一种晶圆级阳极键合方法[发明专利]

专利名称：一种晶圆级阳极键合方法专利类型：发明专利

发明人：罗巍，解婧，张阳，李超波，夏洋申请号：CN201110395020.X

申请日：20111202

公开号：CN103130180A

公开日：

20130605

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及一种晶圆级阳极键合方法。所述晶圆级阳极键合方法，包括如下步骤：将待键合的硅或金属样片和玻璃样片浸泡到清洗液中清洗；将清洗后的硅或金属样片和玻璃样片吹干，放入键合装置中，一边加热，一边抽真空，到达预设工作温度和真空度后，加电压到单点阴极，使贴合后的硅和玻璃发生第一次阳极键合；将第一次阳极键合后的样片，放入键合装置中，一边加热，一边抽真空，到达预设工作温度和真空度后，加电压和压力到平板阴极，使第一次键合后的样片中未键合部分全部完成键合。本发明使用两步键合的方法，能够实现大面积、键合界面无气泡的高质量、高效率的阳极键合，工艺过程简单，可控性强。

申请人：中国科学院微电子研究所

地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号

国籍：CN

代理机构：北京市德权律师事务所

代理人：刘丽君

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