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一种非易失性存储器的写入方法和装置[发明专利]

专利名称：一种非易失性存储器的写入方法和装置专利类型：发明专利

发明人：拜福君，孙宏滨

申请号：CN202010898824.0

申请日：20200831

公开号：CN112071342A

公开日：

20201211

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明一种非易失性存储器的写入方法和装置，对存储器单元的状态控制精确，写入速度快，存储单元使用寿命更长。所述装置包含存储单元阵列、写入电路、读取电路和控制电路。写入电路通过BL将激励施加到存储单元阵列中被选中的存储单元，BL同时连接至读取电路。读取电路根据BL上的信号给出存储单元状态的监控结果Dout。控制电路产生控制信号WE连接至写入电路以控制在写操作时写入电路的工作。控制电路产生控制信号RE连接至读取电路以控制写操作和读操作时读取电路的工作。写操作的输入数据Din和读取电路的输出Dout连接至控制电路。控制电路对Din和Dout进行比较，当Dout与Din相同时，表示存储单元已经到达预期状态，控制电路会中止当前激励结束写操作。

申请人：西安交通大学，西安紫光国芯半导体有限公司

地址：710049 陕西省西安市咸宁西路28号

国籍：CN

代理机构：西安通大专利代理有限责任公司

代理人：闵岳峰

本文发布于:2024-09-23 11:12:34，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/4/435470.html

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