205来存取存储器区段110中的一组256个存储器单元105。在一些实例中，此重复可对应于单个存储器区段110，或可对应于多于一个存储器区段110。然而，组件的各种其它配置及组合可用于支持本文中所描述的技术的行存取操作或页存取操作或其中同时存取多个存储器单元105的其它操作。
91.在一些实例中，感测放大器290可无法区分存储器单元105-a被写入有一种逻辑状态还是另一逻辑状态(例如，存储器单元105-a存储的是逻辑1还是逻辑0)，或感测放大器290可在读取存储器单元105-a时检测到一种逻辑状态，但不同逻辑状态是被写入到存储器单元105-a(例如，在读取操作期间在存储器单元上检测到逻辑0，但存储器单元是被写入有逻辑1)。此种状况可与存储器单元105-a的不确定的信息状态相关联，且可与各种状况(例如，删除、电荷泄漏、信息状态降级(例如，存储器单元105-a的逻辑状态、电荷状态或材料状态的降级))或其它现象)有关。
92.在一些实例中，存储器单元105-a的不确定的信息状态可以是从电路200的一个部分到另一部分的电荷泄漏的结果。泄漏的可能原因包含制造缺陷、组件击穿(例如，薄膜晶
体管(tft)击穿或泄漏)、存储器单元耗损机制(例如，应力引发的泄漏电流(silc)、击穿(bd)电流)、电路200的元件的材料组成的改变或其它原因。举例来说，电荷可跨越单元选择组件230泄漏(例如，泄漏路径“a”)、跨越电容器220的介电材料泄漏(例如，泄漏路径“b”)，从存储器装置100的一个存取线到另一存取线泄漏(例如，从数字线210到另一存取线或底板接地的泄漏路径“c”)。未图解说明的其它实例可包含准许电荷在以下组件之间转移的其它泄漏路径：在包含电路200的存储器装置100的存储器单元105-a与另一组件之间、在包含电路200的存储器装置100的数字线210与另一组件之间(例如，在数字线210与另一数字线210(未展示)之间)，或在包含电路200的存储器装置100的信号线260与另一组件之间(例如，在信号线260与另一信号线260(未展示)之间)或其各种组合。在各种实例中，电荷泄漏可影响存储器单元105-a自身的信息状态或者产生或检测从存取存储器单元105-a所产生的信号(例如，读取信号)的能力，上述两种情况中的任一者或两者可与无法确定写入到存储器单元105-a的逻辑状态的读取操作相关联。
93.在支持本文中所描述的技术的存储器装置的一些实例中，电路200可包含一或多个泄漏检测组件201以检测电荷泄漏(例如，旨在被电隔离的组件之间的电荷转移)的存在或电平，例如与数字线210连接的泄漏检测组件201-a或与信号线260连接的泄漏检测组件201-b中的一者或两者。泄漏检测组件201可经配置以检测电路200中的电荷泄漏，例如高于阈值或以其它方式满足阈值(例如，高于将指示电路200的正常操作的阈值、指示电路200的一或多个元件的异常操作的电荷量泄漏)的泄漏或其它电荷转移。尽管泄漏检测组件201被图解说明为单独组件，但在一些实例中，泄漏检测组件201可包含于信号生成组件280中或包含于感测放大器290中，且泄漏检测组件201可与多个存取线连接或与存取线串联连接。
94.在一些实例中，泄漏检测组件201可经配置以通过识别(例如，存取线、存储器单元105的)电压改变或比较电压与参考电压或阈值(例如，使用感测放大器、多电平单元(mlc)锁存器、比较器或泄漏检测组件201的其它组件)检测电荷泄漏。举例来说，泄漏检测组件201-a可经配置以监测数字线210的电压，或泄漏检测组件201-b可经配置以监测信号线260的电压。在一些实例中，泄漏检测组件201可经配置以检测电荷流(例如，在此电荷流或高于阈值的电荷流将指示泄漏而非正常情况下与存取操作相关联的电荷转移的情境或状况下)。举例来说，泄漏检测组件201-a可经配置以检测沿着数字线210的电荷流，或泄漏检测组件201-b可经配置以检测沿着信号线260的电荷流，上述电荷流中的任一者可对应于跨越信号生成组件280的电荷流。在一些实例中，可通过监测跨越经配置以输送电荷流的分流电阻器的电压来支持检测电荷流(例如，当泄漏检测组件201与存取线或组件串联连接时)。
95.在一些实例中，泄漏检测组件201可经配置以检测单元特定电荷泄漏(例如，沿循路径“a”或“b”的电荷泄漏，其可特定于存储器单元105-a)，所述电荷泄漏可与共享数字线210的一组存储器单元105可共同的其它电荷泄漏(例如，沿循路径“c”的电荷泄漏)区分。在一些实例中，泄漏检测组件201可不经配置以对单元特定电荷泄漏与更通常与存取线相关联的其它电荷泄漏(例如，与数字线210相关联的电荷泄漏、与信号线260相关联的电荷泄漏、一组存储器单元105中的一或多者共同的电荷泄漏)加以区分。
96.在一些实例中，泄漏检测组件201可经配置以在(例如，存储器单元105-a的)存取操作期间或以其它方式至少部分地基于所述存取操作执行泄漏检测操作，这可包含在选择存储器单元105-a的同时(例如，在激活单元选择组件230的同时、在激活字线205的同时)执
行泄漏检测操作。泄漏检测组件201可因此与存储器控制器170、感测组件150、感测放大器290或字线205通信，这可支持泄漏检测组件201在存取操作的特定部分期间执行操作。在一些实例中，泄漏检测组件201可经配置以在存储器装置100的诊断模式期间或以其它方式至少部分地基于存储器装置100的诊断模式而执行泄漏检测操作，这可或可不包含于存取操作中或以其它方式与存取操作相关联。
97.在一些实例中，泄漏检测组件201可支持提供信息以支持选择性地执行直接写入操作或互补写入操作，这可包含将是否检测到泄漏的指示提供到存储器控制器170、感测组件150、感测放大器290或其它组件中的一或多者。在各种实例中，对执行直接写入操作还是互补写入操作的确定可基于单元特定电荷泄漏(例如，沿循路径“a”或路径“b”的电荷泄漏、与存储器单元105-a相关联的电荷泄漏、与电容器220相关联的电荷泄漏)、与特定存取线相关联的电荷泄漏(例如，沿循路径“c”的电荷泄漏、与数字线210或信号线260相关联的电荷泄漏)的检测或其它所检测到电荷泄漏或其组合。
98.在一些实例中，泄漏检测组件201可提供信息以支持识别与不确定逻辑状态相关联的存储器单元105-a或与存储器单元105-a耦合的存取线(例如，数字线210、信号线260)或以其它方式指示可能不确定逻辑状态的状况。举例来说，泄漏检测组件可包含将是否检测到泄漏的指示(例如，针对特定存储器单元105、针对特定存取线、针对特定存储器地址)提供到存储器控制器170、感测组件150、感测放大器290或其它组件中的一或多者。此信息可例如用于识别具有不确定或未经指派的信息状态的码字的信息位置(例如，在读取操作中产生)，所述信息位置随后可被指派以一或多个假定或推测性信息状态以根据本文中所公开的技术支持各种错误处置操作。
99.在一些实例中，泄漏检测组件201可包含存储是否检测到泄漏(例如，在存取操作期间)的指示的存储元件(例如，暂时性存储元件、锁存器、电容器、存储元件)。在一些实例中，所存储指示可对于最近存取操作被维持或以其它方式有效，且可响应于执行另一存取而被清除或复位。存储器控制器170可接收或请求是否检测到泄漏的指示，且随后，存储器控制器170或存储器装置100的某一其它部分可使用此指示来支持本文中所公开的技术的各种实例。
100.在一些实例中，存储器控制器170或存储器装置100的某一其它部分可存储执行哪种写入操作类型的指示，例如位翻转指示(例如，针对共享字线205的一或多个存储器单元105、一行存储器单元105、一页存储器单元105、一组存储器单元105)。位翻转指示可用于后续读取操作中以确定如何解释所感测逻辑状态(例如，直接解释所感测逻辑状态或解释为所述所感测逻辑状态的补数)。举例来说，取决于位翻转指示的状态，可直接提供i/o线295上的输出(例如，指示由存储器单元105-a存储的逻辑状态)或可将i/o线295上的输出反相(例如，指示由存储器单元105-a存储的逻辑状态的补数)。
101.图3a及3b根据本文中所公开的各种实例利用磁滞曲线300-a及300-b图解说明铁电存储器单元的非线性电性质的实例。磁滞曲线300-a及300-b可分别图解说明采用参考图2所描述的铁电电容器220的存储器单元105的写入过程及读取过程的实例。磁滞曲线300-a及300-b描绘存储于铁电电容器220上的电荷q随铁电电容器220的端子之间的电压差v
cap
变化(例如，当根据电压差v
cap
准许电荷流动到铁电电容器220中或从铁电电容器220流出时)。举例来说，电压差v
cap
可表示电容器220的数字线侧与电容器220的板线侧之间的电压差(例
如，v
bottom
–vplate
)。
102.铁电材料的特性在于其中材料可在不存在电场时维持非零电荷的电极化。铁电材料的实例包含钛酸钡(batio3)、钛酸铅(pbtio3)、钛酸铅锆(pzt)及钽酸锶铋(sbt)。本文中所描述的铁电电容器220可包含这些或其它铁电材料。铁电电容器220内的电极化在铁电材料的表面处形成净电荷，且吸引相反电荷通过铁电电容器220的端子。因此，电荷可存储于铁电材料与电容器端子的界面处。由于可在不存在外部施加电场时在相对长时间内、甚至无限期地维持电极化，因此与例如不具有铁电性质的电容器(例如一些dram阵列中所使用的电容器)相比，电荷泄漏可显著减少。采用铁电材料可减小对一些dram架构执行刷新操作的需要，使得维持feram架构的逻辑状态可与比维持dram架构的逻辑状态低的功耗相关联。
103.可从铁电电容器220的单个端子的角度理解磁滞曲线300-a及300-b。举例来说，如果铁电材料具有负极化，那么正电荷累积于铁电电容器220的相关联端子处。同样地，如果铁电材料具有正极化，那么负电荷累积于铁电电容器220的相关联端子处。另外，应理解，磁滞曲线300-a及300-b中的电压表示跨越电容器的电压差(例如，铁电电容器220的端子之间的电位)且具方向性。举例来说，可通过对相应端子(例如，单元底部222)施加正电压且将参考端子(例如，单元板221)维持于接地或虚拟接地(或大约零伏特(0v))来实现正电压。在一些实例中，可通过将相应端子维持于接地且对参考端子(例如，单元板221)施加正电压来施加负电压。换句话说，可施加正电压以跨越铁电电容器220达到负电压差v
cap
且借此将讨论中的端子负极化。类似地，可将两个正电压、两个负电压或正电压与负电压的任何组合施加到适当电容器端子以产生磁滞曲线300-a及300-b中所展示的电压差v
cap
。
104.如磁滞曲线300-a中所描绘，当铁电电容器220的端子之间不存在净电压差时，铁电电容器220中所使用的铁电材料可维持正或负极化。举例来说，磁滞曲线300-a图解说明两种可能极化状态：电荷状态305-a及电荷状态310-b，所述电荷状态305-a及电荷状态310-b可分别表示负饱和极化状态及正饱和极化状态。电荷状态305-a及310-a可处于图解说明剩余极化(pr)值的物理状况，其可以是指在移除外部偏置(例如，电压)之后仍存在的极化(或电荷)。根据磁滞曲线300-a的实例，当未跨越铁电电容器220施加电压差时电荷状态305-a可表示逻辑1，且当未跨越铁电电容器220施加电压差时电荷状态310-a可表示逻辑0。在一些实例中，相应电荷状态或极化状态的逻辑值可反转或以相反方式加以解释以适应操作存储器单元105的其它方案。
105.可通过控制铁电材料的电极化且因此控制电容器端子上的电荷、通过跨越铁电电容器220施加净电压差来将逻辑0或1写入到存储器单元。举例来说，电压315可以是等于或大于正饱和电压的电压，且跨越铁电电容器220施加电压315可致使电荷累积直到达到电荷状态305-b(例如，写入逻辑1)为止。在从铁电电容器220移除电压315(例如，跨越铁电电容器220的端子施加零净电压)之后，在跨越电容器的零电压下，铁电电容器220的电荷状态可沿循所展示的路径320，介于电荷状态305-b与电荷状态305-a之间。换句话说，电荷状态305-a可在跨越已正饱和的铁电电容器220的均衡电压下表示逻辑1状态。
106.类似地，电压325可以是等于或小于负饱和电压的电压，且跨越铁电电容器220施加电压325可致使电荷累积直到达到电荷状态310-b为止(例如，写入逻辑0)。在从铁电电容器220移除电压325(例如，跨越铁电电容器220的端子施加零净电压)之后，在跨越电容器的零电压下，铁电电容器220的电荷状态可沿循所展示的路径330，介于电荷状态310-b与电荷
状态310-a之间。换句话说，电荷状态310-a可在跨越已负饱和的铁电电容器220的均衡电压下表示逻辑0状态。在一些实例中，表示饱和电压的电压315及电压325可具有相同量值，但跨越铁电电容器220具有相反极性。
107.为读取或感测铁电电容器220所存储的状态，也可跨越铁电电容器220施加电压。响应于所施加电压，由铁电电容器存储的后续电荷q会发生改变且改变程度可取决于初始极化状态、所施加电压、存取线上的固有电容或其它电容及其它因素。换句话说，由读取操作所致的电荷状态或存取线电压可取决于最初存储的是电荷状态305-a还是电荷状态310-a抑或是某一其它电荷状态及其它因素。
108.磁滞曲线300-b图解说明读取所存储电荷状态305-a及310-a的存取操作的实例。可例如经由参考图2所描述的数字线210及板线215施加读取电压335作为电压差。磁滞曲线300-b可图解说明其中读取电压335是正电压差v
cap
(例如，其中v
bottom
–vplate
为正)的读取操作。跨越铁电电容器220的正读取电压可被称为“板低”读取操作，其中最初将数字线210置于高电压，且板线215最初处于低电压(例如，接地电压)。尽管读取电压335被展示为跨越铁电电容器220的正电压，但在替代存取操作中，读取电压可以是跨越铁电电容器220的负电压，这可被称为“板高”读取操作。
109.可在选择存储器单元105的同时(例如，通过经由参考图2所描述的字线205激活单元选择组件230)跨越铁电电容器220施加读取电压335。在对铁电电容器220施加读取电压335之后，电荷可经由相关联数字线210及板线215流动到铁电电容器220中或从铁电电容器220流出，且在一些实例中，可取决于铁电电容器220是处于电荷状态305-a(例如，逻辑1)还是处于电荷状态310-a(例如，逻辑0)抑或是处于某一其它电荷状态而形成不同电荷状态或存取线电压。
110.当在电荷状态305-a(例如，逻辑1)下对铁电电容器220执行读取操作时，额外正电荷可跨越铁电电容器220累积，且电荷状态可沿循路径340直到达到电荷状态305-c的电荷及电压为止。流过电容器220的电荷量可与数字线210的固有电容或其它电容(例如，参考图2所描述的固有电容240)或其它存取线(例如，信号线260)的固有电容或其它电容相关。在“板低”读取配置中，与电荷状态305-a及305-c相关联的读取操作或更通常来说与逻辑1状态相关联的读取操作可与相对小电荷转移量相关联(例如，和与电荷状态310-a及310-c或更通常来说与逻辑0状态相关联的读取操作相比来说)。
111.如电荷状态305-a与电荷状态305-c之间的转变所展示，由于在电容器220处在给定电荷改变情况下，电压改变是相对大的，因此跨越铁电电容器220的所产生电压350可以是相对大正值。因此，在于“板低”读取操作中读取逻辑1之后，在电荷状态310-c下等于v
pl
与v
cap
(例如，v
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–vplate
)的和的数字线电压可以是相对高电压。此读取操作可不改变存储电荷状态305-a的铁电电容器220的剩余极化，且因此在执行读取操作之后当移除读取电压335(例如，通过跨越铁电电容器220施加零净电压，通过使跨越铁电电容器220的电压均衡化)时，铁电电容器220可经由路径340返回到电荷状态305-a。因此，利用正读取电压对具有电荷状态305-a的铁电电容器220执行读取操作可被视为非破坏性读取过程。
112.当对处于电荷状态310-a(例如，逻辑0)的铁电电容器220执行读取操作时，由于净正电荷跨越铁电电容器220累积起来因此所存储电荷可反转极性，且电荷状态可沿循路径360直到达到电荷状态310-c的电荷及电压。流过铁电电容器220的电荷量可再次与数字线
210的固有电容或其它电容(例如，参考图2所描述的固有电容240)相关。在“板低”读取配置中，与电荷状态310-a及310-c相关联的读取操作或更通常来说与逻辑0状态相关联的读取操作可与相对大电荷转移量相关联(例如，和与电荷状态305-a及305-c或更通常来说与逻辑1状态相关联的读取操作相比)。
113.如电荷状态310-a与电荷状态310-c之间的转变所展示，在一些情形中由于在电容器220处在给定电荷改变的情况下电压改变是相对小的，因此所产生电压355可以是相对小正值。因此，在于“板低”读取操作中读取逻辑之后，在电荷状态310-c下等于v
pl
与v
cap
(例如，v
bottom
–vplate
)的和的数字线电压可以是相对低电压。
114.从电荷状态310-a到电荷状态310-d的转变可说明与存储器单元105的铁电电容器220的极化或电荷的部分减小或部分反转(例如，从电荷状态310-a到电荷状态310-d电荷q的量值的减小)相关联的感测操作。换句话说，根据铁电材料的性质，在执行读取操作之后，当移除读取电压335(例如，通过跨越铁电电容器220施加零净电压、通过使跨越铁电电容器220的电压均衡化)时，铁电电容器220可不返回到电荷状态310-a。更确切来说，当在利用读取电压335进行电荷状态310-a的读取操作之后跨越铁电电容器220施加零净电压时，电荷状态可沿循从电荷状态310-c到电荷状态310-d的路径365，这图解说明极化量值的净减小(例如，比初始电荷状态310-a小的正极化电荷状态，由电荷状态310-a与电荷状态310-d之间的电荷差所图解说明)。因此，利用正读取电压对具有电荷状态310-a的铁电电容器220执行读取操作可被描述为破坏性读取过程。然而，在一些感测方案中，减小的剩余极化仍可被读取为与饱和剩余极化状态相同的所存储逻辑状态(例如，支持从电荷状态310-a及电荷状态310-d两者检测逻辑0)，借此就读取操作来说为存储器单元105提供一定程度的非易失性。
115.在起始读取操作之后电荷状态305-c及电荷状态310-c的位置可取决于若干个因素，包含特定感测方案及电路系统。在一些情形中，最终电荷可取决于与存储器单元105耦合的数字线210的净电容，所述净电容可包含固有电容240、积分器电容器及其它。举例来说，如果铁电电容器220与处于0v的板线215电耦合且对数字线210施加读取电压335，那么当存储器单元105被选定时，由于电荷从数字线210的净电容流动到铁电电容器220，因此数字线210的电压可下降。因此，在一些实例中，在感测组件150处测量的电压可不等于读取电压335或所产生电压350或355，而是可取决于在电荷共享周期之后数字线210的电压。
116.在起始读取操作之后电荷状态305-c及电荷状态310-c在磁滞曲线300-b上的位置可取决于数字线210的净电容且可通过负载线分析来确定。换句话说，电荷状态305-c及310-c可相对于数字线210或其它存取线(例如，信号线260)的净电容来界定。因此，在起始读取操作之后铁电电容器220的电压(例如，在读取存储电荷状态305-a的铁电电容器220时的电压350、在读取存储电荷状态310-a的铁电电容器220时的电压355)可不同且可取决于铁电电容器220的初始状态。在一些实例中，可根据特定感测方案选择存储器单元105的铁电电容器220的极化由于感测操作的改变量。在一些实例中，使存储器单元105的铁电电容器220的极化发生较大改变的感测操作可与检测存储器单元105的逻辑状态的相对较大稳健性(例如，更宽感测余裕)相关联。
117.可通过比较从读取操作所产生的数字线210(或信号线260，在适用情况下)的电压与参考电压(例如，经由参考图2所描述的参考线265或经由共同存取线)来确定铁电电容器
220的初始状态(例如，电荷状态、逻辑状态)。在一些实例中，数字线电压可以是板线电压与跨越铁电电容器220的最终电压(例如，在读取具有所存储电荷状态305-a的铁电电容器220时的电压350或在读取具有所存储电荷状态310-a的铁电电容器220时的电压355)的和。在一些实例中，数字线电压可以是读取电压335与跨越电容器220的最终电压之间的差(例如，当读取具有所存储电荷状态305-a的铁电电容器220时(读取电压335
–
电压350)；当读取具有所存储电荷状态310-a的铁电电容器220时(读取电压335
–
电压355))。
118.在一些实例中，存储器单元105的读取操作可与数字线210的固定电压相关联，其中无论铁电电容器220的初始电荷状态如何，在起始读取操作之后，铁电电容器220的电荷状态可相同。举例来说，在数字线210保持在固定读取电压335下的读取操作中，铁电电容器220可针对铁电电容器最初存储电荷状态305-a的情形及铁电电容器最初存储电荷状态310-a的情形两者而继续到电荷状态370。因此，不使用数字线210的电压差来检测初始电荷状态或逻辑状态，而是在一些实例中，可至少部分地基于与读取操作相关联的电荷差确定铁电电容器220的初始电荷状态或逻辑状态。举例来说，如磁滞曲线300-b所图解说明，可基于电荷状态305-a与电荷状态370之间的电荷q的差(例如，相对小电荷转移量)检测到逻辑1，且可基于电荷状态310-a与电荷状态370之间的电荷q的差(例如，相对大电荷转移量)检测到逻辑0。
119.在一些实例中，数字线210与信号线260之间的电荷转移感测放大器、栅-阴放大器(例如，以栅-阴布置配置的晶体管)或其它信号生成电路系统可支持此检测，其中信号线260的电压可至少部分地基于在起始读取操作之后电容器220的电荷转移量(例如，其中所描述电荷转移可对应于通过电荷转移感测放大器、栅-阴放大器或其它信号生成电路系统的电荷量)。在此些实例中，尽管数字线210保持在固定电压电平下，但仍可比较信号线260的电压与参考电压(例如，在感测放大器290处)以确定最初由铁电电容器220存储的逻辑状态。
120.在数字线210保持于固定读取电压335下的一些实例中，无论电容器220最初处于电荷状态305-a(例如，逻辑1)还是最初处于电荷状态310-a(例如，逻辑0)，在读取操作之后，电容器220均可以是正饱和的。因此，在此读取操作之后，无论电容器220的初始逻辑状态或预期逻辑状态如何，均可根据逻辑1状态将电容器220至少暂时地充电。因此，至少当电容器220预期存储逻辑0状态时可需要重写操作，其中此重写操作可包含施加写入电压325以存储逻辑0状态，如参考磁滞曲线300-a所描述。此些重写操作可被配置或以其它方式描述为选择性重写操作，这是因为当电容器220预期存储逻辑1状态时，可不需要施加重写电压。在一些实例中，此存取方案可被称为“2pr”方案，其中用于区分逻辑0与逻辑1的电荷差可等于存储器单元105的剩余极化的两倍(例如，电荷状态305-a(正饱和电荷状态)与电荷状态310-a(负饱和电荷状态)之间的电荷差)。
121.在一些感测方案中，可产生参考电压，使得所述参考电压介于可从读取不同逻辑状态所产生的可能电压(例如，数字线210的可能电压、信号线260的可能电压)之间。举例来说，参考电压可经选择以低于在读取逻辑1时数字线210或信号线260的所产生电压，且高于在读取逻辑0时数字线210或信号线260的所产生电压。在其它实例中，可在感测组件150或感测放大器290的与耦合数字线210或信号线260的部分不同的部分处进行比较，且因此参考电压可经选择以低于在读取逻辑1时感测组件150或感测放大器290的比较部分处的所产
生电压，且高于在读取逻辑0时感测组件150或感测放大器290的比较部分的所产生电压。在通过感测组件150或感测放大器290进行比较期间，可确定基于感测的电压高于或低于参考电压，且因此可确定存储器单元105所存储的逻辑状态(例如，逻辑0、逻辑1)。
122.在感测操作期间，从读取各种存储器单元105所产生的信号可随各种存储器单元105之间的制造差异或操作差异而变化。举例来说，各种存储器单元105的电容器220可具有不同电容电平或饱和极化电平，使得逻辑1可在一个存储器单元与下一存储器单元间与不同电荷电平相关联，且逻辑0可在一个存储器单元与下一存储器单元间与不同电荷电平相关联。此外，固有电容或其它电容(例如，参考图2所描述的固有电容240)可在存储器装置中的一个数字线210与另一数字线210间有所不同，可在一个信号线260与另一信号线260间有所不同，且在数字线210内从位于同一数字线210上的一个存储器单元105与下一存储器单元105的角度来看，所述固有电容或其它电容也可有所不同。因此，出于这些及其它原因，读取逻辑1可在一个存储器单元105与另一存储器单元105间与数字线210或信号线260的不同电压电平相关联(例如，所产生电压350可在读取一个存储器单元105与读取下一存储器单元105之间有所不同)，且读取逻辑0可在一个存储器单元105与另一存储器单元105间与不同电压电平相关联(例如，所产生电压355可在读取一个存储器单元105与读取下一存储器单元105之间有所不同)。
123.在一些实例中，可提供介于与读取逻辑1相关联的电压的统计平均值和与读取逻辑0相关联的电压的统计平均值之间的参考电压，但所述参考电压可相对更接近针对任何给定存储器单元105读取逻辑状态中的一者所产生的电压。读取特定逻辑状态所产生的电压(例如，作为读取存储器装置的多个存储器单元105的统计值)与参考电压的相关联电平之间的最小差可被称为“最小读取电压差”或“读取余裕”，且具有低的最小读取电压差或读取余裕可与可靠地感测给定存储器装置100中的存储器单元105的逻辑状态的困难度或灵敏度相关联。
124.在一些存储器装置100中，电荷泄漏(例如，高于阈值的电荷泄漏)可对存储器装置100确定由存储器单元105存储的逻辑状态的能力造成负面影响。举例来说，根据磁滞曲线300-b就利用数字线210上的固定读取电压335的读取操作来说，当读取存储逻辑0的存储器单元105时，电荷泄漏可叠加于电荷状态310-a与电荷状态370之间的电荷差上，且当读取存储逻辑1的存储器单元105时，电荷泄漏可叠加于电荷状态305-a与电荷状态370之间的电荷差上。在一些实例中，在读取存储器单元105时，所叠加的电荷泄漏可减小将逻辑0与逻辑1进行区分的余裕。举例来说，存储器单元105、数字线210或信号线260的电荷泄漏可在读取逻辑1及逻辑0两者时增大信号线260的电压位于参考电压的同一侧上的可能性。换句话说，此电荷泄漏可增大写入有逻辑1的存储器单元105被不正确地读取为存储逻辑0的可能性。
125.在一些实例中，存储器装置100可识别与一或多个存储器单元105或存取线(例如，数字线210、信号线260)相关联的电荷泄漏，且可确定是否要特意地将由存储器单元105存储的逻辑状态反相使得在存在电荷泄漏时更可能恰当地读取逻辑状态。举例来说，存储器装置100可在存取操作(例如，存取操作的读取部分、存取操作的写入部分)期间确定由存储器单元105存储的逻辑状态，且还检测存储器单元105或相关存取线是否与电荷泄漏相关联(例如，在存取操作的泄漏检测部分期间)。在一些情形中，存储器装置100可部分地基于检测到电荷泄漏而确定将所检测到的逻辑状态的补数(例如，不同逻辑状态，经反相逻辑状
态、相反逻辑状态)写入到给定存储器单元105或包含所述给定存储器单元105的一组存储器单元105。
126.在一些实例中，确定写入逻辑状态的补数可基于所检测到的逻辑状态与第一电荷转移量(例如，对于逻辑1，电荷状态305-c与305-a之间的电荷差或电荷状态370与305-a之间的电荷差，取决于存取操作或相关联电路系统的类型)相关联，且逻辑状态的补数与大于第一电荷转移量的第二电荷转移量(例如，对于逻辑0，电荷状态310-c与310-a之间的电荷差或电荷状态370与310-a之间的电荷差，取决于存取操作或相关联电路系统的类型)相关联。举例来说，根据磁滞曲线300-a及300-b，基于识别出存储器单元105存储逻辑1(例如，根据写入操作或读取操作)且检测到与存储器单元105相关联的电荷泄漏(例如，连接到存储器单元105的数字线210或信号线260的电荷泄漏、在写入操作或读取操作期间检测到的电荷泄漏)，相关联存储器装置可确定替代地以逻辑0(例如，所识别逻辑1的补数)写入存储器单元105。
127.伴随着将互补逻辑状态(例如，逻辑0)写入到存储器单元105，存储器装置100还可存储所检测到的逻辑状态的补数被写入到至少存储器单元105的指示，例如位翻转指示。在各种实例中，此位翻转指示可对应于包含被检测到相关联电荷泄漏的存储器单元105的一组一或多个存储器单元105(例如，单个单元的指示、对应于多个存储器单元105的指示、对应于一行存储器单元105的指示、对应于一页存储器单元105的指示、对应于共享字线205的一组存储器单元105的指示)。举例来说，存储器装置100可存储此指示(例如，在存储器控制器170处、在存储器控制器170可存取的存储器装置100的存储组件处)以跟踪存储器单元105或一组存储器单元105已被编程有直接逻辑状态还是互补逻辑状态(例如，经翻转状态)。此指示可用于后续读取操作中以在读取存储器装置100的信息时恰当地解释所述一组的一或多个存储器单元105的已改变逻辑状态(例如，基于位翻转指示确定是直接解释由存储器单元105存储的逻辑状态还是将对由存储器单元105存储的互补逻辑状态的解释反相或以其它方式改变)。因此，可通过改变由存储器单元105存储的逻辑状态(例如，在重写操作期间)且在后续读取操作中跟踪此改变来考量所检测到电荷泄漏，这可避免原本可由电荷泄漏所致的对由存储器单元105存储的信息的不正确解释。
128.图4图解说明根据本文中所公开的实例的支持存储器管理及删除解码的电路400的实例。电路400包含用于感测存储器单元105-b的逻辑状态的感测放大器290-a。可经由数字线210-a及信号线260-a在感测放大器290-a与存储器单元105-b之间传达电荷或其它信号，数字线210-a与信号线260-a可组合地被称为存储器单元105-b的单个存取线。存取线的信号可通过数字线210-a上的电压v
dl
及信号线260-a上的电压v
sig
图解说明，如所展示。
129.实例性电路400可包含耦合于数字线210-a与信号线260-a之间的放大器405，所述放大器405可由电压源410-l启用。在各种实例中，放大器405可以是信号生成组件280的实例，或以其它方式包含为信号生成组件280的部分。电路400还可包含：字线205-a，其用于选择或取消选择存储器单元105-b(例如，通过逻辑信号wl)；及参考线265-a，其用于提供参考信号(例如v
ref
，如所展示)以供在检测存储器单元105-b的逻辑状态时与信号线260-a的信号比较。电路400还可包含用于存取存储器单元105-b的电容器的单元板的板线215-a。因此，存储器单元105-b可表示耦合于第一存取线(例如，数字线210-a及信号线260-a)与第二存取线(例如，板线215-a)之间的存储器单元105。
130.电路400可包含各种电压源410，所述各种电压源410可与包含实例性电路400的存储器装置的各种电压供应器或共同接地点或虚拟接地点耦合。
131.电压源410-a可表示共同接地点(例如，底板接地、中性点)，可与具有电压v0的共同参考电压相关联，依据所述共同接地点界定其它电压。电压源410-a可经由数字线210-a的固有电容240-a与数字线210-a耦合。
132.具有电压v1的电压源410-b可表示板线电压源，且可经由存储器单元105-b的板线215-a与存储器单元105-b耦合。在一些实例中，可针对存取操作(例如读取或写入操作，包含参考图3a及3b的磁滞曲线300-a及300-b所描述的那些操作)对电压源410-b加以控制。换句话说，在一些实例中，电压源410-b可以是可变电压源，其中电压v1可具有多个电平。
133.具有电压v2的电压源410-c可表示数字线电压源，且可经由切换组件420-a与数字线210-a耦合，切换组件420-a可通过逻辑信号sw1激活或撤销激活。
134.具有电压v3的电压源410-d可表示信号线预充电电压源，且可经由切换组件420-c与信号线260-a耦合，切换组件420-c可通过逻辑信号sw3激活或撤销激活。
135.具有电压v4的电压源410-e可表示参考信号电压源，且可经由切换组件420-f与参考线265-a耦合，切换组件420-f可通过逻辑信号sw6激活或撤销激活。
136.具有电压v
11
的电压源410-l可表示放大器或栅-阴放大器电压源，且可与放大器405耦合。在一些实例中，放大器405可以是晶体管，且电压源410-l可与所述晶体管的栅极耦合。放大器405可在第一端子处与信号线260-a耦合，且在第二端子处与数字线210-a耦合。放大器405可在数字线210-a与信号线260-a之间提供电荷、电压或其它信号的转换。
137.放大器405可在数字线210-a的电压减小时(例如，在选择存储器单元105-b时)，在由电压源410-l馈电或启用时准许电荷(例如，电荷、电流)从信号线260-a流动到数字线210-a。在一些实例中，所描述的跨越放大器405的电荷流可对应于与存储器单元105-b的逻辑状态相关联的电荷转移或以其它方式与存取存储器单元105-b相关联的电荷转移。举例来说，当存储器单元105-b包含铁电电容器(如磁滞曲线300-a及300-b所图解说明)且放大器405经配置以将数字线210-a的电压维持为读取电压335时，当存储器单元105-b存储了逻辑1时，跨越放大器405的电荷流(例如，在读取操作期间)可对应于或以其它方式至少部分地基于电荷状态370与305-a之间的电荷差q，且当存储器单元105-b存储了逻辑0时，跨越放大器405的电荷流可对应于或以其它方式至少部分地基于电荷状态370与310-a之间的电荷差q。
138.电路400还可包含第一积分器电容器430-a及第二积分器电容器430-b，所述第一积分器电容器430-a及第二积分器电容器430-b可各自与相应可变电压源450耦合。举例来说，第一积分器电容器430-a可在第一端子431-a处与信号线260-a耦合，且在第二端子432-a处与可变电压源450-a耦合。第二积分器电容器430-b可在第一端子431-b处与参考线265-a耦合，且在第二端子432-b处与可变电压源450-b耦合。
139.在一些实例中，跨越放大器405的电荷流可伴随着信号线260-a的电压改变。举例来说，当信号线260-a不以其它方式与电压源耦合时，去往数字线210-a的相对小电荷流可与信号线260-a的相对小电压改变相关联，而去往数字线210-a的相对大电荷流可与信号线260-a的相对大电压改变相关联。与存取操作相关联的信号线260-a的电压改变可基于信号线260-a的净电容(例如，包含积分器电容器430-a)，其中在选择存储器单元105-b之后，信
号线260-a可取决于跨越放大器405的电荷流经受相对小电压改变或相对大电压改变。
140.在各种实例中，放大器405可关于放大器405如何响应于数字线210-a的电压或电荷转移调节电荷流被称为“电压调节器”或“偏置组件”。在一些实例中，放大器405或放大器405与积分器电容器430-a的组合可被称为电荷转移感测放大器。放大器405可通过切换组件420-b与数字线210-a隔离，切换组件420-b可通过逻辑信号sw2激活或撤销激活。在一些实例中，切换组件420-b可以是列组件135、多路复用器或经配置以将数字线210-a与放大器405或信号线260-a选择性地耦合的某一其它电路系统的部分。
141.在电路400的实例中，可变电压源450-a可包含具有电压v5的电压源410-f及具有电压v6的电压源410-g，所述电压源可由切换组件420-d通过逻辑信号sw4选择来与第一积分器电容器430-a连接。在一些实例中，电压源410-f可与共同接地点(未展示)耦合。在其它实例中，电压源410-f可与提供正电压或负电压的电压供应器耦合。电压源410-g可与具有比电压源410-f的电压高的电压的电压供应器耦合，这可根据电压源410-g与410-f之间的电压差提供电压增压功能，所述电压差等于v6–v5
或在电压源410-f接地时简单地是v6。
142.在电路400的实例中，可变电压源450-b可包含具有电压v7的电压源410-h及具有电压v8的电压源410-i，所述电压源可由切换组件420-e通过逻辑信号sw5选择来与第二积分器电容器430-b连接。在一些实例中，电压源410-h可与共同接地点(未展示)耦合。在其它实例中，电压源410-h可与提供正电压或负电压的电压供应器耦合。电压源410-i可与具有比电压源410-h的电压高的电压的电压供应器耦合，这可根据电压源410-i与410-h之间的电压差提供电压增压功能，所述电压差等于v8–v7
或在电压源410-h接地时简单地是v8。
143.在各种实例中，电路400的一或多个组件可包含于信号生成电路系统(例如，参考图2所描述的信号生成组件280)中或以其它方式被视为信号生成电路系统的部分。举例来说，电压源410-c、切换组件420-a、切换组件420-b、放大器405、电压源410-l、电压源410-d、切换组件420-c、可变电压源450-a或积分器电容器430-a中的任一者或多者可包含于信号生成组件280中或以其它方式被视为位于此信号生成组件280的说明性边界内。
144.尽管电路400被展示为包含两个可变电压源450，但根据本公开的一些配置可包含单个共同可变电压源450。举例来说，当撤销激活共同可变电压源450的切换组件420时，共同可变电压源450的第一电压源410可与第一积分器电容器430-a的第二端子432-a及第二积分器电容器430-b的第二端子432-b两者耦合；且当激活共同可变电压源450的切换组件420时，共同可变电压源450的第二电压源410可与第一积分器电容器430-a的第二端子432-a及第二积分器电容器430-b的第二端子432-b两者耦合。在使用共同可变电压源450的一些实例中，由于可变电压源450与积分器电容器430中的每一者之间在电路(例如，导体长度、宽度、电阻、电容)上存在差异，因此提供到第一积分器电容器430-a的第二端子432-a的源电压可不同于提供到第二积分器电容器430-b的第二端子432-b的源电压。
145.此外，尽管可变电压源450被图解说明为包含两个电压源410及切换组件420，但支持本文中的操作的可变电压源450可包含其它配置，例如将可变电压提供到第一积分器电容器430-a的第二端子432-a及第二积分器电容器430-b的第二端子432-b中的一或两者的电压缓冲器。在其它实例中，可变电压源450可被替换成固定电压源或其它类型的电压源。另外或替代地，存取操作可省略所描述的电压增压操作。
146.为支持本文中所描述的各种操作，可将感测放大器290-a与电路400的若干部分隔
离。举例来说，感测放大器290-a可经由切换组件420-g(例如，隔离组件)与信号线260-a耦合，切换组件420-g可通过逻辑信号iso1激活或撤销激活。另外或替代地，感测放大器290-a可经由切换组件420-h(例如，隔离组件)与参考线265-a耦合，切换组件420-h可通过逻辑信号iso2激活或撤销激活。此外，感测放大器290-a可与具有电压v9的电压源410-j及具有电压v
10
的电压源410-k耦合，电压源410-j及电压源410-k可分别是参考图2所描述的感测放大器电压源250-b及250-c的实例。
147.电路400中所图解说明的逻辑信号中的每一者可由存储器控制器(未展示)(例如，参考图1所描述的存储器控制器170)提供。在一些实例中，特定逻辑信号可由其它组件提供。举例来说，逻辑信号wl可由可包含于参考图1所描述的行组件125中的行解码器(未展示)提供。
148.在各种实例中，电压源410可与包含实例性电路400的存储器装置的电压供应器或共同接地点或虚拟接地点的不同配置耦合。举例来说，在一些实例中，电压源410-a、410-f、410-h或410-j或其任何组合可与同一接地点或虚拟接地点耦合，且可为存取存储器单元105-b的各种操作提供基本上相同参考电压。在一些实例中，数个电压源410可与存储器装置的同一电压供应器耦合。举例来说，在一些实例中，电压源410-c、410-d、410-g、410-i或410-k或其任何组合可与具有特定电压(例如1.5v的电压，其可被称为“vary”)的电压供应器耦合。在此些实例中，在经由字线205-a选择要感测的存储器单元105-b之前，可将信号线260-a增压到基本上等于2*vary或大约3.0v的电压。在其它实例中，电压源410-g及410-i可与不同于其它电压供应器的电压供应器(例如，1.2v的电压，可被称为“pds”)耦合，所述不同的电压供应器可因此与1.2v的电压增压相关联。
149.在一些实例中，可根据特定输入/输出参数选择电压源410-j及410-k。举例来说，根据特定输入/输出组件惯例(例如，一些dram惯例)，电压源410-j及410-k可基本上分别处于0v及1v。尽管电压源410可与共同电压供应器或接地点耦合，但由于相应电压源410与相关联共同电压供应器或共同接地点之间在电路(例如，导体长度、宽度、电阻、电容)上存在各种差异，因此与共同电压供应器或共同接地点耦合的电压源410中的每一者的电压可有所不同。
150.电压源410-e可提供参考电压以用于感测存储器单元105-b的逻辑状态。举例来说，电压v4可被配置为与感测逻辑1及逻辑0相关联的信号线电压之间的平均值。在一些实例中，电压v4可被提供为从存储器装置的电压供应器降低的电压，所述电压供应器可以是与其它电压源410耦合的同一电压供应器。举例来说，可通过将电压源410-e和电压源410-d与同一电压供应器连接而提供v4，但在电压供应器与电压源410-e之间具有中间电负载(例如，电阻式负载或电容)。
151.电路400还可包含泄漏检测组件201-c，泄漏检测组件201-c可经配置以检测与存储器单元105-b、数字线210-a、放大器405或信号线260-a中的一或多者相关联的电荷泄漏。举例来说，泄漏检测组件201-c可经配置以监测信号线260-a的电压(例如，v
sig
)，且通过识别信号线260-a的电压改变或通过比较电压与参考电压或阈值(例如，使用感测放大器、多电平单元(mlc)锁存器、比较器)来检测电荷泄漏。举例来说，泄漏检测组件201-c可经配置以在信号线260-a的电压应是或原本预期是稳定的或高于阈值(例如，在数字线210-a或信号线260-a上的信号已生成或原本应是稳定的)的状况期间识别信号线260-a的电压下降。
在一些实例中，识别此电压下降可指示电荷正在跨越放大器405(例如，通过电压源410-l启用)流动或从积分器电容器430-a流出，此情形可响应于数字线210-a的电压由于沿着路径“a”或“b”的电荷泄漏而下降。尽管被图解说明为单独组件，但在一些实例中，泄漏检测组件201-c可包含于感测放大器290-a中。
152.在一些实例中，电荷泄漏可对感测放大器290检测由存储器单元105-a存储的逻辑状态的能力造成负面影响。因此，根据所描述的技术，包含电路400的存储器装置可经配置以基于对电路400中的电荷泄漏的检测(例如，通过泄漏检测组件201-c进行)确定是将直接逻辑状态存储到存储器单元105-b还是将互补逻辑状态存储到存储器单元105-a。在一些实例中，电路400可经配置以评估存储器单元105-b是否与不确定的信息状态相关联，其中此评估可用于提高各种错误修复技术。
153.图5展示图解说明根据本文中所公开的实例支持存储器装置的存储器管理及删除解码的实例性存取程序的操作的时序图500。实例性存取程序是参考实例性电路400的组件加以描述，实例性电路400是参考图4描述。
154.在时序图500的实例中，电压源410-a、410-f、410-h及410-j被视为是接地的，且因此处于零电压(例如，v0＝0v，v5＝0v，v7＝0v且v9＝0v)。然而，在其它实例中，电压源410-a、410-f及410-h可处于非零电压，且因此可相应地对时序图500的电压做出调整。在一些实例中，在起始时序图500的操作之前，数字线210-a及板线215-a可被控制成相同电压，这可将跨越存储器单元105-b的电荷泄漏最小化。举例来说，根据时序图500，数字线210-a具有0v的初始电压，这可与板线215-a的初始电压相同。在其它实例中，数字线210-a及板线215-a可具有与接地电压不同的某一其它初始电压。
155.在501处，存取程序可包含激活切换组件420-c(例如，通过激活逻辑信号sw3)。激活切换组件420-c可连接电压源410-d与信号线260-a，且因此信号线260-a的电压可由于电荷流动到积分器电容器430-a中而上升到电压电平v3。因此，激活切换组件420-c可起始对积分器电容器430-a的预充电操作。举例来说，在501处，可撤销激活切换组件420-d，使得电压源410-f(例如，处于0v的接地电压或虚拟接地电压)与积分器电容器430-a的第二端子432-a耦合，且电压源410-d与积分器电容器430-a的第一端子431-a耦合。因此，可根据电压源410-d与电压源410-f之间的电压差给积分器电容器430-a充电。
156.在502处，存取程序可包含激活切换组件420-f(例如，通过激活逻辑信号sw6)。激活切换组件420-f可连接电压源410-e与参考线265-a，且因此参考线265-a的电压可由于电荷流动到积分器电容器430-b中而上升到电压电平v4。因此，激活切换组件420-f可起始对积分器电容器430-b的预充电操作。举例来说，在502处，可撤销激活切换组件420-e，使得电压源410-h(例如，处于0v的接地电压或虚拟接地电压)与积分器电容器430-b的第二端子432-b耦合，且电压源410-e与积分器电容器430-b的第一端子431-b耦合。因此，可根据电压源410-e与电压源410-h之间的电压差给积分器电容器430-b充电。
157.在503处，存取程序可包含激活切换组件420-b(例如，通过激活逻辑信号sw2)。激活切换组件420-b可起始对数字线210-a的预充电操作。举例来说，激活切换组件420-b可连接信号线260-a与数字线210-a，数字线210-a可通过固有电容240-a与电压源410-a(例如，接地电压或虚拟接地电压)耦合。当由电压源410-d馈电时，电荷可流过放大器405且积聚于数字线210-a上，从而使得数字线210-a上的电压上升。数字线210-a的电压可上升，直到不
再超出放大器405的阈值电压(例如，阈值电压v
th,amp
)为止。因此，在激活切换组件420-b之后，由于电荷从信号线(例如，由电压源410-d馈电)流动，因此数字线210-a的电压可上升到电压电平v
11-v
th,amp
，且包含固有电容240-a的数字线210-a可根据电压电平v
11-v
th,amp
与电压源410-a(例如，0v)之间的电压差被充电。在一些实例中，电压电平v
11
可经选择使得将数字线210-a预充电到与信号线260-a基本上相同的电平。举例来说，可将电压电平v
11
设置于v3+v
th,amp
的电平，所述电平可由具有大于电压源410-d的电压电平的电压供应器提供。因此，在一些实例中，在503处，数字线210-a可响应于激活切换组件420-b而上升到等于电压电平v3的电压电平。在一些实例中，在503的操作之后，数字线210-a与板线215-a之间的电压可对应于参考图3b所描述的读取电压335。
158.另外或替代地，在一些实例中，数字线210-a可由电压源410-c预充电。举例来说，在激活切换组件420-b之前，时序图500可包含激活切换组件420-a(例如，通过激活逻辑信号sw1)。激活切换组件420-a可起始时序图500中未展示的针对数字线210-a的替代预充电操作。当由电压源410-c馈电时，电荷可积聚于数字线210-a上，从而使得数字线210-a上的电压与电压电平v2匹配。在一些实例中，电压电平v2可基本上等于电压电平v3，使得在激活切换组件420-b之前数字线210-a与信号线260-a被预充电到相同电压。在一些实例中，利用电压源410-c给数字线210-a预充电可减小功耗或缩短与存取存储器单元105-b相关联的预充电时间。在通过电压源410-c给数字线210-a预充电之后，存取程序可包含激活切换组件420-b(例如，通过激活逻辑信号sw2)以将信号线260-a连接到数字线210-a。
159.在504处，存取程序可包撤含销激活切换组件420-c(例如，通过撤销激活逻辑信号sw3)。撤销激活切换组件420-c可将电压源410-d与信号线260-a隔离，且信号线260-a的电压可保持于电压电平v3。在撤销激活切换组件420-c之后，信号线260-a且因此积分器电容器430-a的第一端子431-a可浮动，且信号线260-a可根据信号线260-a的电容(包含积分器电容器430-a的电容)维持电荷电平。
160.在505处，存取程序可包含撤销激活切换组件420-f(例如，通过撤销激活逻辑信号sw6)。撤销激活切换组件420-f可将电压源410-i与参考线265-a隔离，且参考线265-a的电压可保持于电压电平v4。在撤销激活切换组件420-f之后，参考线265-a且因此积分器电容器430-b的第一端子431-b可浮动，且参考线265-a可根据信号线260-a的电容(包含积分器电容器430-b的电容)维持电荷电平。
161.在506处，存取程序可包含激活切换组件420-d(例如，通过激活逻辑信号sw4)。激活切换组件420-d可致使从电压源410-f与积分器电容器430-a的第二端子432-a耦合向电压源410-g与积分器电容器430-a的第二端子432-a耦合转变。通过将积分器电容器430-a的第二端子432-a连接到处于较高电压下的电压源，由积分器电容器430-a存储的电荷可增压到较高电压，且因此与积分器电容器430-a的第一端子431-a耦合的信号线260-a的电压可上升到电压电平(v3+v6)。因此，激活切换组件420-d可起始积分器电容器430-a的增压操作。
162.在507处，存取程序可包含激活切换组件420-e(例如，通过激活逻辑信号sw5)。激活切换组件420-e可致使从电压源410-h与积分器电容器430-b的第二端子432-b耦合向电压源410-i与积分器电容器430-b的第二端子432-b耦合转变。通过将积分器电容器430-b的第二端子432-b连接到处于较高电压下的电压源，由积分器电容器430-b存储的电荷可增压到较高电压，且因此与积分器电容器430-b的第一端子431-b耦合的参考线265-a的电压可
上升到电压电平(v4+v8)。因此，激活切换组件420-e可起始积分器电容器430-b的增压操作。
163.在508处，存取程序可包含选择存储器单元105-b(例如，通过经由逻辑信号wl激活字线)。选择存储器单元105-b可使得存储器单元105-b的电容器与数字线210-a耦合。因此，电荷可在存储器单元105-b、数字线210-a及信号线260-a之间共享，这可取决于存储器单元105-b中所存储的逻辑状态(例如，电荷状态、极化状态)。
164.举例来说，当存储器单元105-b存储逻辑1时，存储器单元105-b的电容器可存储正电荷(例如，参考图3a及3b所描述的电荷状态305-a)。因此，当选择存储逻辑1的存储器单元105-b时，相对小电荷量可从数字线210-a流动到存储器单元105-b。随着电荷从数字线210-a流动到存储器单元105-b，数字线210-a的电压可下降，这可允许超出放大器405的阈值电压。当超出放大器405的阈值电压时，取决于放大器405的特性，电荷可从信号线260-a(例如，从积分器电容器430-a)跨越放大器405流动到数字线210-a，且相对小电荷量从电压源410-l跨越放大器405流动到数字线210-a。因此，电荷可流动到数字线210-a直到数字线210-a的电压返回到电压电平等于v
11-v
th,amp
为止。当选择存储逻辑1的存储器单元105-b时，由于相对小电荷量流动到存储器单元105-b中，因此信号线260-a可在选择存储器单元105-b之后经受相对小电压降，如电压v
sig,1
所图解说明。
165.替代地，当存储器单元105-b存储逻辑0时，存储器单元105-b的电容器可存储负电荷(例如，如参考图3a及3b所描述的电荷状态310-a)。因此，当选择存储逻辑0的存储器单元105-b时，相对大电荷量可从数字线210-a流动到存储器单元105-b。因此，随着电荷流过放大器405而使数字线返回到电压电平v
11-v
th,amp
，信号线260-a可经受相对较大电压降(如电压v
sig,0
所图解说明)，使得不再超出放大器405的阈值电压v
th,amp
。在一些实例中，选择存储逻辑0的存储器单元105-b可导致存储器单元105-b的电容器的极化的部分损失。在采用2pr感测操作的实例中，选择存储逻辑0的存储器单元105-b可使得存储器单元105-b的电容器的饱和极化发生反转，使得与饱和极化的两倍相关联的电荷量流动到存储器单元105-b中。在任一情形中，根据本实例选择存储逻辑0的存储器单元105-b可涉及后续刷新或重写操作。
166.在509处，存取程序可包含撤销激活切换组件420-d(例如，通过撤销激活逻辑信号sw4)。撤销激活切换组件420-d可致使从电压源410-g与积分器电容器430-a的第二端子432-a耦合向电压源410-f与积分器电容器430-a的第二端子432-a耦合转变。通过将积分器电容器430-a的第二端子432-a连接到处于较低电压下的电压源，由积分器电容器430-b存储的电荷可偏移到较低电压，且因此与积分器电容器430-a的第一端子431-a耦合的信号线260-a的电压可下降达电压电平(v
6-v5，或在电压源410-f与共同接地点耦合的情况中恰好为v6)。因此，撤销激活切换组件420-d可起始积分器电容器430-a的偏移操作，这可使信号线260-a的电压减小到可由感测放大器290-a读取的电平。举例来说，在509的偏移操作之后，感测放大器290-a感测到v
sig,1
可为大约1.5v，且感测放大器290-a感测到v
sig,0
可为大约1.2v。
167.在510处，存取程序可包含撤销激活切换组件420-e(例如，通过撤销激活逻辑信号sw5)。撤销激活切换组件420-e可致使从电压源410-i与积分器电容器430-b的第二端子432-b耦合向电压源410-h与积分器电容器430-b的第二端子432-b耦合转变。通过将积分器电容器430-b的第二端子432-b连接到处于较低电压的电压源，由积分器电容器430-b存储
的电荷可偏移到较低电压，且因此与积分器电容器430-b的第一端子431-b耦合的参考线265-a的电压可下降达电压电平(v
8-v7，或在电压源410-h与共同接地点耦合的情况中恰好为v8)。因此，撤销激活切换组件420-e可起始积分器电容器430-b的偏移操作，这可将参考线265-a的电压减小到可由感测放大器290-a读取的电平。举例来说，在510的偏移操作之后，感测放大器290-a感测到v
ref
可为大约1.35v。
168.在511处，存取程序可包含通过撤销激活切换组件420-g(例如，通过撤销激活逻辑信号iso1)将感测放大器290-a与信号线260-a隔离。将感测放大器290-a与信号线260-a隔离可允许在确定存储器单元105-b中所存储的逻辑状态之前感测放大器290-a存储与信号线电压相关联的电压或电荷(例如，在感测放大器290-a的第一端子131-b处，va＝v
sig
)。
169.在512处，存取程序可包含通过撤销激活切换组件420-h(例如，通过撤销激活逻辑信号iso2)将感测放大器290-a与参考线265-a隔离。将感测放大器290-a与参考线265-a隔离可允许在确定存储器单元105-b中所存储的逻辑状态之前感测放大器290-a存储与参考线电压相关联的电压或电荷(例如，在感测放大器290-a的第二端子132-b处，vb＝v
ref
)。
170.在513处，存取程序可包含检测在感测放大器290-a的第一端子131-b与第二端子132-b处所存储的电压的差，这可被称为“锁存”存取存储器单元105-b或检测由存储器单元105-b存储的逻辑状态的结果。举例来说，如果第一端子131-b处所存储的信号大于第二端子132-b处所存储的信号(例如，va》vb)，那么感测放大器290-a可输出等于感测组件的高电压源的电压(例如v
10
，与电压源410-k相关联，对应于逻辑1)。如果第一端子131-b处所存储的信号小于第二端子132-b处所存储的信号(例如，va《vb)，那么感测放大器290-a可输出等于感测组件的低电压源的电压(例如v9，与电压源410-j相关联，对应于逻辑0)。所检测到的逻辑状态可输出到包含电路400的存储器装置100的输入/输出组件160、存储器控制器170或其它组件以用于后续操作。
171.在一些实例中，在时序图500的操作期间电荷可从电路400的一个部分泄漏到另一部分。在一个实例中，电荷泄漏可沿循从数字线210-a到板线215-a的路径“a”，所述路径“a”可图解说明通过存储器单元105-b(例如，跨越存储器单元105-b的电容器220的介电部分或以其它方式在电容器的介电部分周围)的电荷泄漏。在另一实例中，泄漏可沿循从数字线210-a到电压源410-a的路径“b”，所述路径“b”可图解说明从数字线210-a到接地电压源或参考电压或组件的电荷泄漏(例如，底板泄漏)。未图解说明的其它实例可包含准许数字线210-a与电路400的另一组件之间或信号线260-a与电路400的另一组件之间的任何其它电荷转移的其它泄漏路径。在一些实例中，电路400中的电荷泄漏可受数字线210与板线215之间的电压差驱动，且当单元选择组件230-a被激活时可以是相对高的(例如，与存储器单元105-b相关联的单元特定电荷泄漏)。因此，在508之后，当字线205-a被激活且v
dl
与v
pl
之间的差相对大时(例如，当存储器单元105-b处于全偏置下时)，电荷泄漏可以是相对高的。
172.在一些实例中，此电荷泄漏可更改时序图500中所图解说明的信号中的一或多者。举例来说，此电荷泄漏可与在数字线210-a维持于特定电压电平下时跨越放大器405的额外电荷转移相关联，这可伴随着比时序图500中所展示的电压低的信号线260-a的电压v
sig
。当存储器单元105-b存储逻辑1时，举例来说，此泄漏可因此伴随着v
sig,1
与v
ref
之间的经减小差，这可减小与读取逻辑1相关联的读取余裕，或此泄漏可致使v
sig,1
降低到低于v
ref
，这可导致写入有逻辑1的存储器单元105-b被不正确地读取为逻辑0。因此，为提高正确读取存储器
单元105-b的可能性，在一些实例中，存取操作可包含至少部分地基于在电路400中检测到的电荷泄漏确定是执行直接写入操作(例如，直接重写操作)还是互补写入操作(例如，互补重写操作)。
173.在514处，存取操作可包含检测电路400中的电荷泄漏。举例来说，泄漏检测组件201-c可经配置以监测信号线260-a的电压，这可包含检测v
sig
的下降(例如，v
sig
的改变、v
sig
的时间导数或电压)或比较v
sig
与阈值(例如，电荷检测参考电压，其可以是不同于v
ref
的可配置电压)。在一个实例中，泄漏检测组件201-c可经配置以检测在将信号线260-a与感测放大器290-a隔离之后v
sig
的改变(例如，在511之后v
sig
的下降，如所图解说明)，这可包含在513处信号线260-a的v
sig
与感测放大器290-a的va之间的比较。然而，这仅是可如何在电路400中检测电荷泄漏的一个实例。举例来说，根据一组不同操作，可在将信号线260-a与感测放大器290-a隔离之后(例如，在511之后)将信号线260-a偏置到某一电压，其中无论存储器单元105-b存储的是逻辑0还是逻辑1，所述电压均可以是相同的。在另一实例中，信号线260-a可与感测放大器290-a重新耦合(例如，在于513处检测逻辑状态之后，通过经由逻辑信号iso1激活切换组件420-g)，这可伴随着取决于存储器单元105-b最初所存储的逻辑状态将信号线260-a偏置到可相同或不同的电压。在各种实例中，信号线260-c的电压可因电荷泄漏以及跨越放大器405的对应电荷转移而从此设定电压下降，所述电荷泄漏可在514处被泄漏检测组件201-c检测。在一些实例中，可在积分器电容器430-a处执行此泄漏检测，这可与检测跨越积分器电容器430-a的电压或电压改变相关联或与检测积分器电容器430-a的电荷状态或电荷状态改变相关联。在一些实例中，泄漏检测组件201-c或某一其它组件可存储在514处是否检测到泄漏的指示(例如，与时序图500的存取操作相关联的暂时性指示、单元特定指示、存取线特定指示)。
174.在515处，存取操作可包含确定是执行直接重写操作还是互补重写操作，这可至少部分地基于在电路400中是否检测到电荷泄漏。举例来说，如果在514处检测到电荷泄漏，那么存取操作可确定写入在存储器单元105-b中检测到的逻辑状态(例如，在513处)的补数。
175.在一些实例中，确定是否写入互补逻辑状态可进一步基于在存储器单元105-b中检测到的特定逻辑状态。举例来说，当在514处检测到电荷泄漏时，存储器单元105-b存储与相对大电荷转移相关联的逻辑状态可为优选的。以磁滞曲线300-a及300-b为例，逻辑0可与相对大电荷转移(例如，电荷状态310-a与370之间的电荷差)相关联，且逻辑1可与相对小电荷转移(例如，电荷状态305-a与370之间的电荷差)相关联。因此，根据此实例，如果在514处检测到电荷泄漏(例如，基于存取存储器单元105-b)，那么存储器单元105-b存储逻辑0可为优选的。因此，在515处，当检测到存储器单元105-b已存储逻辑1(例如，在513处)时，可确定写入所存储逻辑状态的补数(例如，以逻辑0重写存储器单元105-b)，且当检测到存储器单元105-b已存储逻辑0(例如，在513处)时，可确定直接写入所存储逻辑状态(例如，以逻辑0重写存储器单元105-b)。在一些实例中，此确定可包含识别因存储器单元105-b可由于508到515的操作而正饱和(例如，根据逻辑1至少暂时地充电，例如参考图3b所描述的电荷状态370)，需要执行选择性重写操作。在一些实例中，存储器装置100可存储是否在514处确定将互补逻辑状态写入到存储器单元105-b的指示。然而，在一些实例中，直到在执行或确认对应写入操作之后(例如，在后续操作中)才可确定、存储此指示或使此指示生效。
176.在一些实例中，确定是执行直接重写操作还是互补重写操作可基于一组存储器单
元105，例如与存储器单元105-b共享字线205-a的一行存储器单元105、一页存储器单元105或某一其它组存储器单元105。举例来说，当确定是执行直接重写操作还是互补重写操作对应于一组存储器单元105时，可针对与所述一组中的相应存储器单元105相关联的电路400(未展示)的重复组件(例如，并行感测放大器290、并行信号线260、并行放大器405、并行数字线210)重复(例如，同时、在重叠的时间间隔期间)501到514的操作。在此些实例中，确定对所述一组存储器单元105执行直接重写操作还是对所述一组存储器单元105执行互补重写操作可至少部分地基于使将存储与相对低电荷转移相关联的逻辑状态的泄漏存储器单元105或对应存取线(例如数字线210、信号线260)的数目最小化。
177.举例来说，继续磁滞曲线300-a及300-b所图解说明的实例，将所述一组中与高于阈值的所检测到电荷泄漏相关联的将存储逻辑1的存储器单元105的数目最小化可为优选的。因此，在515处，存储器装置100(例如，存储器控制器170)可以数字方式组合针对一组存储器单元105的电荷泄漏检测的结果与将用于写回到所述一组存储器单元105的数据型式以便将逻辑0指派给尽可能多的泄漏存储器单元105或对应存取线。在此些实例中，可在数字组合时忽略不与所检测到电荷泄漏相关联的存储器单元105或对应存取线，这是因为其可能不会受到存储一种逻辑状态还是另一逻辑状态的负面影响。
178.由于是执行直接重写操作还是执行互补重写操作的确定可基于一组存储器单元105，因此存储器单元105-b的重写操作的逻辑状态的特定确定可不必仅基于是否在514处针对存储器单元105-b检测到电荷泄漏。举例来说，当确定包含存储器单元105-b的一组中的其它存储器单元105受益于执行互补重写操作时，即使检测到存储器单元105-b或相关联存取线不存在电荷泄漏，存储器装置100仍可确定写入针对存储器单元105-b检测到的逻辑状态的补数。换句话说，取决于针对所述一组存储器单元105所做的确定，尽管针对所述一组中的特定存储器单元105未检测到电荷泄漏，但写入到特定存储器单元105的逻辑状态仍可以是特定存储器单元105的所检测到逻辑状态的补数。
179.在一些实例中，所描述技术可与其它错误校正技术组合，例如错误校正码(ecc)、单位ecc(例如，ecc1)或单错误校正(sec)。在一些实例中，此组合可支持对特定行或页存取方案进行多达3个位的校正。换句话说，当使用所描述技术来基于所检测到电荷泄漏进行存储器管理时，结果可为使用1位ecc引擎等效于3位ecc。
180.在将ecc与基于电荷泄漏检测将数据翻转的所描述技术组合的一个实例中，页存取操作可与所述页中具有经检测高于阈值的电荷泄漏的单个存储器单元105或对应存取线(例如，数字线210、信号线260)相关联。在此些实例中，当存储器单元105最初与和相对小电荷转移相关联的逻辑状态相关联时，存储器装置100可确定翻转所述页的数据(例如，将存储器单元105的逻辑1反相成存储器单元105的逻辑0，且对应地将所述页中的其它存储器单元105的其它逻辑状态反相)。替代地，当存储器单元105最初与和相对小电荷转移相关联的逻辑状态相关联时，存储器装置100可确定不翻转所述页的数据，而是依靠ecc来校正在读取存储器单元105时可能的错误。当存储器单元105最初与和相对大电荷转移相关联的逻辑状态相关联时，存储器装置100可确定不翻转所述页的数据，这是因为电荷泄漏可能不会对读取存储器单元105造成负面影响。因此，在这些情形中的每一者中，尽管单个存储器单元105或对应存取线的电荷泄漏高于阈值，但存储器装置100仍可恰当地读取所述页中的存储器单元105。
181.在将ecc与基于电荷泄漏检测将数据翻转的所描述技术组合的另一实例中，页存取操作可与所述页中具有经检测高于阈值的电荷泄漏的两个存储器单元105或对应存取线(例如，数字线210、信号线260)相关联。在此些实例中，当两个存储器单元105最初与和相对小电荷转移相关联的逻辑状态相关联时，存储器装置100可确定翻转所述页的数据(例如，将存储器单元105的逻辑1反相成存储器单元105的逻辑0，且对应地将所述页中的其它存储器单元105的其它逻辑状态反相)。因此，与电荷泄漏相关联的存储器单元105中的任一者均将不会存储与相对小电荷转移相关联的逻辑状态。当所述两个存储器单元105最初与不同逻辑状态相关联(例如，一者与相对大电荷转移相关联且另一者与相对小电荷转移相关联)时，存储器装置100可确定翻转所述页的数据或不翻转所述页的数据，这是因为无论翻转与否，读取存储器单元105中的一者可能均不会受到电荷泄漏的负面影响(例如，由于存储与相对大电荷转移相关联的逻辑状态)，且可通过ecc校正对存储器单元105中的另一者的读取以处置在读取存储器单元105时由于电荷泄漏所致的可能错误。当两个存储器单元105最初与和相对大电荷转移相关联的逻辑状态相关联时，存储器装置100可确定不翻转所述页的数据，这是因为电荷泄漏可能不会对读取所述两个存储器单元105造成负面影响。因此，在这些情形中的每一者中，尽管两个存储器单元105或对应存取线的电荷泄漏高于阈值，但存储器装置100仍可恰当地读取页中的存储器单元105。
182.在将ecc与基于电荷泄漏检测将数据翻转的所描述技术组合的另一实例中，页存取操作可与所述页中具有经检测高于阈值的电荷泄漏的三个存储器单元105或对应存取线(例如，数字线210、信号线260)相关联。在此些实例中，当所述三个存储器单元105最初与和相对小电荷转移相关联的逻辑状态相关联时，存储器装置100可确定将所述页的数据翻转(例如，将存储器单元105的逻辑1反相成存储器单元105的逻辑0，且对应地将所述页中的其它存储器单元105的其它逻辑状态反相)。因此，与电荷泄漏相关联的存储器单元105将均不存储与相对小电荷转移相关联的逻辑状态。
183.当所述三个存储器单元105最初与不同逻辑状态相关联(例如，一者与相对大电荷转移相关联，且另外两者与相对小电荷转移相关联)时，存储器装置100可确定翻转所述页的数据或不翻转所述页的数据。举例来说，当所述存储器单元105中的两者存储与相对大电荷转移相关联的逻辑状态时，存储器装置可确定不翻转所述页的数据，且当所述存储器单元105中的两者存储与相对小电荷转移相关联的逻辑状态时，存储器装置可确定翻转所述页的数据。在任一情形中，页的后续读取可依靠ecc来处置在读取存储器单元105中的一者(例如，随后存储与相对小电荷转移相关联的逻辑状态的存储器单元105中的一者)时由于电荷泄漏所致的可能错误。当所述三个存储器单元105最初与和相对大电荷转移相关联的逻辑状态相关联时，存储器装置100可确定不翻转所述页的数据，这是因为电荷泄漏可能不会对读取所述三个存储器单元105造成负面影响。因此，在这些情形中的每一者中，尽管三个存储器单元105或对应存取线的电荷泄漏高于阈值，但存储器装置100仍可恰当地读取所述页中的存储器单元105。
184.在516处，存取操作可包含执行写入操作(例如，存取操作的写入部分、存取操作的重写部分)。举例来说，返回到磁滞曲线300-a的实例，在514处，当确定存储器单元105-b存储逻辑1时，存取操作可包含施加电压315(例如，板低写入电压，其中v
dl,w1
》v
pl,w1
)，或者当确定存储器单元105-b存储逻辑0时，存取操作可包含施加电压325(例如，板高写入电压，其
中v
pl,w0
》v
dl,w0
)。在一些实例中，可省略在516处施加电压315，这是因为存储器单元105-b可能已存储正饱和电荷状态(例如逻辑1，由于508到515的操作中的一或多者)。在此些实例中，板线215-a仍可被置于高电压(例如，与写入逻辑0相关联的电压)，但数字线210-a也可被置于高电压(例如，其中v
dl
＝v
pl
)，使得存储器单元105的电压是均衡的且因此维持正饱和电荷状态(例如，逻辑1)。
185.在一些实例中，在516处执行写入操作可至少部分地基于确定写入存储器单元105-b所存储的所识别逻辑状态(例如，在513处)的补数。在此些实例中，与在确定不写入所识别逻辑状态的补数时相比，516处的写入操作可包含存储器单元写入的方面的反相。举例来说，当确定写入所识别逻辑状态的补数时，516处的写入操作可包含调换电压或所连接的电压源(例如，在板线215-a与数字线210-a之间调换电压或电压源)、将原本保持于相对高电压下的数字线210-a接地或对管理516的写入操作或重写操作的另一组件执行某一其它逻辑反相。
186.尽管被图解说明为在不同时间发生的单独操作，但一些操作可同时发生，或按照不同次序发生。在一些实例中，可有利地同时起始各种操作以缩短感测存储器单元105-b的逻辑状态所涉及的时间量。举例来说，在501及502处起始预充电可按照相反次序发生或同时发生(例如，当将逻辑信号sw3及sw6作为共同逻辑信号进行驱动时)。此外，在503处连接数字线210-a与信号线260-a可在501或502之前发生，或全部三个操作可同时发生。在506处将信号线260-a增压及在507处将参考线265-a增压也可按照相反次序发生或同时发生(例如，当使用共同可变电压源450时或当将逻辑信号sw4及sw5作为共同逻辑信号进行驱动时)。类似地，在509处使信号线260-a偏移及在510处使参考线265-a偏移也可按照相反次序或同时发生。在一些实例中，在511处隔离感测放大器290-a与信号线260-a及在512处隔离感测放大器290-a与参考线265-a可按照相反次序发生或同时发生(例如，当将逻辑信号iso1及iso2作为共同逻辑信号进行驱动时)。
187.在一些实例中，参考线265-a的增压及偏移可被全部消除，且因此可省略在507及510处的操作。因此，在在所描述技术的一些实例中，电路400可省略第二积分器电容器430-b及第二可变电压源450-b，且当存取存储器单元105-b时仍可支持自增压以用于信号产生。另外或替代地，在一些实例中，信号线260-a的增压及偏移可被全部消除，且因此可省略506及509处的操作。因此，在所描述技术的一些实例中，电路400可省略第一积分器电容器430-a及第一可变电压源450-a。
188.时序图500中所展示的操作次序是出于说明目的，且可执行步骤的各种其它次序及组合以支持所描述技术。此外，时序图500的操作时序也是出于说明目的，且并不意在指示一个操作与另一操作之间的特定相对持续时间。与在根据本公开的各种实例中所图解说明的相比，各种操作可在相对更短或相对更长的持续时间内发生。
189.时序图500的逻辑信号的转变说明从一种状态到另一状态的转变，且通常反映与特定编号操作相关联的启用或激活状态(例如，状态“0”)与停用或撤销激活状态(例如，状态“1”)之间的转变。在各种实例中，状态可与逻辑信号的特定电压(例如，施加到用作开关的晶体管的栅极的逻辑输入电压)相关联，且电压从一种状态到另一状态的改变可并非瞬时的。更确切来说，在一些实例中，与逻辑信号相关联的电压可沿循一曲线而随时间推移从一种逻辑状态到另一逻辑状态。因此，时序图500中所展示的转变未必指示瞬时转变。此外，
在编号操作之前的各个时间期间可能已达到与编号操作处的转变相关联的逻辑信号的初始状态，但仍支持所描述转变及相关联操作。
190.尽管时序图500的实例图解说明在读取操作中可如何应用泄漏检测及逻辑反相的所描述技术，但所描述技术也可与写入操作组合。举例来说，可在将逻辑状态写入到存储器单元105或一组存储器单元105之前执行泄漏检测操作(例如，本文中所描述的泄漏检测操作)(例如，在写入操作的泄漏检测部分期间、在用于确定执行哪种类型的写入操作的操作期间)。在一些实例中，可取决于是对存储器单元105或一组存储器单元105执行直接写入操作还是执行互补写入操作的确定(例如，基于在将逻辑状态写入到存储器单元之前是否检测到电荷泄漏，及逻辑状态是与相对大电荷转移量还是与相对小电荷转移量相关联)而相应地修改或执行写入操作。
191.在另一实例中，可在将逻辑状态写入到存储器单元105或一组存储器单元105之后(例如，在写入操作的泄漏检测部分期间、在写入操作的写入验证或确认部分期间)执行泄漏检测操作(例如，本文中所描述的泄漏检测操作)，且可取决于对存储器单元105或一组存储器单元105写入逻辑状态是否成功而相应地修改或执行写入操作。举例来说，在对一页存储器单元105执行直接写入操作之后，如果在所述页存储器单元105中检测到电荷泄漏且所述电荷泄漏和与将与相对小电荷转移量相关联的逻辑状态写入到泄漏存储器单元105或对应存取线相关联，那么可将写入操作修改为包含对所述页存储器单元105执行互补写入操作(例如，在写入操作的重写部分中)。
192.图6展示图解说明根据本文中所公开的实例的支持针对电荷泄漏的存储器管理的方法600的流程图。可通过本文中所描述的存储器装置100或其组件实施方法600的操作。在一些实例中，存储器装置100可包含一组存储器单元105(例如，多个存储器单元105，存储器单元105阵列)，且存储器单元105中的每一者可包含相应存储元件(例如，相应电容性存储元件)。可通过与一组存储器单元耦合(例如，与一行存储器单元105、一页存储器单元105耦合)的各种组件或电路系统(包含参考图1到5所描述的实例)执行方法600的操作。在一些实例中，方法600的操作可图解说明一组存储器单元105的存取操作(例如，读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作)或其某一部分。
193.在605处，所述方法可包含确定所述一组存储器单元105中的每一者的相应逻辑状态。在一些实例中，确定相应逻辑状态可至少部分地基于将所述一组存储器单元105中的每一者的存储元件与一组存取线中的相应存取线(例如，数字线210、信号线260)耦合，或包含确定已由存储器单元105存储的相应逻辑状态(例如，在读取操作中、在重写操作中、在刷新操作中)的某一其它操作。在一些实例中，此耦合可基于激活共同选择线(例如，共同字线205)。在一些实例中，确定相应逻辑状态可至少部分地基于将由存储器单元105存储的逻辑状态的某一其它确定(例如，在对存储器单元的后续写入中、在后续写入操作中、在不包含存取存储器单元105的操作中)。举例来说，可从存储器控制器170提供存储器单元105中的每一者的逻辑状态作为写入操作(例如，将信息写入或覆写到存储器单元105)的部分。
194.在610处，所述方法可包含确定是否在一组存取线中的一或多者(例如，数字线210、信号线260)上检测到阈值电荷泄漏量。在一些实例中，存储器单元105中的每一者可与一组存取线中的相应存取线耦合。在一些实例中，可在耦合存储器单元105与一组存取线中的相应存取线之后执行是否检测到阈值电荷泄漏量的确定。在一些实例中，可能已在某一
其它先前操作中检测到电荷泄漏。在一些实例中，可通过起始存取操作(例如读取操作、写入操作、重写操作、刷新操作)来以其它方式触发电荷泄漏的检测。
195.在一些实例中，在605处确定一组存储器单元中的每一者的相应逻辑状态可包含锁存与相应存储器单元105相关联的相应信号线260的信号；且在610处确定是否检测到阈值电荷泄漏量可基于在锁存之后比较相应信号线260的电压与阈值电压。在一些实例中，确定是否检测到阈值电荷泄漏量可基于检测(例如，直接或间接)跨越与所述一组存取线中的相应存取线电连接的信号生成组件280(例如，晶体管、放大器405)的电荷流。
196.在615处，所述方法可包含针对所述一组存储器单元105选择直接写入操作或互补写入操作。在一些实例中，选择直接写入操作还是互补写入操作可基于是否在所述一组存取线中的一或多者上检测到阈值电荷泄漏量。在一些实例中，所述方法600可与对应于第一电荷转移量的第一逻辑状态及对应于第二电荷转移量的第二逻辑状态相关联，所述第二电荷转移量低于所述第一电荷转移量。在此些实例中，选择直接写入操作还是互补写入操作可基于与检测到阈值电荷泄漏量相关联且与存储第一逻辑状态的存储器单元耦合的所述一组存取线的数量以及与检测到阈值电荷泄漏量相关联且与存储第二逻辑状态的存储器单元耦合的所述一组存取线的数量。在一些实例中，615处的选择可至少部分地基于所描述技术是否与另一错误校正方案(例如，ecc或ecc1)组合。在一些实例中，方法600可进一步包含存储选择直接重写操作还是互补重写操作的指示。当选择执行直接写入操作时，方法可进行到625，且当选择执行互补写入操作时，方法可进行到630。
197.在620处，所述方法可包含执行直接写入操作。举例来说，执行直接写入操作可包含将在605处确定的相应逻辑状态写入到所述一组存储器单元105中的每一者。在一些实例中，方法600可进一步包含存储执行了直接写入操作的指示。
198.在625处，所述方法可包含执行互补写入操作。举例来说，执行互补写入操作可包含将在605处确定的相应逻辑状态的的补数写入到所述一组存储器单元105中的每一者。在一些实例中，方法600可进一步包含存储执行了互补写入操作的指示。
199.根据方法600的实例，可利用直接写入操作或互补写入操作对一组存储器单元105进行写入，其中可至少部分地基于是否检测到阈值电荷泄漏量做出直接写入操作与互补写入操作之间的选择。通过执行操作(例如方法600的操作)，存储器装置100更可能从所述一组存储器单元105恰当地读取信息。举例来说，可以将存储与相对小电荷转移对应的逻辑状态的存储器单元105或相关联存取线的数目最小化的方式执行方法600的操作，这是因为此逻辑状态可更易于被误读或在比与相对较高电荷转移相关联的逻辑状态低的读取余裕下被读取。
200.图7图解说明根据本文中所公开的实例包含可支持存储器装置的删除解码的与不同信息状态相关联的读取特性的分布的曲线图700。曲线图700可关于标准偏差σ或某一其它概率性度量说明当存取存储器装置100的一代表性存储器单元105时的各种读取特性(例如，读取信号)。举例来说，所图解说明的读取特性可以是指基于存取写入有相应信息状态的存储器单元105(例如，电容性存储器单元、铁电存储器单元、材料存储器单元)产生的读取电压、读取电流、所检测到电阻、阈值电压或其它类型的读取信号。出于说明目的，σ轴可以是非线性轴使得可在曲线图700中以线性分布形式图解说明读取特性的常态分布。在一些实例中，曲线图700的分布可被称为高斯分布。
201.分布710可图解说明在存储第一信息状态(例如，第一逻辑状态、第一电荷状态、第一材料状态、逻辑0)时读取特性的第一分布。在一些实例中，分布710可图解说明在读取写入有逻辑0的存储器单元105(例如，电容器220)时信号线260处的电压的分布。分布710可与可被称为“e1”的下边界或边缘(例如，边缘711)及可被称为“e2”的上边界或边缘(例如，边缘712)相关联。分布710可图解说明统计分布的各种解释，例如六个标准偏差(例如，6个σ)的跨度、十二个标准偏差(例如，十二个σ)的跨度或一代表性存储器单元105在写入有逻辑0时的读取特性的最小电平与最大电平之间的跨度。
202.分布720可图解说明当存储第二信息状态(例如，第二逻辑状态、第二电荷状态、第二材料状态、逻辑1)时读取特性的第二分布。在一些实例中，分布720可图解说明当读取写入有逻辑1的存储器单元105(例如，电容器220)时信号线260处的电压的分布。分布720可与可被称为“e3”的下边界或边缘(例如，边缘721)及可被称为“e4”的上边界或边缘(例如，边缘722)相关联。分布720可图解说明统计分布的各种解释，例如六个标准偏差(例如，六个σ)的跨度、十二个标准偏差(例如，十二个σ)的跨度或一代表性存储器单元105在写入有逻辑1时的读取特性的最小值与最大值之间的跨度。
203.在一些实例中，存储器装置100可比较读取特性与阈值以评估存储器单元105存储的是一种信息状态还是另一信息状态。举例来说，当所图解说明的读取特性是指信号线260的电压时，存储器装置100可包含参考组件285，所述参考组件285以介于分布710与分布720之间(例如，介于边缘712与边缘721之间)的参考电压(例如，电压分界)对参考线265加偏置以在逻辑0与逻辑1之间做出区分。当基于存取存储器单元105的信号线260的电压(例如，第一节点291的电压)低于参考电压(例如，第二节点292的电压)时，存储器装置100可确定存储器单元105存储了逻辑0，且当基于存取存储器单元105的信号线260的电压高于所述参考电压时，存储器装置100可确定存储器单元105存储了逻辑1。在此情境中的读取余裕可包含与参考电压和边缘712之间的差相关联的e2余裕及与参考电压和边缘721之间的差相关联的e3余裕。
204.然而，在一些情形中，当存取存储器单元105时读取特性可不表现为根据分布710及720。举例来说，在存在电荷泄漏时，基于存取存储器单元105的信号线260的电压可低于预期。在一些情形中，此泄漏可导致写入有逻辑1的存储器单元105的读取电压下降到低于参考电压，使得存储器单元105被不正确地确定为写入有逻辑0(例如，图解说明e3余裕的减小或消除)。因此，根据这些及其它实例，泄漏状况可与不确定或不肯定的逻辑状态或读取余裕的其它减小或消除相关联。在一些实例中，泄漏检测组件201(例如，参考图2所描述的泄漏检测组件)可用于电路中以识别可与可能不确定或不肯定的逻辑状态(例如，读取操作将检测到逻辑0的增大可能性)相关联的存储器单元105或存取线(例如，信号线260、数字线210)。
205.在可支持识别与删除或以其它方式不确定或不肯定的信息状态相关联的状况的技术的另一实例中，存储器装置100可包含将在存取操作期间应用的读取特性的多个阈值。举例来说，曲线图700图解说明信息状态映射740，所述信息状态映射740包含区分三种信息状态的读取特性状况的两个读取阈值。第一读取阈值730-a(例如，t
read,0
)可与逻辑0相关联，且第二读取阈值730-b(例如，t
read,1
)可与逻辑1相关联。在读取特性是指读取电压的实例中，t
read,0
可以是与逻辑0(例如，第一信息状态、确定的信息状态)相关联的参考电压，且
t
read,1
可以是与逻辑1(例如，第一信息状态、确定的信息状态)相关联的参考电压。在各种实例中，包含多个参考组件285的存储器装置100可支持多个参考电压，所述多个参考组件包含多个参考线265(例如，在感测放大器290处的多个第二节点292)或在不同时间间隔期间对参考线265施加不同电压。在其它实例中，t
read,0
及t
read,1
可以是指(例如，材料存储器元件的)相应参考读取电流、相应参考电荷转移、相应参考电阻、相应阈值电压或其它读取特性阈值。
206.根据信息状态映射740，当与存取存储器单元105相关联的读取特性低于第一读取阈值730-a(或者等于或低于第一读取阈值730-a)时，读取操作可识别或指示存储器单元105的逻辑0(例如，作为确定的逻辑状态)。当与存取存储器单元105相关联的读取特性高于第二读取阈值730-b(或者等于或高于第二读取阈值730-b)时，读取操作可识别或指示存储器单元105的逻辑1(例如，作为确定的逻辑状态)。然而，当与存取存储器单元105相关联的读取特性介于第一读取阈值730-a与第二读取阈值730-b之间(或者等于或介于第一读取阈值730-a与第二读取阈值730-b之间)时，读取操作可识别或指示存储器单元105的逻辑x(例如，作为不确定的逻辑状态、作为空逻辑状态、作为第三信息状态)。换句话说，第一读取阈值730-a与第二读取阈值730-b之间的区可图解说明不肯定性范围，其可支持与确定的逻辑状态不同的识别或指示，或可以是指与不存在信息状态的识别或指示(例如，空信息状态、未经指派的信息状态)相关联的状况。
207.在一些实例中，存储器装置100可使用信息状态映射740来提高存储器装置处的错误处置的各方面。举例来说，当识别出存储器单元105与读取特性的不肯定性范围(例如逻辑x或者其它空信息状态或未经指派的信息状态)相关联时，存储器装置可采用当执行错误检测及错误校正操作时假定相关联码字中的一或多种信息状态的技术。此类技术可优于其它技术，例如不识别可包含错误或具有高的错误可能性的存储器单元105的位置或可包含错误或具有高的错误可能性的相关联码字的对应信息位置的错误处置技术。
208.尽管删除或以其它方式不确定的逻辑状态的一些实例可与电荷泄漏相关，但在其它情境中可另外或作为另一种选择应用所描述技术。举例来说，一些存储器单元105可经历其它类型的降级，例如使所存储逻辑状态降级的材料迁移、损害写入目标逻辑状态的能力的降级或损害响应于读取操作产生读取信号的能力的降级。在各种实例中，可使用两个或多于两个读取阈值730来在确定的信息状态与不确定的信息状态之间做出区分，或以其它方式缩放所检测到信息状态的权重或置信度。具有不确定、未经指派或相对低置信度的信息状态的存储器单元105、存取线(例如，数字线210、信号线260)或码字的信息位置可包含于在试图识别有效码字(例如，恰当地表示写入到一组存储器单元105的信息的码字)时指派假定的信息状态或其替代的错误处置操作中。
209.图8图解说明根据本文中所公开的实例的支持存储器装置的删除解码的方法800的实例。在一些实例中，可通过存储器装置(例如参考图1到7所描述的存储器装置100或相关联电路系统)执行方法800。在一些实例中，可通过与此存储器装置100耦合的主机装置(例如，对从存储器装置100检索的信息执行错误检测、错误校正或其它错误处置技术的主机装置)执行方法800的操作中的一或多者。
210.在810处，所述方法可包含基于存取一组存储器单元105识别所感测码字。在一些实例中，所述一组存储器单元105可包含一行或一页存储器单元105或其某一部分。码字可
具有一组信息位置，且所述一组信息位置中的一或多者可与不确定或未经指派的信息状态(例如，x逻辑状态、空逻辑状态、不肯定的逻辑状态)相关联。在一些实例中，与不确定或未经指派的信息状态相关联的信息位置可对应于被检测到电荷泄漏或电荷泄漏经确定高于或以其它方式满足阈值(例如，使用参考图2或4所描述的泄漏检测组件201)的存储器单元105或存取线(例如，数字线210、信号线260)。在一些实例中，与不确定的信息状态相关联的信息位置可对应于相关联读取特性(例如，读取信号)经确定介于对应于第一信息状态的第一阈值与对应于第二信息状态的第二阈值之间(例如，不肯定性区中的读取特性、逻辑0的第一读取阈值730-a与逻辑1的第二读取阈值730-b之间的读取特性，如参考图7所描述)的存储器单元105。
211.在方法800的实例中，810的操作可包含识别具有值{1,x,0,1,1,x,1,0}的所感测码字815，如所展示。所感测码字815的实例可图解说明具有一组八个信息位置的码字，其中第二信息位置及第六信息位置各自与不确定或未经指派的信息状态(例如，“x”逻辑状态、不肯定逻辑状态、空逻辑状态)相关联。在其它实例中，根据所描述技术，所感测码字可具有多于八个或少于八个的信息位置，且给定所感测码字可具有与不确定或未经指派的逻辑状态相关联的任何数量的0个或更多个信息位置。
212.在一些实例中，在810处识别所感测码字可伴随着识别与所感测码字对应的奇偶校验信息，例如与经存取存储器单元105相关联的可支持后续错误处置操作(例如，错误检测、错误校正)的一或多个奇偶校验位。在各种实例中，此奇偶校验信息可与对应于所感测码字的存储器单元105存储于同一行或存储器区段110中，或此奇偶校验信息可从存储器系统中的其它位置检索，例如存储器装置100的另一部分(例如，存储器装置100中分配给奇偶校验信息的部分)，或从另一存储器装置100(例如，当主机装置将信息存储于第一存储器装置100中且将对应奇偶校验信息存储于第二存储器装置100中时)检索。
213.在820处，方法800可包含将相应假定(例如，推测性)信息状态指派给具有不确定或未经指派的信息状态的每一位置。可根据用于将信息状态指派给一或多个码字(例如，推测性码字、假设码字、假定码字)的各种技术来执行820的指派以执行后续错误检测操作(例如，以评估假定的信息状态或假定码字的有效性)。
214.继续以具有值{1,x,0,1,1,x,1,0}的所感测码字815为例，在820处，方法800可包含将所感测码字815的具有逻辑x的每一位置指派以逻辑0，借此产生具有值{1,0,0,1,1,0,1,0}的推测性码字825-a。在各种其它实例中，820处的指派可包含将具有逻辑x的每一位置指派以逻辑1或某一其它假定或推测性信息状态，或指派假定的信息状态的型式，例如将具有逻辑x的交替位置指派以逻辑0或逻辑1。
215.在一些实例中，可至少部分地基于所感测码字815中具有不确定或未经指派的信息状态的位置的数量满足阈值而执行820的操作。举例来说，当具有不确定或未经指派的信息状态的位置的数量小于阈值或者小于或等于阈值时，可执行820的操作，其中此阈值可等于或以其它方式至少部分地基于错误校正码或其它错误处置能力的最小距离或“汉明(hamming)距离”。
216.在830处，方法800可包含基于包含假定的信息状态的码字(例如，在820处产生的推测性码字825-a)执行错误检测操作。可根据用于识别推测性码字825-a中的错误的存在或数量的各种技术执行830的错误检测操作。举例来说，推测性码字825-a可经过ecc引擎，
其中输出是可被称为校验子的总线或串。在一些实例中，当校验子含有全部逻辑0时，推测性码字825-a可被识别为有效(例如，与写入到一组经存取存储器单元105的信息匹配或以其它方式一致)。在一些实例中，830的错误检测操作可包含奇偶校验(例如，至少部分地基于与所感测码字815相关联的奇偶校验信息)，且如果基于处理推测性码字825-a的所有奇偶校验位均为0或者和与(例如，一组经存取存储器单元105的)所感测码字815相关联的奇偶校验信息以其它方式匹配或一致，那么推测性码字825-a可被识别为有效。
217.在840处，方法800可包含确定包含假定的信息状态的码字是否有效(例如，至少部分地基于830的错误检测操作)。举例来说，如果对推测性码字825-a执行的830的错误检测操作的校验子含有全部0，或如果基于处理推测性码字825-a的奇偶校验信息以其它方式和与所感测码字815相关联的奇偶校验信息匹配，那么方法800可进行到845且转发包含假定的信息状态(例如，在820处指派)的码字。在参考具有值{1,0,0,1,1,0,1,0}的推测性码字825-a的第一实例中，如果在840处推测性码字825-a被识别为有效，那么所述方法可包含在845处转发具有值{1,0,0,1,1,0,1,0}的推测性码字825-a。如果在840处，推测性码字825-a被确定为无效，那么方法800可进行到850。
218.在850处，方法800可包含将相应假定的信息状态指派给具有不确定或未经指派的信息状态的每一位置，所述相应假定的信息状态可不同于820处指派的假定的信息状态。在一些实例中，在850处指派给每一位置的相应假定的信息状态可以是在820处指派给对应位置的相应假定的信息状态的反数或补数。
219.继续以具有值{1,x,0,1,1,x,1,0}的所感测码字815为例，在850处，方法800可包含将所感测码字815的具有逻辑x的每一位置指派以逻辑1，借此产生具有值{1,1,0,1,1,1,1,0}的推测性码字825-b。在各种其它实例中，850处的指派可包含将具有逻辑x的每一位置指派以逻辑1或某一其它假定或推测性信息状态，或指派假定的信息状态的型式，例如将具有逻辑x的交替位置指派以逻辑1或逻辑0。
220.在860处，方法800可包含基于包含假定的信息状态的码字(例如，在850处产生的推测性码字825-b)执行错误检测操作。可根据用于识别推测性码字825-b中的错误的存在或数量的各种技术执行860的错误检测操作，所述错误检测操作可相同于、类似于或不同于830的错误检测操作。
221.在870处，方法800可包含确定包含假定的信息状态的码字是否有效(例如，至少部分地基于860的错误检测操作)。举例来说，如果对推测性码字825-b执行的860的错误检测操作的校验子含有全部0，或如果基于处理推测性码字825-b的奇偶校验信息以其它方式和与所感测码字815相关联的奇偶校验信息匹配，那么方法800可进行到875且转发包含假定的信息状态(例如，在850处指派)的码字。在参考具有值{1,1,0,1,1,1,1,0}的推测性码字825-b的第一实例中，如果在870处推测性码字825-b被识别为有效，那么方法可包含在875处，转发具有值{1,1,0,1,1,1,1,0}的推测性码字825-b。如果在870处，推测性码字825-b被确定为无效，那么方法800可进行到880。
222.在880处，方法800可包含识别具有最小错误数量的码字(例如，推测性码字825)。举例来说，第一推测性码字825-a可与第一错误数量相关联，且第二推测性码字825-b可与第二错误数量相关联。当第一错误数量不同于第二错误数量时，方法800可包含识别与第一错误数量及第二错误数量中的较小数量相关联的推测性码字825。当第一错误数量等于第
二错误数量时，方法800可包含识别推测性码字中的任一者或两者。在一些实例中，方法800可包含用于识别第一推测性码字825-a或第二推测性码字825-b的默认值(例如，当相应错误数量相等时)。
223.在890处，方法800可包含对包含假定的信息状态的码字(例如，对在880处识别的推测性码字825)执行错误校正操作。在一些实例中，890的错误校正可包含处理推测性码字825与校验子信息(例如，在830或860处产生)以产生经校正码字。在一些实例中，错误校正操作可识别传入码字的错误位置且翻转位或以其它方式更改那些经识别错误位置中的信息状态。在890处，方法800还可包含产生经校正码字891以在895处转发。
224.继续参考具有值{1,1,0,1,1,1,1,0}、在880处被识别并转发的推测性码字825-b的第二实例(例如，因单个错误而无效的推测性码字825-b的实例)，在890处，方法800可包含识别推测性码字825-b在第六位置中具有错误，且方法800可包含产生具有值{1,1,0,1,1,0,1,0}的经校正码字891。因此，方法800可进行到895，在895处可转发经校正码字891。
225.845、875或895的转发可包含向存储器系统的各种组件进行转发。在一些实例中，转发可包含将推测性码字或经校正码字从存储器装置100的ecc引擎转发到存储器装置100的输入/输出组件(例如，以输出到与存储器装置100耦合的主机装置)。另外或替代地，转发可包含将推测性码字或经校正码字从存储器装置100的ecc引擎转发到存储器装置100的写入组件(例如，以用于存储器装置100内)，例如重写或写回组件、损耗均衡组件、信息再分配组件或存储器装置100的某一其它存储器管理组件。在一些实例中，转发可包含将推测性码字或经校正码字从与存储器装置100耦合的主机装置的ecc引擎转发到主机装置的处理组件(例如，以处理从存储器装置100检索的信息)。在一些实例中，845、875或895处的转发可伴随着其它操作，例如执行或需要删除校正或错误校正的诊断信令，其可支持存储器装置100或与存储器装置100耦合的主机装置的额外诊断操作(例如，起始泄漏检测操作、起始存储器地址的重新映射、传信通知错误状况或潜在错误状况)。
226.尽管在串行方法的上下文中描述方法800的操作(例如，先产生并处理第一推测性码字825-a，再产生第二推测性码字825-b，如果有必要)，但在一些实例中，可以并行方法执行方法800的各操作。举例来说，方法800可经修改以同时产生两个或多于两个推测性码字825以供并行处理，例如同时执行820及850的操作，或同时执行830及860的操作(例如，同时产生并处理第一推测性码字825-a及第二推测性码字825-b)。在一些实例中，可使用由两个或多于两个ecc引擎或其部分(例如，具有为单个错误校正组件馈送的两个或多于两个错误检测组件的ecc引擎)支持的并行错误检测处理执行此类技术。在一些实例中，可先产生两个或多于两个推测性码字825，再确定推测性码字825中的任一者是否有效，或确定转发两个或多于两个推测性码字825中的哪一者以供进行错误校正操作(例如，转发具有最低错误数量的推测性码字825)。
227.尽管以两个信息位置与不确定的信息状态(例如，删除)相关联且不存在其它错误(例如，在除经识别具有不确定的信息状态的信息位置之外的信息位置处)的实例描述方法800，但用于删除解码的所描述技术可支持错误与删除的各种其它组合的校正。举例来说，所述方法可在890处识别并校正与不确定的信息状态无关的错误(例如，在第一信息位置、第三信息位置、第四信息位置、第五信息位置、第七信息位置或第八信息位置处)。此外，用于删除解码的所描述技术可应用于ecc引擎的各种能力，包含支持可检测到各种错误数量，
或支持可校正各种错误数量。
228.举例来说，给定码字(例如，所感测码字815)与有效码字之间的错误校正码的最小距离d
min
可由以下给出：
229.d
min
》2t+s+l
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(1)
230.其中t可等于错误数量(例如，位置是未知的)且s可等于删除数量(例如，信息状态可不确定的已知信息位置)。下表1中给出根据方程式1的说明性关系进行错误处置的实例，指示当在给定错误校正能力及错误检测能力下将所描述技术应用于删除解码时可如何提高错误处置(例如，其中ecc1可以是指单位错误校正能力且ecc2可以是指双位错误校正能力)。
[0231][0232]
表1
–
使用删除解码的错误处置可能性
[0233]
因此，根据这些及其它实例，用于删除解码的所描述技术可支持比原本可在与错误相关联的信息位置未知时错误处置码所支持的错误校正能力大的错误校正能力。举例来说，泄漏检测或其它技术可用于识别其中信息状态可在已知位置处具有未知值的删除状况类型，且使用此识别，可使用1位错误校正器及2位错误检测器校正这些删除中的三者(例如，由每一所感测码字的二位奇偶校验信息支持)。
[0234]
用于删除解码的所描述技术可具有额外优点。举例来说，由于数据校正在解码期间发生(例如，与编码相比来说)，因此可有利地采用位翻转来在存储器阵列中进行疲劳管理。此外，由于有效数据的修复在解码期间发生，因此可在无需有效数据的预先知识的情况下处置多达3个删除失败(例如，使用二位错误检测及单位错误校正)。
[0235]
图9展示根据本文中所公开的实例的支持针对电荷泄漏的存储器管理的存储器装置905的框图900。存储器装置905可以是参考图1到8所描述的存储器装置的各方面的实例。存储器装置905可包含存取管理器910、感测组件915、泄漏检测组件920、写入操作管理器925及写入操作指示器930。这些模块中的每一者可彼此直接或间接通信(例如，经由一或多个总线)。
[0236]
存取管理器910可存取存储器单元。在一些实例中，存取存储器单元包含针对存储器单元激活单元选择组件。在一些实例中，存取管理器910可存取第二存储器单元。在各种
实例中，经存取存储器单元可包含电容性存储元件。
[0237]
感测组件915可基于存取确定存储器单元所存储的逻辑状态。在一些实例中，感测组件915可基于存取第二存储器单元确定第二存储器单元存储所述逻辑状态。在一些实例中，确定存储器单元所存储的逻辑状态包含锁存与存储器单元相关联的存取线的信号。在一些实例中，感测组件915可确定由第二存储器单元存储的第二逻辑状态，第二存储器单元是通过所述存储器单元共同的存取线而选择。
[0238]
泄漏检测组件920可基于存取存储器单元而检测电荷泄漏。在一些实例中，至少部分地在激活单元选择组件的同时执行电荷泄漏检测。在一些实例中，检测电荷泄漏包含确定在锁存之后存取线的电压下降到低于阈值电压。在一些实例中，泄漏检测组件920可检测跨越电连接在存储器单元与经配置以确定存储器单元存储逻辑状态的感测组件之间的晶体管的电荷流。在一些实例中，泄漏检测组件920可基于存取第二存储器单元检测第二电荷泄漏。
[0239]
写入操作管理器925可部分地基于检测电荷泄漏而确定是将逻辑状态还是将逻辑状态的补数写入到存储器单元。在一些情形中，逻辑状态与和电容性存储元件相关联的第一电荷转移量相关联且逻辑状态的补数与第二电荷转移量相关联，所述第二电荷转移量大于所述第一电荷转移量。在一些实例中，写入操作管理器925可确定写入逻辑状态还是逻辑状态的补数是基于所述逻辑状态与第一电荷转移量相关联且逻辑状态的补数与第二电荷转移量相关联，所述第二电荷转移量大于所述第一电荷转移量。在一些实例中，写入操作管理器925可将经确定逻辑状态写入到存储器单元。在一些实例中，写入操作管理器925可基于确定是将逻辑状态还是逻辑状态的补数写入到存储器单元而将第二逻辑状态或第二逻辑状态的补数写入到第二存储器单元。在一些实例中，确定是将逻辑状态还是逻辑状态的补数写入到存储器单元是基于确定另一存储器单元存储的逻辑状态并检测另一电荷泄漏。
[0240]
写入操作指示器930可存储是将逻辑状态还是将逻辑状态的补数写入到存储器单元的指示。在一些情形中，所述指示与包含所述存储器单元的一组存储器单元中的每一存储器单元相关联。在一些情形中，所述一组存储器单元中的每一存储器单元是通过共同存取线选择。
[0241]
图10展示根据本文中所公开的实例的支持针对电荷泄漏的存储器管理的存储器装置1005的框图1000。存储器装置1005可以是参考图1到8所描述的存储器装置的各方面的实例。存储器装置1005可包含行组件1010、感测组件1015、泄漏检测组件1020、重写操作确定器1025、重写操作控制器1030及重写操作指示器1035。这些模块中的每一者可彼此直接或间接通信(例如，经由一或多个总线)。在一些实例中，存储器装置1005可包含各自包含相应存储元件的多个存储器单元，且所描述组件可包含于与所述多个存储器单元耦合的控制器或电路系统中。
[0242]
行组件1010可将一组存储器单元中的每一者的存储元件与一组存取线中的相应存取线耦合。在一些实例中，行组件1010可基于激活与相应存储器单元相关联的单元选择组件将每一存储器单元与所述一组存取线中的相应存取线耦合。在一些实例中，行组件1010可基于激活共同选择线将所述一组存储器单元中的每一存储器单元与所述一组存取线中的相应存取线耦合。
[0243]
感测组件1015可基于所述耦合来确定由所述一组存储器单元中的每一者存储的
相应逻辑状态。在一些实例中，感测组件1015可通过锁存与相应存储器单元相关联的相应信号线的信号确定所述一组存储器单元中的每一者的相应逻辑状态。
[0244]
泄漏检测组件1020可在确定相应逻辑状态之后确定是否在所述一组存取线中的一或多者上检测到阈值电荷泄漏量。在一些实例中，泄漏检测组件1020可至少部分地在单元选择组件被激活的同时确定是否在所述一组存取线中的一或多者上检测到阈值电荷泄漏量。在一些实例中，泄漏检测组件1020可在锁存之后基于比较相应信号线的电压与阈值电压来确定是否检测到阈值电荷泄漏量。在一些实例中，泄漏检测组件1020可确定是否在所述一组存取线中的一或多者上检测到阈值电荷泄漏量是基于检测跨越与所述一组存取线中的相应存取线电连接的晶体管的电荷流。
[0245]
重写操作确定器1025可基于是否在所述一组存取线中的一或多者上检测到阈值电荷泄漏量选择存储器单元中的每一者的直接重写操作或存储器单元中的每一者的互补重写操作。在一些实例中，针对与第一电荷转移量相关联的第一逻辑状态及与低于第一电荷转移量的第二电荷转移量相关联的第二逻辑状态，选择直接重写操作还是互补重写操作是至少部分地基于：(1)与检测到阈值电荷泄漏量相关联且与存储第一逻辑状态的存储器单元耦合的所述多个存取线的数量，及(2)与检测到阈值电荷泄漏量相关联且与存储第二逻辑状态的存储器单元耦合的所述多个存取线的数量。
[0246]
重写操作控制器1030可对所述一组存储器单元中的每一者执行选定直接重写操作或互补重写操作。在一些情形中，直接重写操作包含写入由相应存储器单元存储的相应逻辑状态且互补重写操作包含写入由相应存储器单元存储的相应逻辑状态的补数。
[0247]
重写操作指示器1035可存储是选择直接重写操作还是选择互补重写操作的指示。
[0248]
图11展示根据本文中所公开的实例的支持存储器装置的删除解码的存储器装置1105的框图1100。存储器装置1105可以是参考图1到8所描述的存储器装置的各方面的实例。存储器装置1105可包含存储器单元存取组件1110、信息状态评估组件1115、推测性码字产生组件1120、错误检测组件1125、码字转发组件1130、存取信号评估组件1135、电荷泄漏评估组件1140及错误校正组件1145。这些模块中的每一者可彼此直接或间接通信(例如，经由一或多个总线)。
[0249]
存储器单元存取组件1110可存取存储器装置的一组存储器单元。
[0250]
信息状态评估组件1115可基于存取所述一组存储器单元确定所述一组存储器单元中的一或多个存储器单元与不确定或不肯定的信息状态相关联。
[0251]
推测性码字产生组件1120可产生包含一组信息位置的第一码字(例如，推测性码字)，所述一组信息位置中的每一信息位置对应于所述一组存储器单元中的相应存储器单元，其中所述产生包含将相应假定或推测性信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的每一信息位置。
[0252]
在一些实例中，推测性码字产生组件1120可基于将相应第二假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的信息位置中的一或多者而产生第三码字。
[0253]
在一些实例中，推测性码字产生组件1120可基于将相应第三假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的信息位置中的一或多者而产生第四码字。
[0254]
错误检测组件1125可基于第一码字(例如，推测性码字)执行错误检测操作。在各种实例中，由错误检测组件1125执行的错误检测操作可指示第一码字是有效还是无效。
[0255]
在一些实例中，错误检测组件1125可基于第三码字(例如，推测性码字)执行第二错误检测操作。在各种实例中，由错误检测组件1125执行的错误检测操作可指示第三码字有效还是无效。
[0256]
在一些实例中，错误检测组件1125可基于第四码字(例如，推测性码字)执行第三错误检测操作。在各种实例中，由错误检测组件1125执行的错误检测操作可指示第四码字有效还是无效。
[0257]
码字转发组件1130可基于执行错误检测操作而转发第二码字。在一些实例中，转发第二码字包含转发在第二码字的每一信息位置处具有与第一码字相同的信息的第二码字(例如，与推测性码字相同的码字)。在一些实例中，码字转发组件1130可基于执行第二错误检测操作而转发第二码字(例如，经校正码字)。
[0258]
在一些实例中，转发第二码字包含转发在第二码字的每一信息位置处具有与第三码字相同的信息的第二码字(例如，与推测性码字相同的码字)。在一些实例中，码字转发组件1130可基于执行第三错误检测操作而转发第二码字(例如，经校正码字)。
[0259]
在一些实例中，为确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联，存取信号评估组件1135可针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定基于存取相应存储器单元的信号是介于与第一逻辑状态相关联的第一阈值和与第二逻辑状态相关联的第二阈值之间。
[0260]
在一些实例中，为确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联，存取信号评估组件1135可确定与相应存储器单元耦合的存取线具有基于存取相应存储器单元的介于第一阈值电压与第二阈值电压之间的电压。
[0261]
在一些实例中，为确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联，存取信号评估组件1135可确定基于存取相应存储器单元的电流是介于第一阈值电流与第二阈值电流之间。
[0262]
在一些实例中，为确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联，电荷泄漏评估组件1140可针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定相应存储器单元的电荷泄漏满足阈值。
[0263]
在一些实例中，为确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联，电荷泄漏评估组件1140可针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定与耦合到相应存储器单元的存取线相关联的电荷泄漏满足阈值。
[0264]
在一些实例中，错误校正组件1145可基于将与第一码字不同的信息状态指派给第二码字的一或多个信息位置而产生第二码字(例如，经校正码字)。
[0265]
在一些实例中，错误校正组件1145可基于将与第三码字不同的信息状态指派给第二码字的一或多个信息位置而产生第二码字(例如，经校正码字)。
[0266]
图12展示图解说明根据本文中所公开的实例的支持针对电荷泄漏的存储器管理的一或多种方法1200的流程图。方法1200的操作可由本文中所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法1200的操作可由参考图9所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制存储器装置的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，
存储器装置可使用专用硬件或电路系统执行所描述功能的各方面。
[0267]
在1205处，存储器装置可存取具有电容性存储元件的存储器单元。可根据本文中所描述的方法执行1205的操作。在一些实例中，可由参考图9所描述的存取管理器910执行1205的操作的各方面。
[0268]
在1210处，存储器装置可基于存取而确定由存储器单元存储的逻辑状态。可根据本文中所描述的方法执行1210的操作。在一些实例中，可由参考图9所描述的感测组件915执行1210的操作的各方面。
[0269]
在1215处，存储器装置可基于存取存储器单元而检测电荷泄漏。可根据本文中所描述的方法执行1215的操作。在一些实例中，可由参考图9所描述的泄漏检测组件920执行1215的操作的各方面。
[0270]
在1220处，存储器装置可部分地基于检测电荷泄漏而确定是将逻辑状态还是逻辑状态的补数写入到存储器单元。可根据本文中所描述的方法执行1220的操作。在一些实例中，可由参考图9所描述的写入操作管理器925执行1220的操作的各方面。
[0271]
在1225处，存储器装置可将经确定逻辑状态写入到存储器单元。可根据本文中所描述的方法执行1225的操作。在一些实例中，可由参考图9所描述的写入操作管理器925执行1225的操作的各方面。
[0272]
在一些实例中，本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法1200。所述设备可包含用于进行以下步骤的电路系统、特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读媒体)：存取具有电容性存储元件的存储器单元，基于存取确定由存储器单元存储的逻辑状态，基于存取存储器单元而检测电荷泄漏，部分地基于检测电荷泄漏而确定是将逻辑状态还是逻辑状态的补数写入到存储器单元，及将经确定逻辑状态写入到存储器单元。
[0273]
本文中所描述的方法1200及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下步骤的操作、电路系统、特征、构件或指令：基于逻辑状态与第一电荷转移量相关联且逻辑状态的补数与大于所述第一电荷转移量的第二电荷转移量相关联而确定是写入逻辑状态还是逻辑状态的补数。
[0274]
本文中所描述的方法1200及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下步骤的操作、电路系统、特征、构件或指令：确定由第二存储器单元存储的第二逻辑状态，第二存储器单元是通过存储器单元共同的存取线选择；及基于是将逻辑状态还是逻辑状态的补数写入到存储器单元的确定而将第二逻辑状态或第二逻辑状态的补数写入到第二存储器单元。
[0275]
本文中所描述的方法1200及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下步骤的操作、电路系统、特征、构件或指令：存取具有第二电容性存储元件的第二存储器单元，基于存取第二存储器单元而确定第二存储器单元存储所述逻辑状态，及基于存取第二存储器单元而检测第二电荷泄漏。在一些实例中，确定将逻辑状态还是将逻辑状态的补数写入到存储器单元可基于确定第二存储器单元存储所述逻辑状态且检测第二电荷泄漏。
[0276]
本文中所描述的方法1200及设备的一些实例可进一步包含用于进行以下步骤的操作、电路系统、特征、构件或指令：存储是将逻辑状态还是将逻辑状态的补数写入到存储器单元的指示。在本文中所描述的方法1200及设备的一些实例中，所述指示可与包含所述存储器单元的一组存储器单元中的每一存储器单元相关联。在本文中所描述的方法1200及
设备的一些实例中，所述一组存储器单元中的每一存储器单元可由共同存取线选择。
[0277]
在本文中所描述的方法1200及设备的一些实例中，存取存储器单元可包含用于激活存储器单元的单元选择组件的操作、电路系统、特征、构件或指令，且检测电荷泄漏可至少部分地在单元选择组件被激活的同时执行。
[0278]
在本文中所描述的方法1200及设备的一些实例中，确定由存储器单元存储的逻辑状态可包含用于锁存与存储器单元相关联的存取线的信号的操作、电路系统、特征、构件或指令，且检测电荷泄漏可包含用于确定在锁存之后存取线的电压下降到低于阈值电压的操作、电路系统、特征、构件或指令。
[0279]
在本文中所描述的方法1200及设备的一些实例中，检测电荷泄漏可包含用于进行以下步骤的操作、电路系统、特征、构件或指令：检测跨越电连接于存储器单元与经配置以确定存储器单元存储逻辑状态的感测组件之间的晶体管的电荷流。
[0280]
在本文中所描述的方法1200及设备的一些实例中，逻辑状态与和电容性存储元件相关联的第一电荷转移量相关联，且逻辑状态的补数与可大于第一电荷转移量的第二电荷转移量相关联。
[0281]
图13展示图解说明根据本公开的各方面的支持用于存储器装置的删除解码的一或多种方法1300的流程图。方法1300的操作可由本文中所描述的存储器装置或其组件实施。举例来说，方法1300的操作可由参考图11所描述的存储器装置执行。在一些实例中，存储器装置可执行一组指令以控制存储器装置的功能元件执行所描述功能。另外或替代地，存储器装置可使用专用电路系统或硬件执行所描述功能的各方面。
[0282]
在1305处，存储器装置可存取存储器装置的一组存储器单元。可根据本文中所描述的方法执行1305的操作。在一些实例中，可由参考图11所描述的存储器单元存取组件执行1305的操作的各方面。
[0283]
在1310处，存储器装置可基于存取所述一组存储器单元而确定所述一组存储器单元中的一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联。可根据本文中所描述的方法执行1310的操作。在一些实例中，可由参考图11所描述的信息状态评估组件执行1310的操作的各方面。
[0284]
在1315处，存储器装置可产生包含一组信息位置的第一码字，所述一组信息位置中的每一信息位置对应于所述一组存储器单元中的相应存储器单元。在一些实例中，产生第一码字可包含将相应假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的每一信息位置。可根据本文中所描述的方法执行1315的操作。在一些实例中，可由参考图11所描述的推测性码字产生组件执行1315的操作的各方面。
[0285]
在1320处，存储器装置可基于第一码字执行错误检测操作。可根据本文中所描述的方法执行1320的操作。在一些实例中，可由参考图11所描述的错误检测组件执行1320的操作的各方面。
[0286]
在1325处，存储器装置可基于执行错误检测操作而转发第二码字。可根据本文中所描述的方法执行1325的操作。在一些实例中，可由参考图11所描述的码字转发组件执行1325的操作的各方面。
[0287]
在一些实例中，本文中所描述的设备可执行一或多种方法，例如方法1300。所述设备可包含用于进行以下步骤的特征、电路系统、构件或指令(例如，存储可由一处理器执行
的指令的非暂时性计算机可读媒体)：在存储器装置处存取存储器装置的一组存储器单元；基于存取所述一组存储器单元而确定所述一组存储器单元中的一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联；产生包含一组信息位置的第一码字，所述一组信息位置中的每一信息位置对应于所述一组存储器单元中的相应存储器单元，其中所述产生包含将相应假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的每一信息位置；基于所述第一码字执行错误检测操作；及基于执行所述错误检测操作而转发第二码字。
[0288]
在方本文中所描述的法1300及设备的一些实例中，确定所述一或多个存储器单元可与不确定的信息状态相关联可包含用于进行以下步骤的操作、特征、电路系统、构件或指令：针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定基于存取所述相应存储器单元的信号是介于与第一逻辑状态相关联的第一阈值和与第二逻辑状态相关联的第二阈值之间。
[0289]
在本文中所描述的方法1300及设备的一些实例中，确定基于存取相应存储器单元的信号是介于第一阈值与第二阈值之间可包含用于进行以下步骤的操作、特征、电路系统、构件或指令：确定与相应存储器单元耦合的存取线具有基于存取所述相应存储器单元的介于第一阈值电压与第二阈值电压之间的电压。
[0290]
在本文中所描述的方法1300及设备的一些实例中，确定基于存取相应存储器单元的信号是介于第一阈值与第二阈值之间可包含用于进行以下步骤的操作、特征、电路系统、构件或指令：确定基于存取相应存储器单元的电流介于第一阈值电流与第二阈值电流之间。
[0291]
在本文中所描述的方法1300及设备的一些实例中，确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联可包含用于进行以下步骤的操作、特征、电路系统、构件或指令：针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定相应存储器单元的电荷泄漏满足阈值。
[0292]
在本文中所描述的方法1300及设备的一些实例中，确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联可包含用于进行以下步骤的操作、特征、电路系统、构件或指令：针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定与耦合到相应存储器单元的存取线相关联的电荷泄漏满足阈值。
[0293]
在本文中所描述的方法1300及设备的一些实例中，执行错误检测操作可指示第一码字是有效的，且转发第二码字可包含用于进行以下步骤的操作、特征、电路系统、构件或指令：转发在第二码字的每一信息位置处具有与第一码字相同的信息的所述第二码字。
[0294]
在本文中所描述的方法1300及设备的一些实例中，执行错误检测操作可指示第一码字是无效的且在存储器装置的错误校正能力内，且本文中所描述的方法1300或设备可进一步包含用于进行以下步骤的操作、特征、电路系统、构件或指令：基于将可不同于第一码字的信息状态指派给第二码字的一或多个信息位置而产生第二码字。
[0295]
在本文中所描述的方法1300及设备的一些实例中，执行错误检测操作可指示第一码字是无效且超出存储器装置的错误校正能力，且本文中所描述的方法1300及设备可进一步包含用于进行以下步骤的操作、特征、电路系统、构件或指令：基于将相应第二假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的信息位置中的一或多者而产生第三码字，基于所述第三码字执行第二错误检测操作，及基于执行第二错误检测操作而转发第二码字。
[0296]
在本文中所描述的方法1300及设备的一些实例中，执行第二错误检测操作可指示
第三码字是有效的，且转发第二码字可包含用于进行以下步骤的操作、特征、电路系统、构件或指令：转发在第二码字的每一信息位置处具有与第三码字相同的信息的第二码字。
[0297]
在本文中所描述的方法1300及设备的一些实例中，执行第二错误检测操作可指示第一码字是无效的且在存储器装置的错误校正能力内，且本文中所描述的方法1300或设备可进一步包含用于进行以下步骤的操作、特征、电路系统、构件或指令：基于将与第三码字不同的信息状态指派给第二码字的一或多个信息位置而产生第二码字。
[0298]
在本文中所描述的方法1300及设备的一些实例中，执行第二错误检测操作可指示第一码字是无效的且超出存储器装置的错误校正能力，且本文中所描述的方法1300或设备可进一步包含用于进行以下步骤的操作、特征、电路系统、构件或指令：基于将相应第三假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的信息位置中的一或多者而产生第四码字，基于第四码字执行第三错误检测操作，及基于执行所述第三错误检测操作而转发第二码字。
[0299]
应注意，上文所描述的方法描述可能的实施方案，且操作及步骤可重新布置或以其它方式修改，且可采取其它实施方案。此外，可组合来自方法中的两者或多于两者的部分。
[0300]
描述一种设备。所述设备可包含：存储器单元；感测组件，其经配置以在存取操作期间检测由所述存储器单元存储的逻辑状态；电路系统，其经配置以在所述存取操作期间在检测到所述逻辑状态之后检测电荷泄漏；及控制器，其经配置以在所述存取操作期间基于所检测到的电荷泄漏满足阈值而将所述逻辑状态的补数写入到存储器单元。
[0301]
在一些实例中，所述控制器可经配置以基于所述逻辑状态与第一电荷转移量相关联且所述逻辑状态的所述补数与大于所述第一电荷转移量的第二电荷转移量相关联而写入所述逻辑状态的所述补数。
[0302]
在一些实例中，所述感测组件可经配置以在所述存取操作的读取部分期间检测逻辑状态，且所述电路系统可经配置以在存取操作的重写部分之前检测电荷泄漏。
[0303]
在一些实例中，所述电路系统包含第二感测组件。
[0304]
在一些实例中，所述感测组件包含电路系统。
[0305]
在一些实例中，所述感测组件可经配置以锁存与所述存储器单元相关联的存取线的信号，且所述电路系统可经配置以确定在锁存之后存取线的电压下降到低于阈值电压。
[0306]
在一些实例中，所述电路系统可经配置以检测跨越电连接于存储器单元与感测组件之间的栅-阴放大器的电荷流。
[0307]
描述另一设备。所述设备可包含：一组存储器单元，其各自包含相应存储元件；及控制器，其与所述一组存储器单元耦合且经配置以将所述一组存储器单元中的每一者的存储元件与一组存取线中的相应存取线耦合，基于所述耦合确定由所述一组存储器单元中的每一者存储的相应逻辑状态，在确定所述相应逻辑状态之后确定是否在所述一组存取线中的一或多者上检测到阈值电荷泄漏量，基于是否在所述一组存取线中的一或多者上检测到阈值电荷泄漏量而针对存储器单元中的每一者选择直接重写操作或针对存储器单元中的每一者选择互补重写操作，及对所述一组存储器单元中的每一者执行选定直接重写操作或互补重写操作。
[0308]
在一些实例中，直接重写操作包含写入由相应存储器单元存储的相应逻辑状态，
且互补重写操作包含写入由相应存储器单元存储的相应逻辑状态的补数。
[0309]
在一些实例中，一定数量的所述一组存取线与检测到阈值电荷泄漏量相关联且与存储所述第一逻辑状态的存储器单元耦合，且一定数量的所述一组存取线与检测到阈值电荷泄漏量相关联且与存储第二逻辑状态的存储器单元耦合。
[0310]
一些实例可进一步包含存储选择直接重写操作还是互补重写操作的指示。
[0311]
在一些实例中，将所述一组存储器单元中的每一者的存储元件与所述一组存取线中的相应存取线耦合可包含用于进行以下步骤的操作、电路系统、特征、构件或指令：基于激活共同选择线而将所述一组存储器单元中的每一存储器单元与所述一组存取线中的相应存取线耦合。
[0312]
一些实例可进一步包含：基于激活与每一存储器单元相关联的单元选择组件而将相应存储器单元与所述一组存取线中的相应存取线耦合；及至少部分地在单元选择组件被激活的同时确定是否在所述一组存取线中的一或多者上检测到阈值电荷泄漏量。
[0313]
一些实例可进一步包含通过锁存与相应存储器单元相关联的相应信号线的信号并在锁存之后基于比较相应信号线的电压与阈值电压确定是否检测到阈值电荷泄漏量来确定所述一组存储器单元中的每一者的相应逻辑状态。
[0314]
一些实例可进一步包含：确定是否在所述一组存取线中的一或多者上检测到阈值电荷泄漏量可基于检测跨越与所述一组存取线中的相应存取线电连接的晶体管的电荷流。
[0315]
描述另一设备。所述设备可包含：存储器阵列，其包含一组存储器单元；存取组件，其与所述存储器阵列耦合且经配置以基于存取所述一组存储器单元而产生第一码字；泄漏检测组件，其与存储器阵列耦合且经配置以确定与所述一组存储器单元中的一或多个存储器单元相关联的电荷泄漏满足阈值；错误检测组件，其与存取组件及泄漏检测组件耦合且经配置以基于将相应假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元对应的所述第一码字的每一信息位置而执行一或多个错误检测操作；及输入/输出组件，其经配置以基于执行所述一或多个错误检测操作而转发第二码字。
[0316]
在一些实例中，错误检测组件可经配置以对基于将相应第一假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元对应的第一码字的每一信息位置的第三码字执行第一错误检测操作；及对基于将相应第二假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元对应的第一码字的每一信息位置的第四码字执行第二错误检测操作。
[0317]
在一些实例中，错误检测组件可经配置以同时执行第一错误检测操作与第二错误检测操作。
[0318]
在一些实例中，错误检测组件可经配置以基于第一错误检测操作所检测到的错误的数量及第二错误检测操作所检测到的错误的数量而选择第三码字或第四码字中的一者，并转发选定码字。
[0319]
在一些实例中，错误检测组件可经配置以当第一错误检测操作所检测到的错误的所述数量小于第二错误检测操作所检测到的错误的所述数量时选择第三码字，且当第二错误检测操作所检测到的错误的所述数量小于第一错误检测操作所检测到的错误的所述数量时选择第四码字。
[0320]
在一些实例中，错误检测组件可经配置以当与选定码字对应的错误数量在错误校正组件的错误校正能力内将选定码字转发到错误校正组件。
[0321]
在一些实例中，错误检测组件可经配置以当与选定码字对应的错误数量为零时将选定码字转发到输入/输出组件。
[0322]
描述一种设备。所述设备可包含：存储器阵列，其包含一组存储器单元；及控制器，其与所述存储器阵列耦合。所述控制器可经配置以存取所述一组存储器单元；基于存取所述一组存储器单元而确定所述一组存储器单元中的一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联；产生包含一组信息位置的第一码字，所述一组信息位置中的每一信息位置对应于所述一组存储器单元中的相应存储器单元，其中所述产生包含将相应假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的每一信息位置；基于第一码字执行错误检测操作；及基于执行错误检测操作而转发第二码字。
[0323]
在一些实例中，为确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联，所述控制器可经配置以针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定相应存储器单元的电荷泄漏满足阈值。
[0324]
在一些实例中，为确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联，所述控制器可经配置以针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定与耦合到相应存储器单元的存取线相关联的电荷泄漏满足阈值。
[0325]
在一些实例中，为确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联，所述控制器可经配置以针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定基于存取相应存储器单元的信号是介于与第一逻辑状态相关联的第一阈值和与第二逻辑状态相关联的第二阈值之间。
[0326]
在一些实例中，为确定基于存取相应存储器单元的信号是介于第一阈值与第二阈值之间，所述控制器可经配置以确定与相应存储器单元耦合的存取线具有基于存取相应存储器单元的介于第一阈值电压与第二阈值电压之间的电压。
[0327]
在一些实例中，为确定基于存取相应存储器单元的信号是介于第一阈值与第二阈值之间，所述控制器可经配置以确定基于存取相应存储器单元的电流是介于第一阈值电流与第二阈值电流之间。
[0328]
可使用各种不同技术及技法中的任一者表示本文中所描述的信息及信号。举例来说，可在以上说明通篇提及的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或者其任一组合来表示。一些图式可将信号图解说明为单个信号；然而，所属领域的技术人员应理解，信号可表示信号总线，其中总线可具有各种位宽度。
[0329]
如本文中所使用，术语“虚拟接地”指代保持在大约零伏特(0v)的电压下但不与接地直接耦合的电路节点。因此，虚拟接地的电压可暂时地浮动且在稳定状态下返回到大约0v。可使用各种电子电路元件(例如由运算放大器及电阻器组成的分压器)实施虚拟接地。其它实施方案也是可能的。“虚拟接地”或“经虚拟接地”意指连接到大约0v。
[0330]
术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”及“耦合”可以是指组件之间的支持信号在所述组件之间流动的关系。如果组件之间存在可在任何时间支持信号在所述组件之间流动的任何导电路径，那么所述组件被视为彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)。在任何给定时间，彼此电子通信(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可基于包含经连接组件的装置的操作而是开路或闭路。经连接组件之间的导电路径可以是组件之间的直
接导电路径，或者经连接组件之间的导电路径可以是可包含中间组件(例如开关、晶体管或其它组件)的间接导电路径。在一些情形中，可例如使用一或多个中间组件(例如，开关或晶体管)中断经连接组件之间的信号流动达一定时间。
[0331]
术语“耦合”指代从组件之间的开路关系移动到组件之间的闭路关系的状况，在所述开路关系中信号当前不能经由导电路径在组件之间传递，在所述闭路关系中信号可经由导电路径在组件之间传递。当组件(例如控制器)将其它组件耦合在一起时，组件起始允许信号经由先前不准许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。
[0332]
术语“隔离”指代信号当前不能在组件之间流动的所述组件之间的关系。如果组件之间存在开路，那么组件是彼此隔离的。举例来说，当定位于组件之间的开关断开时，被开关分离的两个组件彼此隔离。当控制器将两个组件彼此隔离时，所述控制器影响使用先前准许信号流动的导电路径阻止信号在组件之间流动的改变。
[0333]
如本文中所使用，术语“基本上”意指经修饰特性(例如，术语“基本上”所修饰的动词或形容词)不必完全但足够接近以实现特性的优点。
[0334]
如本文中所使用，术语“电极”可以是指电导体，且在一些情形中，可用作与存储器阵列的存储器单元或其它组件的电触点。电极可包含在存储器阵列的元件或组件之间提供导电路径的迹线、配线、导电线、导电层等。
[0335]
如本文中所使用，术语“短路”指代组件之间经由激活讨论中的两个组件之间的单个中间组件在所述组件之间建立导电路径的关系。举例来说，当第一组件与第二组件之间的开关闭合时，短路到第二组件的第一组件可与第二组件交换信号。因此，短路可以是使得电荷能够在电子通信的组件(或线)之间流动的动态操作。
[0336]
本文中所论述的装置(包含存储器阵列)可形成于半导体衬底上，例如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等。在一些情形中，衬底是半导体晶片。在其它情形中，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sop)，或位于另一衬底上的半导体材料的外延层。可通过使用各种化学物质(包含但不限于磷、硼或砷)进行掺杂来控制衬底或衬底的子区的传导性。可在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂手段执行掺杂。
[0337]
本文中所论述的切换组件或晶体管可表示场效晶体管(fet)且包括包含源极、漏极及栅极的三端子装置。所述端子可通过导电材料(例如，金属)连接到其它电子元件。源极及漏极可以是导电的且可包括重度掺杂(例如，退化)半导体区。源极与漏极可被轻掺杂半导体区或沟道分隔开。如果沟道是n型(即，多数载流子是电子)，那么fet可被称为n型fet。如果沟道是p型(即，多数载流子是空穴)，那么fet可被称为p型fet。沟道可被绝缘栅极氧化物封顶。可通过对栅极施加电压控制沟道传导性。举例来说，分别对n型fet或p型fet施加正电压或负电压可使得沟道变得导电。当对晶体管栅极施加大于或等于晶体管的阈值电压的电压时，晶体管可“接通”或“激活”。当对晶体管栅极施加小于晶体管阈值电压的电压时，晶体管可“关断”或“撤销激活”。
[0338]
本文中结合附图所陈述的说明描述实例配置且不表示可被实施或在权利要求书的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”意指“用作实例、例子或说明”，且并非是“优选的”或“优于其它实例”。详细说明包含具体细节以提供对所描述技术的理解。然而，可在无这些具体细节的情况下实践这些技术。在其它例子中，以框图形式展示众所周知的
结构及装置以免使所描述实例的概念模糊。
[0339]
在附图中，类似组件或特征可具有相同参考标签。此外，可通过在参考标签后接着破折号及在类似组件当中进行区分的第二标签而区分同一类型的各个组件。如果在说明书中仅使用第一参考标签，那么说明可适用于具有相同第一参考标签的类似组件中的任一者，而无论第二参考标签如何。
[0340]
可使用各种不同技术及技法中的任一者表示本文中所描述的信息及信号。举例来说，可在以上说明通篇提及的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号及芯片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子或者其任一组合来表示。
[0341]
可利用通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑装置、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或经设计以执行本文中所描述的功能的其任何组合来实施或执行结合本文中的公开内容而描述的各种说明性块及模块。通用处理器可以是微处理器，但在替代方案中，处理器可以是任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器也可被实施为计算装置的组合(例如dsp与微处理器的组合、多个微处理器的组合、一或多个微处理器与dsp核心结合的组合或任何其它此类配置)。
[0342]
可以硬件、由处理器执行的软件、固件或其任何组合实施本文中所描述的功能。如果以由处理器执行的软件来实施，那么所述功能可作为一或多个指令或代码存储于计算机可读媒体上或经由计算机可读媒体传输。其它实例及实施方案处于本公开及所附权利要求书的范围内。举例来说，由于软件的性质，可使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些中的任一者的组合实施所描述功能。实施功能的特征也可物理地位于各个位置处，包含经散布使得功能的若干部分实施于不同物理位置处。此外，如本文中(包含在权利要求书中)所使用，物项列表中使用的“或”(举例来说，前面是例如
“…
中的至少一者”或
“…
中的一或多者”等短语的物项列表)指示包含性列表使得，例如a、b或c中的至少一者的列表意指a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a及b及c)。此外，如本文中所使用，短语“基于”不应被阐释为指代一组闭合条件。举例来说，被描述为“基于条件a”的示范性步骤可基于条件a及条件b两者，而这并不背离本公开的范围。换句话说，如本文中所使用，短语“基于”应被以与短语“至少部分地基于”相同的方式阐释。
[0343]
提供本文中的说明使得所属领域的技术人员能够制作或使用本公开。所属领域的技术人员将易于明了对本公开的各种修改，且本文中所界定的通用原理可适用于其它变化形式，这并不背离本公开的范围。因此，本公开并不限于本文中所描述的实例及设计，而是被赋予与本文中所公开的原理及新颖特征一致的最宽广范围。

技术特征：

1.一种方法，其包括：在存储器装置处存取所述存储器装置的多个存储器单元；至少部分地基于存取所述多个存储器单元，确定所述多个存储器单元中的一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联；产生包括多个信息位置的第一码字，所述多个信息位置中的每一信息位置对应于所述多个存储器单元中的相应存储器单元，其中所述产生包括将相应假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的每一信息位置；至少部分地基于所述第一码字执行错误检测操作；及至少部分地基于执行所述错误检测操作而转发第二码字。2.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联包括：针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定至少部分地基于存取所述相应存储器单元的信号是介于与第一逻辑状态相关联的第一阈值和与第二逻辑状态相关联的第二阈值之间。3.根据权利要求2所述的方法，其中确定至少部分地基于存取所述相应存储器单元的所述信号是介于所述第一阈值与所述第二阈值之间包括：确定与所述相应存储器单元耦合的存取线具有至少部分地基于存取所述相应存储器单元的介于第一阈值电压与第二阈值电压之间的电压。4.根据权利要求2所述的方法，其中确定至少部分地基于存取所述相应存储器单元的所述信号是介于所述第一阈值与所述第二阈值之间包括：确定至少部分地基于存取所述相应存储器单元的电流是介于第一阈值电流与第二阈值电流之间。5.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联包括：针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定所述相应存储器单元的电荷泄漏满足阈值。6.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联包括：针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定与耦合到所述相应存储器单元的存取线相关联的电荷泄漏满足阈值。7.根据权利要求1所述的方法，其中：执行所述错误检测操作指示所述第一码字是有效的；且转发所述第二码字包括转发在所述第二码字的每一信息位置处具有与所述第一码字相同的信息的所述第二码字。8.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述错误检测操作指示所述第一码字是无效的且在所述存储器装置的错误校正能力内，所述方法进一步包括：至少部分地基于将与所述第一码字不同的信息状态指派给所述第二码字的一或多个信息位置而产生所述第二码字。9.根据权利要求1所述的方法，其中执行所述错误检测操作指示所述第一码字是无效
的且超出所述存储器装置的错误校正能力，所述方法进一步包括：至少部分地基于将相应第二假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的所述信息位置中的一或多者而产生第三码字；至少部分地基于所述第三码字执行第二错误检测操作；及至少部分地基于执行所述第二错误检测操作而转发所述第二码字。10.根据权利要求9所述的方法，其中：执行所述第二错误检测操作指示所述第三码字是有效的；且转发所述第二码字包括转发在所述第二码字的每一信息位置处具有与所述第三码字相同的信息的所述第二码字。11.根据权利要求9所述的方法，其中执行所述第二错误检测操作指示所述第三码字是无效的且在所述存储器装置的所述错误校正能力内，所述方法进一步包括：至少部分地基于将与所述第三码字不同的信息状态指派给所述第二码字的一或多个信息位置而产生所述第二码字。12.根据权利要求9所述的方法，其中执行所述错误检测操作指示所述第三码字是无效的且超出所述存储器装置的所述错误校正能力，所述方法进一步包括：至少部分地基于将相应第三假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的所述信息位置中的一或多者而产生第四码字；至少部分地基于所述第四码字执行第三错误检测操作；及至少部分地基于执行所述第三错误检测操作而转发所述第二码字。13.一种设备，其包括：存储器阵列，其包括多个存储器单元；存取组件，其与所述存储器阵列耦合且经配置以至少部分地基于存取所述多个存储器单元而产生第一码字；泄漏检测组件，其与所述存储器阵列耦合且经配置以确定与所述多个存储器单元中的一或多个存储器单元相关联的电荷泄漏满足阈值；错误检测组件，其与所述存取组件及所述泄漏检测组件耦合且经配置以至少部分地基于将相应假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元对应的所述第一码字的每一信息位置而执行一或多个错误检测操作；输入/输出组件，其经配置以至少部分地基于执行所述一或多个错误检测操作而转发第二码字。14.根据权利要求13所述的设备，其中所述错误检测组件经配置以：对第三码字执行第一错误检测操作，所述第三码字至少部分地基于将相应第一假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元对应的所述第一码字的每一信息位置；及对第四码字执行第二错误检测操作，所述第四码字至少部分地基于将相应第二假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元对应的所述第一码字的每一信息位置。15.根据权利要求14所述的设备，其中所述错误检测组件经配置以同时执行所述第一错误检测操作与所述第二错误检测操作。16.根据权利要求14所述的设备，其中所述错误检测组件经配置以：至少部分地基于所述第一错误检测操作所检测到的错误的数量及所述第二错误检测
操作所检测到的错误的数量而选择所述第三码字或所述第四码字中的一者；及转发所述选定码字。17.根据权利要求16所述的设备，其中所述错误检测组件经配置以：当所述第一错误检测操作所检测到的错误的所述数量小于所述第二错误检测操作所检测到的错误的所述数量时，选择所述第三码字；及当所述第二错误检测操作所检测到的错误的所述数量小于所述第一错误检测操作所检测到的错误的所述数量时，选择所述第四码字。18.根据权利要求16所述的设备，其中所述错误检测组件经配置以在与所述选定码字对应的错误数量在错误校正组件的错误校正能力内时将所述选定码字转发到所述错误校正组件。19.根据权利要求16所述的设备，其中所述错误检测组件经配置以在与所述选定码字对应的错误数量为零时将所述选定码字转发到所述输入/输出组件。20.一种设备，其包括：存储器阵列，其包括多个存储器单元；及控制器，其与所述存储器阵列耦合且经配置以：存取所述多个存储器单元；至少部分地基于存取所述多个存储器单元，确定所述多个存储器单元中的一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联；产生包括多个信息位置的第一码字，所述多个信息位置中的每一信息位置对应于所述多个存储器单元中的相应存储器单元，其中所述产生包括将相应假定的信息状态指派给与所述一或多个存储器单元中的存储器单元对应的每一信息位置；至少部分地基于所述第一码字执行错误检测操作；及至少部分地基于执行所述错误检测操作而转发第二码字。21.根据权利要求20所述的设备，其中为确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联，所述控制器经配置以：针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定至少部分地基于存取所述相应存储器单元的信号是介于与第一逻辑状态相关联的第一阈值和与第二逻辑状态相关联的第二阈值之间。22.根据权利要求21所述的设备，其中为确定至少部分地基于存取所述相应存储器单元的所述信号是介于所述第一阈值所述第二阈值之间，所述控制器经配置以：确定与所述相应存储器单元耦合的存取线具有至少部分地基于存取所述相应存储器单元的介于第一阈值电压与第二阈值电压之间的电压。23.根据权利要求21所述的设备，其中为确定至少部分地基于存取所述相应存储器单元的所述信号是介于所述第一阈值所述第二阈值之间，所述控制器经配置以：确定至少部分地基于存取所述相应存储器单元的电流是介于第一阈值电流与第二阈值电流之间。24.根据权利要求20所述的设备，其中为确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联，所述控制器经配置以：针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定所述相应存储器单元的电荷泄漏满足
阈值。25.根据权利要求20所述的设备，其中为确定所述一或多个存储器单元与不确定的信息状态相关联，所述控制器经配置以：针对所述一或多个存储器单元中的每一者确定与耦合到所述相应存储器单元的存取线相关联的电荷泄漏满足阈值。

技术总结

本发明描述存储器装置的存储器管理及删除解码。存储器装置可识别与一或多个存储器单元相关联的电荷泄漏，且可确定是否将由一或多个存储器单元存储的逻辑状态反相以提高恰当地读取所述存储器单元的可能性。在一些实例中，所述存储器装置可存储曾写入所检测到的所述逻辑状态的补数的指示，这可对应于一个存储器单元或一组存储器单元。在一些实例中，存储器装置可经配置以识别与删除或以其它方式不确定的逻辑状态相关联的状况，这可用于增强错误处置操作的各方面，包含可在所述存储器装置或主机装置处执行的错误处置操作(例如，在位于所述存储器装置外部的存储器控制器处执行的错误处置操作)。的错误处置操作)。的错误处置操作)。

技术研发人员：

R

受保护的技术使用者：

美光科技公司

技术研发日：

2020.05.08

技术公布日：

2022/3/4