一种Mo-V-C-N复合涂层的制备方法[发明专利]

专利名称：一种Mo-V-C-N复合涂层的制备方法专利类型：发明专利

发明人：邱龙时，赵婧，潘晓龙，田丰，张思雨，张于胜申请号：CN202010547803.4

申请日：20200616

公开号：CN111534803A

公开日：

20200814

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种Mo‑V‑C‑N复合涂层的制备方法，该方法包括：一、基片处理；二、安置Mo靶、V弧靶及基片，对真空室抽真空并加热；三、基片刻蚀；四、沉积形成Mo打底层；五、沉积形成Mo‑V缓冲层；六、沉积形成Mo‑V‑N过渡层；七、沉积形成Mo‑V‑C‑N本体层；八、真空退火处理；九、冷却得到表面具有Mo‑V‑C‑N复合涂层的基片。本发明通过对Mo‑V‑C‑N复合涂层的分层设置，形成了良好的成分过渡，确保与基片结合良好且避免了Mo‑V‑C‑N复合涂层开裂和剥落，制备的Mo‑V‑C‑N复合涂层组织均匀致密，硬度高，韧性好，摩擦系数低，耐磨性佳，在高温和低温下均具有润滑效果，适宜作为空间自润滑层。

申请人：西安稀有金属材料研究院有限公司

地址：710016 陕西省西安市西安经济技术开发区凤城二路45号1幢1单元10101室

国籍：CN

代理机构：西安创知专利事务所

代理人：马小燕

本文发布于:2024-09-20 15:42:58，感谢您对本站的认可！

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