一种在二维材料CVD生长中掺入稀土材料的方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 113789574 A (43)申请公布日 2021.12.14

(21)申请号 CN202111032304.2

(22)申请日 2021.09.03

(71)申请人中国科学院重庆绿智能技术研究院;重庆大学

地址 400714 重庆市北碚区水土高新园方正大道266号

(72)发明人王春香赵洪泉石轩张国欣张炜

(74)专利代理机构 11465 北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人田立媛

(51)Int.CI

C30B29/46(20060101)

C30B25/02(20060101)

C30B25/16(20060101)

C30B25/14(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种在二维材料CVD生长中掺入稀土材料的方法

(57)摘要

本发明公开了一种在二维材料CVD生长中掺入稀土材料的方法，通过在二维材料生长过程中掺入稀土元素，达到了提高二维材料性能的目的。具体包括三个主要阶段：第一阶段是准备材料；第二阶段放置三种粉源，设置三种粉源之间的距离，设置衬底材料与WO3和Er2O3混合粉源之间的垂直高度；第三阶段使用化学气相沉积方法生长掺铒WS2(Er)二维材料，该阶段设定三种粉源的升温速率和化学反应期间三种粉源的保温温度，设置气体流速。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2021-12-14	公开	公开
2021-12-31	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-08-09	授权	发明专利权授予