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一种变压器直流偏磁抑制装置及变压器系统[实用新型专利]

专利名称：一种变压器直流偏磁抑制装置及变压器系统专利类型：实用新型专利

发明人：杨娜，马静，叶彬，文习山，潘卓洪，刘晨蕾

申请号：CN201721490286.1

申请日：20171109

公开号：CN207490507U

公开日：

20180612

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本实用新型提供一种变压器直流偏磁抑制装置，包括检测控制单元、抑制单元、避雷针、刀闸和第一电阻；所述检测控制单元与所述抑制单元连接；变压器中性点连接并联的抑制单元、避雷针、刀闸，再串联第一电阻，然后接地。还提供一种变压器系统，包括所述抑制装置。本实用新型的有益效果是：应用宽禁带半导体器件SiC IGBT与电阻串联相结合的直流偏磁方案。提出利用半导体开关作为隔直装置，在保证变压器有效接地的条件下，使得平均入地电流维持在合理的阈值内，达到抑制变压器直流偏磁的效果，可以在抑制装置有效接地、耐压水平、灵活及扩大适用范围几个方面到较佳的平衡点。

申请人：国网安徽省电力公司经济技术研究院，武汉大学

地址：230022 安徽省合肥市政府区怀宁路1599号宏源大厦9楼

国籍：CN

代理机构：深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙)

代理人：熊艳

本文发布于:2024-09-25 14:27:27，感谢您对本站的认可！

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