(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910161220.5
(22)申请日 2019.03.04
(71)申请人 中国科学院物理研究所
地址 100190 北京市海淀区中关村南三街
八号
(72)发明人 李娜 张广宇 时东霞 杨蓉
(74)专利代理机构 北京智汇东方知识产权代理
事务所(普通合伙) 11391
代理人 康正德 薛峰
(51)Int.Cl.
C23C 16/455(2006.01)
C23C 16/40(2006.01)
C23C 16/02(2006.01)
(54)发明名称
(57)摘要
本发明提供了一种在二维材料表面生长氧
化铝的原子层沉积方法，属于纳米科技技术领
域。其包括以下步骤：在氧化硅衬底上剥离单层
或多层的二维材料；将剥离的二维材料在高温下
退火去除表面吸附；将剥离的或者直接生长的二
维材料放入原子层沉积系统中进行若干个沉积
循环生长氧化铝的沉积的原子层。本发明提供的
在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，
能够通过物理吸附使氧化铝沉积在二维材料的
表面，不仅简单方便，而且还可以避免在二维材
料的表面引入杂质和缺陷，从而保持了其本征特
性。权利要求书1页 说明书4页 附图2页CN 110042365 A 2019.07.23
C N 110042365
A
权 利 要 求 书1/1页CN 110042365 A
1.一种在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，其特征在于，包括以下步骤：
在氧化硅衬底上剥离单层或多层的二维材料；
将剥离的二维材料在高温下退火去除表面吸附；
将剥离的或者直接生长的二维材料放入原子层沉积系统中进行若干个沉积循环生长氧化铝的沉积的原子层。
2.根据权利要求1所述的在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，其特征在于，其中一个沉积循环包括一个三甲基铝的脉冲和若干个水的脉冲。
3.根据权利要求2所述的在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，其特征在于，一个三甲基铝的脉冲时间大于预定时间，所述一个三甲基铝的脉冲过程中，使过量的三甲基铝通过物理吸附沉积在二维材料的表面。
4.根据权利要求3所述的在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，其特征在于，任一个所述水的脉冲过程中，水与部分吸附沉积在二维材料的表面的三甲基铝进行反应，将其氧化成氧化铝，经若干个所述水的脉冲循环后，吸附沉积在二维材料的表面的三甲基铝被完全氧化成氧化铝。
5.根据权利要求2-4中任一项所述的在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，其特征在于，一个沉积循环中，三甲基铝的脉冲和水的脉冲，以及相邻的两个水的脉冲之间的间隔时间相同。
6.根据权利要求1所述的在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，其特征在于，所述二维材料包括剥离的单层或多层二维材料、生长所得到的二维材料、以及惰性的金膜表面。
7.根据权利要求2-4中任一项所述的在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，其特征在于，一个三甲基铝的脉冲过程中，一个三甲基铝的脉冲时间为100-1000ms，脉冲气压为0.4Torr。
8.根据权利要求7所述的在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，其特征在于，一个水的脉冲过程中，脉冲时间是100ms，脉冲气压为1Torr。
9.根据权利要求8所述的在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，其特征在于，在一个三甲基铝的脉冲后采用机械泵抽吸一预定时间。
10.根据权利要求8所述的在二维材料表面生长氧化铝的原子层沉积方法，其特征在于，在任一个水的脉
冲后采用机械泵抽吸一预定时间。
2
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议