(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910779269.7
(22)申请日 2019.08.22
(71)申请人 温州医科大学
地址 325035 浙江省温州市瓯海区东方南
路38号温州市国家大学科技园孵化器
(72)发明人 宋增强 丁超超 王绍丽 盛耀光
戴倩 梁广
(74)专利代理机构 杭州知闲专利代理事务所
(特殊普通合伙) 33315
代理人 张勋斌
(51)Int.Cl.
C07D 311/12(2006.01)
C07D 311/56(2006.01)
C07D 311/14(2006.01)
C07D 311/16(2006.01)
C07D 311/92(2006.01)C07D 405/12(2006.01)
(54)发明名称
(57)摘要
本发明公开了一种3-硒代香豆素类化合物
的制备方法，包括：在DCM溶剂中，用PIFA为氧化
剂，以香豆素类化合物与硒醚类化合物为底物，
在室温下合成3-硒代香豆素类化合物。本发明反
应原料廉价易得，制备方法简单，用PIFA作氧化
适用于不同类型的3-硒代香豆素类化合物的合
成。本发明方法可用于合成一系列的3-硒代香豆
素类化合物，合成的产物不仅可作为中间化合
物，用于进一步构筑复杂的活性化合物；同时该
类化合物具有极大的药物活性潜力。权利要求书2页 说明书11页CN 110483460 A 2019.11.22
C N 110483460
A
1.一种3-硒代香豆素类化合物的制备方法，其特征在于，在溶剂中，以二(三氟乙酰氧基)碘代苯为氧化剂，香豆素类化合物和硒醚类化合物进行反应，反应结束后经过后处理得到所述的3-硒代香豆素；
所述的3-硒代香豆素的结构如式(I)所示：
所述的香豆素类化合物的结构如式(II)所示：
所述的硒醚类化合物的结构如式(III)所示：
式(I)～(III)中，R1氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、酰氧基、硝基、苯基或卤素；
R2为氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、硝基或卤素；
X为N或C；
虚线部分的结构表示可以存在、可以部分存在或者完全不存在。
2.如权利要求1所述的3-硒代香豆素类化合物的制备方法，其特征在于，所述的3-硒代香豆素类化合物的结构如式(IV)～(IX)任一个所示：
式(IV)中，R1为氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、酰氧基、硝基、苯基或卤素；R2为氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、硝基或卤素；
所述的香豆素类化合物的结构如式(X)～(XII)所示：
式(X)中，R1为氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、酰氧基、硝基、苯基或卤素；
所述的硒醚类化合物具有化学式(XIII)～(XV)的结构：
式(XIII)中，R2为氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、硝基或卤素。
3.如权利要求1所述的3-硒代香豆素类化合物的制备方法，其特征在于，R1为氢、甲基、甲氧基、乙酰氧基、硝基、苯基、F、Cl或Br。
4.如权利要求1所述的3-硒代香豆素类化合物的制备方法，其特征在于，R2为氢、甲基、甲氧基、硝基、F、Cl或Br。
5.如权利要求1所述的3-硒代香豆素类化合物的制备方法，其特征在于，反应温度为24～26℃，反应时间为0.5～12h。
6.如权利要求1所述的3-硒代香豆素类化合物的制备方法，其特征在于，所述的香豆素类化合物与所述的硒醚类化合物的摩尔比为1：1.1～1.3；所述的香豆素类化合物与所述的二(三氟乙酰氧基)碘代苯的摩尔比为1:0.9～1.1。
7.如权利要求1所述的3-硒代香豆素类化合物的制备方法，其特征在于，所述的溶剂为DCM(二氯甲烷)。
一种3-硒代香豆素类化合物的制备方法
技术领域
[0001]本发明属于有机合成领域，具体涉及一种通过区域选择性硒化制备3- 硒代香豆素类化合物的方法。
背景技术
[0002]香豆素及其衍生物作为核心骨架广泛分布于天然产物和药物活性分子中。同时，由于该类化合物的光学活性，它们在有机材料中发挥着重要的作用。在众多香豆素衍生物中，3-取代香豆素化合物由于被证实具有抗炎、抗氧化、抗HIV、抗癌、抗菌等一系列生物活性而受到了广泛的关注。由于3-取代香豆素类化合物在不同领域的重要应用，该类化合物的合成方法得到了广泛的探索。
[0003]前官能团化的反应物偶联是制备3-取代香豆素的传统方法。近些年来，直接碳氢键官能团化作为一种直接、原子经济性的合成策略，在现代有机合成中被广泛应用。基于这一策略，许多通过交叉脱氢偶联区域选择性的在香豆素碳三位引入官能团的方法被建立。根据反应机理，这些报道的方法可以被分成两类。一类涉及钯络合离子亲电进攻香豆素碳三位。通常情况下，这类反应需要额外的添加剂和配体，它们用于3-芳基香豆素、 3-烯基香豆素和3-磷酰基香豆素的合成。另一类反应涉及自由基亲电进攻香豆素碳三位。这类反应需要金属催化剂(钴、铜、铁)、过量的氧化剂和高温产生自由基，用于合成3-烷基香豆素、3-苄基香豆素和3-芳酰基香豆素。最近，Deng研究组和Yang研究组分别发展了在香豆素碳
三位引入二氟甲基和烷基的方法，该方法在室温下通过光催化完成。很显然，发展环境友好条件下，在香豆素碳三位形成新键，尤其是碳杂原子键的方法非常紧迫和重要。
[0004]硒是人体内非常重要的一种元素，含硒化合物广泛分布于生物活性分子和天然产物中。到目前为止，已有多种方法被发展用于构筑碳硒键，它们以元素硒或非元素硒作为硒化试剂。然而，有关香豆素碳三位硒化的方法则很少报道。仅有三种方法可用于香豆素碳三位硒化，但它们仅适用于碳四位具有取代基的香豆素。据我们所知，目前尚无直接区域选择性的在香豆素骨架碳三位硒化的方法。因此，发展PIFA促进的在室温下直接区域选择性的在香豆素碳三位硒化的方法就显得尤为重要和迫切。该方法的建立不仅在合成化学中具有重要的意义和价值；同时将进一步促进3-硒代香豆素类化合物生物活性的全面研究，发现新的药物活性化合物。
发明内容
[0005]本发明提供一种以PIFA(二(三氟乙酰氧基)碘代苯)为氧化剂，以香豆素和硒醚为原料的直接合成3-硒代香豆素类化合物的方法，该方法原料易得，制备方法简单。[0006]一种3-硒代香豆素类化合物的制备方法，包括：在溶剂中，室温下，以PIFA为氧化剂，香豆素和硒醚进行反应，反应结束后经过后处理得到所述的3-硒代香豆素；
[0007]所述的3-硒代香豆素的结构如式(I)所示：
[0008]
[0009]所述的香豆素类化合物的结构如式(II)所示：
[0010]
[0011]所述的硒醚类化合物的结构如式(III)所示：
[0012]
[0013]式(I)～(III)中，R1氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、酰氧基、硝基、苯基或卤素；[0014]R2为氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、硝基或卤素；
[0015]X为N或C；
[0016]虚线部分的结构表示可以存在、可以部分存在或者完全不存在。
[0017]具体地，所述的3-硒代香豆素的结构式如下：
[0018]
[0019]式(IV)中，R1为氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、酰氧基、硝基、苯基或卤素；式(VII)中，R2为氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、硝基或卤素。
[0020]所述的香豆素类化合物的结构如式(X)～(XII)所示：
[0021]
[0022]式(X)中，R1为氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、酰氧基、硝基、苯基或卤素。[0023]所述的硒醚类化合物具有化学式(XIII)～(XV)的结构：
[0024]
[0025]式(XIII)中，R2为氢、C1～C4烷基、C1～C4烷氧基、硝基或卤素。
[0026]优选地，所述的氧化剂为PIFA，其它种类的氧化剂，包括二乙酸碘苯(PIDA)、2-碘酰基苯甲酸(IB
X)、叔丁基过氧化氢(TBHP)、过硫酸钠均使反应无产物生成。
[0027]所述的香豆素类化合物与所述的硒醚类化合物的摩尔比为：1:1.2，以提高反应的产率。减少硒醚的量会使反应产率降低。
豫公网安备41160202000603
站长QQ:729038198
关于我们
投诉建议