一种高质量GaAs单晶合成装置

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114481315 A (43)申请公布日 2022.05.13

(21)申请号 CN202210145465.0

(22)申请日 2022.02.17

(71)申请人北京通美晶体技术股份有限公司

地址 101149 北京市通州区工业开发区东二街4号

(72)发明人朱永生刘春宝

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

C30B27/00

C30B29/42

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种高质量GaAs单晶合成装置

(57)摘要

本申请涉及单晶合成的领域，涉及一种高质量GaAs单晶合成装置，其包括设置于主炉室与副炉室之间的密封盘与密封罩，密封盘与主炉室、副炉室转动连接，且用于分隔主炉室与副炉室，密封罩罩设在密封盘外周，且密封罩内填充有惰性气体。本申请具有主炉室与副炉室进行了两道有效的密封，密封罩在密封盘内进一步进行气体密封，有效阻隔外界空气进入，使得主炉室内保持惰性气体填充与恒压，确保合成GaAs单晶的质量的效果。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-05-31	实质审查的生效IPC(主分类):C30B27/00专利申请号:2022101454650申请日:20220217	实质审查的生效
2022-05-13	公开	发明专利申请公布