武汉市人民政府办公厅关于促进半导体产业创新发展的意见 文章属性
∙【制定机关】武汉市人民政府办公厅
∙【公布日期】2022.01.04
∙【字 号】武政办〔2022〕2号
∙【施行日期】2022.01.04
∙【效力等级】地方规范性文件
∙【时效性】现行有效
∙【主题分类】工业和信息化管理其他规定
正文
武汉市人民政府办公厅关于促进半导体产业创新发展的意见
武政办〔2022〕2号
各区人民政府，市人民政府各部门：
为促进我市半导体产业创新发展，加快“光芯屏端网”产业集建设，提升产业链现代化水平，经市人民政府同意，特提出如下意见：
一、总体要求
（一）指导思想。以习近平新时代中国特社会主义思想为指导，贯彻落实全市国民经济和社会发展“十四五”规划和2035年远景目标、武汉工业高质量发展“十四五”规划，加快补短板、锻长板、强生态，打造“创新引领、要素协同、链条完整、竞争力强”的现代半导体产业体系。
（二）总体目标。到2025年，全市半导体产业能级明显提升，产业结构更加合理，设备、材料、封测配套水平对关键领域形成有力支撑。 1.产业规模。到2025年，芯片产业产值超过1200亿元，半导体显示产业产值超过1000亿元，第三代半导体产业初具规模。 2.技术水平。到2025年，发明专利年均增速超过15%，创建3—5个国家级创新平台，牵头制定2—4项行业标准，突破一批关键核心技术，实现一批关键技术转化和应用。
3.市场主体。到2025年，培育形成5家销售收入超过100亿元的芯片企业、5家销售收入超过100亿元的半导体显示企业、5家销售收入超过10亿元的半导体设备与材料企业，半导体企业总数超过500家，上市企业新增3—5家。
二、重点任务
（一）瞄准薄弱环节补链
1.增强集成电路设备、材料和封测配套能力。在设备环节，聚焦三维集成特工艺，研发刻
蚀、沉积和封装设备，引入化学机械研磨（CMP）机、离子注入机等国产设备生产项目；在材料环节，围绕先进存储器工艺，开发抛光垫、光刻胶、电子化学品和键合材料，布局化学气相沉积材料、溅射靶材、掩膜版、大硅片等材料项目；在封测环节，引进和培育国内外封装测试领军企业，突破先进存储器封装工艺，推进多芯片模块、芯片级封装、系统级封装等先进封装技术产业化。
2.加快半导体显示设备和材料国产化替代。在设备环节，聚焦有机发光二极管（OLED）中小尺寸面板工艺，研发光学检测、模组自动化设备，引入显示面板喷印、刻蚀机、薄膜制备等国产设备生产项目；在材料环节，支持液晶玻璃基板生产项目建设，加快OLED发光材料、柔性基板材料的研发及产业化，引入滤光片、偏光片、靶材等国产材料生产项目。
3.布局第三代半导体衬底及外延制备。在设备环节，支持物理气相传输法（PVT）设备、金属有机化合物气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）等工艺设备的研发及产业化；在材料环节，引进碳化硅（SiC）衬底、SiC外延、氮化镓（GaN）衬底生产线，布局GaN外延晶片产线。
（二）立足现有基础强链
1.打造存储、光电芯片产业高地。在存储芯片领域，重点引入控制器芯片和模组开发等产业链配套企业，研发超高层数三维闪存芯片、40纳米以下代码型闪存、动态随机存取存储器、三维相变存储器、存算一体芯片等先进存储芯片；在光电芯片领域，支持25G以上光收发芯片、50G以上相干光通信芯片的研发及产业化，布局硅基光通信芯片、高端光传感芯片、大功率激光器芯片等高端光电芯片制造项目。
2.建设国内重要半导体显示产业基地。在显示面板领域，引进大尺寸OLED、量子点显示、亚毫米发光二极管（MiniLED）显示等面板生产项目，布局微米级发光二极管（MicroLED）显示、激光显示、8K超高清、3D显示等未来显示技术研发及产业化；在显示模组领域，支持全面屏、柔性屏模组的研发及产业化，加快开发高端面板屏下传感元件及模组，引入光学镜头、背光模组等生产项目，逐步提升对中高端面板的产业配套能力。
（三）聚焦热点领域延链
1.通信射频芯片。支持5G绝缘衬底上硅（SOI）架构射频芯片、射频电子设计自动化（EDA）软件研发；面向5G、核心网、接入网等基础设施市场，重点发展基带芯片、通信电芯片、滤波器等关键芯片。
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