一种共聚物原位包埋CdSe量子点纳米膜及其制备方法和应用

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114481351 A (43)申请公布日 2022.05.13

(21)申请号 CN202210154717.6

(22)申请日 2022.02.21

(71)申请人青岛大学

地址 266100 山东省青岛市崂山区香港东路7号

(72)发明人唐建国朱晨雨王瑶杜中林孙国荣王乔赵锁程显玉阿提米耶夫

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

D01F6/56

D01F1/10

D01D5/00

D04H1/728

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种共聚物原位包埋CdSe量子点纳米膜及其制备方法和应用

(57)摘要

本发明公开了一种共聚物原位包埋CdSe量子点纳米膜及其制备方法和应用。第一步，将CdSe量子点融入苯乙烯和甲基丙烯酸酯类的混合溶液中，加入甲基丙烯酸混合均匀后静置4～12小时进行原位配体交换；第二步，向进行原位配体交换后的混合溶液中加入溶剂乙酸丁酯，加入引发剂偶氮二异，混合均匀后于油浴中加热预聚合，然后在80～140℃反应4～12h，水冷得到CdSe量子点杂化苯乙烯‑甲基丙烯酸酯类共聚物的聚合物溶液；第三步，采用第二步所得的聚合物溶液进行静电纺丝得到共聚物原位包埋CdSe量子点高效发光纳米膜，可以用来制作工作环境在120℃以下的防护服抗湿抗热抗盐的保护涂层；也可以用来制作可穿戴的温度传感器。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-31	实质审查的生效IPC(主分类):D01F 6/56专利申请号:2022101547176申请日:20220221	实质审查的生效
2022-05-13	公开	发明专利申请公布
2023-07-21	授权	发明专利权授予