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具有双外延层结构的 CMOS 图像传感器及其制造方法[发明专利]

专利名称：具有双外延层结构的 CMOS 图像传感器及其制造方法

专利类型：发明专利

发明人：李娟娟，田志，白英英，陈昊瑜

申请号：CN201610585056.7

申请日：20160722

公开号：CN106024822A

公开日：

20161012

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了一种具有双外延层结构的CMOS图像传感器及其制造方法。本发明的具有双外延层结构的CMOS图像传感器包括：依次层叠的P型重掺杂的衬底、第一层P型轻掺杂外延层和第二层P型轻掺杂外延层；其中，第一层P型轻掺杂外延层中形成有下部N阱和下部P阱，第二层P型轻掺杂外延层中形成有上部N阱和上部P阱；其中下部N阱和上部N阱位置对应并且邻接，下部P阱和上部P阱位置对应并且邻接。

申请人：上海华力微电子有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号

国籍：CN

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：智云

本文发布于:2024-09-22 16:39:00，感谢您对本站的认可！

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