OPC模型优化方法[发明专利]

专利名称：OPC模型优化方法专利类型：发明专利

发明人：俞海滨，魏娟，于世瑞申请号：CN202111399596.3申请日：20211124

公开号：CN114077156A

公开日：

20220222

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种光学邻近效应初始模型的确定方法。方法包括：获取掩模板修正数据文件，和覆盖在半导体特定层上光阻层的光阻信息；依据光阻信息，生成若干组光学模型；通过各组光学模型，对掩模板修正数据文件中的密集图形，在光阻层进行模拟曝光，获得与各组光学模型对应的若干组成像光强分布图；确定各组成像光强分布图中的最佳成像光强分布图；基于每组光学模型中的最佳成像光强分布图，确定各组光学模型中与最佳成像光强分布图对应的优选光学模型；基于各个优选光学模型和掩模板修正数据文件，生成OPC化模型；分别计算各个OPC优化模型的评估参数，确定评估参数最优的OPC优化模型为最优OPC模型。

申请人：上海华力集成电路制造有限公司

地址：201203 上海市浦东新区良腾路6号

国籍：CN

代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：戴广志

本文发布于:2024-09-23 18:20:37，感谢您对本站的认可！

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