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一种等离子体材料隐身参数的配置方法和装置[发明专利]

专利名称：一种等离子体材料隐身参数的配置方法和装置专利类型：发明专利

发明人：冯雪健，邓浩川，满良，霍超颖，韦笑，殷红成

申请号：CN202010761646.7

申请日：20200731

公开号：CN111881609A

公开日：

20201103

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种等离子体材料隐身参数的配置方法和装置，所述方法包括：构造单层等离子体材料层的计算模型，根据等离子体材料的传输反射特性，初始化等离子体材料隐身参数；采用遗传算法对要求在不同频点实现隐身目的的单层等离子体材料层的隐身参数进行优化；根据预设判定条件跳出遗传算法优化循环过程，得到对应的等离子体频点隐身的参数值。本发明能够实现等离子体频点隐身时参数的快速选择设置。

申请人：北京环境特性研究所

地址：100854 北京市海淀区永定路50号

国籍：CN

代理机构：北京格允知识产权代理有限公司

代理人：周娇娇

本文发布于:2024-09-21 02:39:49，感谢您对本站的认可！

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