半导体工艺方法[发明专利]

专利名称:半导体工艺方法专利类型:发明专利
发明人:余德伟,陈建豪
申请号:CN201811113172.4申请日:20180925
公开号:CN110379703A
公开日:
20191025
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:于此公开的实施例整体涉及使用循环式沉积‑蚀刻工艺于高深宽比的沟槽中形成栅极层。于一实施例中,提供一种半导体工艺方法。此方法包含:进行循环式沉积‑蚀刻工艺以于底面上方以及沿基底上的部件的多个侧壁表面形成顺应性薄膜。此方法包含形成介电盖层于顺应性薄膜上。此方法包含对顺应性薄膜进行退火工艺。
申请人:台湾积体电路制造股份有限公司
地址:新竹市
国籍:TW
代理机构:隆天知识产权代理有限公司
代理人:黄艳

本文发布于:2024-09-24 03:17:25,感谢您对本站的认可!

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