首页 > 专利查询

单晶体的制造方法和装置[发明专利]

专利名称：单晶体的制造方法和装置专利类型：发明专利

发明人：佐藤利行

申请号：CN201710239838.X

申请日：20170413

公开号：CN107299387A

公开日：

20171027

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及单晶体的制造方法和装置。在锥形部培养工序中使晶体直径的目标值与实测值的偏差小来防止有位错化或液体泄漏。单晶体的制造方法具备：缩颈工序，为了无位错化而将单晶体（3）的直径缩小得小；锥形部培养工序，对单晶体（3）的直径逐渐增加的锥形部进行培养；以及直体部培养工序，对单晶体（3）的直径被固定维持的直体部进行培养。锥形部培养工序包含基于振荡电压分布和原料熔解位置处的原料棒（1）的直径（Dp）的实测值来对向感应加热线圈（15）供给高频电流的振荡器（16）的振荡电压（E）进行PID控制的工序，所述振荡电压分布基于原料棒（1）的直径而被预先设定。

申请人：胜高股份有限公司

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：中国专利代理(香港)有限公司

本文发布于:2024-09-21 23:21:24，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/4/428470.html

上一篇：建立文档指定查看的技术[发明专利]

下一篇：中国飞行龙[发明专利]