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一种DRAM运行频率调整系统及方法[发明专利]

专利名称：一种DRAM运行频率调整系统及方法专利类型：发明专利

发明人：林川

申请号：CN200910090175.5

申请日：20090729

公开号：CN101620883A

公开日：

20100106

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了一种DRAM运行频率调整系统，包括：带宽利用率统计模块，用于统计预设时间间隔内DRAM的有效工作状态分布，获得当前DRAM运行频率的带宽利用率；参数配置模块，包括目标运行频率配置子模块，用于生成目标DRAM运行频率；频率切换控制器，用于将所述当前DRAM运行频率调整至所述目标DRAM运行频率。本发明用以调整DRAM的性能功耗平衡点，从而提高芯片系统的运行速度，有效节省功耗。

申请人：北京中星微电子有限公司

地址：100083 北京市海淀区学院路35号世宁大厦16层

国籍：CN

代理机构：北京润泽恒知识产权代理有限公司

代理人：苏培华

本文发布于:2024-09-21 14:23:38，感谢您对本站的认可！

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