专利名称：一种采用硫为模板调控三维石墨烯孔的方法专利类型：发明专利 发明人：陶莹，韩俊伟，杨全红，刘东海，张辰，游从辉
申请号：CN201710143033.5
申请日：20170310
公开号：CN106829932A
公开日：
20170613
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明属于石墨烯技术领域，尤其涉及一种采用硫为模板调控三维石墨烯孔的方法，至少包括以下步骤：在石墨烯类分散液中加入含硫物质和酸，充分搅拌得到混合分散液；将第一步得到的混合分散液加入水热反应釜中进行水热反应；将第二步得到的水凝胶在去离子水中进行充分的浸泡，去除杂质，之后进行水分脱除；将第三步得到的待处理产物进行脱硫处理，得到三维多孔石墨烯宏观体。相对于现有技术，本发明通过在水热过程中将硫作为模板引入到石墨烯三维宏观体中，再通过简单的热处理将硫脱除之后，可以提高石墨烯三维宏观体的孔隙尺寸。而通过精确控制硫的引入量，可以大范围精确地对宏观体的孔隙结构进行调控，从而能够应用在不同的储能器件中。 申请人：天津大学
地址：300072 天津市南开区卫津路92号天津大学
国籍：CN
代理机构：广东德而赛律师事务所
代理人：叶秀进
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