一种10CrNi2Mo3Cu2V材料低压真空渗碳方法[发明专利]

专利名称:一种10CrNi2Mo3Cu2V材料低压真空渗碳方法专利类型:发明专利
发明人:孙振淋,郑医,吕文生,钱钰,辛玉武
申请号:CN201911305826.8
申请日:20191217
公开号:CN111647841A
公开日:
20200911
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明涉及一种10CrNi2Mo3Cu2V材料低压真空渗碳方法,通过将零件置于低压真空渗碳炉,采取多个脉冲渗碳,每个脉冲的脉冲强渗时间tc设为定值,渗碳结束后,零件推至前室进行气冷。本发明通过上述方法,提供了一种渗层深度在0.3‑2.0mm的10CrNi2Mo3Cu2V材料低压真空渗碳方法,使渗碳零件始终处于完全饱和状态的渗碳气氛中,从而保证同一种零件不同炉批渗层深度的一致性,提高了10CrNi2Mo3Cu2V材料渗碳工艺的可重复性,解决因传统可控气氛渗碳工艺受设备稳定性和环境影响,导致的同一零件不同炉批渗碳后,渗层深度不一致的问题提高了
10CrNi2Mo3Cu2V材料渗碳工艺的可重复性。
申请人:中国航发哈尔滨东安发动机有限公司
地址:150066 黑龙江省哈尔滨市平房区保国大街51号
国籍:CN
代理机构:中国航空专利中心
代理人:杜永保

本文发布于:2024-09-22 19:33:09,感谢您对本站的认可!

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标签:渗碳   材料   真空   专利   方法   低压   中国   工艺
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