一种氧化镓MOCVD的反应装置的制作方法

一种氧化镓mocvd的反应装置
技术领域
1.本实用新型涉及半导体材料技术领域，具体为一种氧化镓mocvd的反应装置。

背景技术：

2.氧化镓，别名三氧化二镓，氧化镓(ga2o3)是一种宽禁带半导体，eg＝4.9ev，其导电性能和发光特性长期以来一直引起人们的注意。ga2o3是一种透明的氧化物半导体材料，在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。它还可以用作o2化学探测器。
3.氧化钾mocvd的反应室是一种在高温下生长氧化钾材料的设备，其加热方式主要为给钨丝加热器通电后加热，但是，现有的氧化镓mocvd的反应室需要通入氧气，高温钨丝在遇到氧气后，瞬间会形成氧化钨材料，从而失去了加热的功能，因此，本实用新型提出一种氧化镓mocvd的反应装置，以解决上述提到的问题。

技术实现要素：

4.针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种氧化镓mocvd的反应装置，解决了现有的氧化镓mocvd的反应室需要通入氧气，高温钨丝在遇到氧气后，瞬间会形成氧化钨材料，从而失去了加热的功能的问题。
5.为实现以上目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种氧化镓mocvd的反应装置，包括底板，所述底板上设置有反应室，所述反应室内部设置有钨丝加热器电极，所述钨丝加热器电极的上方设置有钨丝加热器，所述反应室内部的侧壁上固定连接有固定杆，所述固定杆的外表面套设有弹簧，所述反应室上设置有辅助机构。
6.所述辅助机构包括碳化硅罩和移动块，所述碳化硅罩的顶部贯穿开设有固定孔，所述固定孔的内部设置有衬底放置管，所述衬底放置管的外表面固定连接有挡板，所述碳化硅罩的侧边开设有卡槽，所述移动块远离碳化硅罩的一侧开设有滑槽，所述滑槽的内部与固定杆的外表面相适配，所述移动块的外表面与卡槽的内部相适配，所述碳化硅罩罩在钨丝加热器的外部。
7.优选的，所述弹簧的一端与反应室的内壁固定连接，所述移动块远离碳化硅罩的一侧与弹簧的另一端固定连接。
8.优选的，所述移动块的顶部固定连接有固定连接有第一竖板，所述第一竖板一侧的顶部设置呈斜面。
9.优选的，所述移动块的底部固定连接有固定连接有第二竖板，所述第二竖板一侧的底部设置呈斜面。
10.优选的，所述碳化硅罩的侧边固定连接有固定块，所述固定块的顶部和底部均设置呈斜面。
11.优选的，所述固定孔设置有多个，所述移动块靠近碳化硅罩的一侧设置呈弧形。
12.有益效果
13.本实用新型提供了一种氧化镓mocvd的反应装置。与现有技术相比具备以下有益效果：
14.(1)、该氧化镓mocvd的反应装置，通过在碳化硅罩、移动块、固定孔、衬底放置管、挡板、卡槽和滑槽的配合使用下，利用碳化硅罩，避免钨丝加热器与氧气接触，同时，避免碳化硅罩发生偏移，导致钨丝加热器直接露在外面，可以避免钨丝发生氧化，解决了现有的氧化镓mocvd的反应室需要通入氧气，高温钨丝在遇到氧气后，瞬间会形成氧化钨材料，从而失去了加热的功能的问题。
15.(2)、该氧化镓mocvd的反应装置，通过在第一竖板、第二竖板和固定块的配合使用下，在对碳化硅罩进行拆装时，方便移动块向卡槽中插入和抽离，便于对碳化硅罩进行拆装。
附图说明
16.图1为本实用新型的内部结构主视图；
17.图2为本实用新型图1中a处的局部放大图；
18.图3为本实用新型碳化硅罩的俯视图。
19.图中：1-底板、2-反应室、3-钨丝加热器电极、4-钨丝加热器、5-固定杆、6-弹簧、7-辅助机构、71-碳化硅罩、72-移动块、73-固定孔、74-衬底放置管、75-挡板、76-卡槽、77-滑槽、8-第一竖板、9-第二竖板、10-固定块。
具体实施方式
20.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
21.请参阅图1-3，本实用新型提供一种技术方案：一种氧化镓mocvd的反应装置，包括底板1，底板1上设置有反应室2，反应室2内部设置有钨丝加热器电极3，钨丝加热器电极3的上方设置有钨丝加热器4，反应室2内部的侧壁上固定连接有固定杆5，固定杆5的外表面套设有弹簧6，反应室2上设置有辅助机构7；辅助机构7包括碳化硅罩71和移动块72，碳化硅罩71的顶部贯穿开设有固定孔73，固定孔73的内部设置有衬底放置管74，衬底放置管74的外表面固定连接有挡板75，碳化硅罩71的侧边开设有卡槽76，移动块72远离碳化硅罩71的一侧开设有滑槽77，滑槽77的内部与固定杆5的外表面相适配，移动块72的外表面与卡槽76的内部相适配，碳化硅罩71罩在钨丝加热器4的外部，通过在碳化硅罩71、移动块72、固定孔73、衬底放置管74、挡板75、卡槽76和滑槽77的配合使用下，利用碳化硅罩71，避免钨丝加热器4与氧气接触，同时，避免碳化硅罩71发生偏移，导致钨丝加热器4直接露在外面，可以避免钨丝发生氧化，解决了现有的氧化镓mocvd的反应室需要通入氧气，高温钨丝在遇到氧气后，瞬间会形成氧化钨材料，从而失去了加热的功能的问题，弹簧6的一端与反应室2的内壁固定连接，移动块72远离碳化硅罩71的一侧与弹簧6的另一端固定连接，移动块72的顶部固定连接有固定连接有第一竖板8，第一竖板8一侧的顶部设置呈斜面，移动块72的底部固定连接有固定连接有第二竖板9，第二竖板9一侧的底部设置呈斜面，碳化硅罩71的侧边固定
连接有固定块10，固定块10的顶部和底部均设置呈斜面，通过在第一竖板8、第二竖板9和固定块10的配合使用下，在对碳化硅罩71进行拆装时，方便移动块72向卡槽76中插入和抽离，便于对碳化硅罩71进行拆装，固定孔73设置有多个，移动块72靠近碳化硅罩71的一侧设置呈弧形。
22.同时本说明书中未作详细描述的内容均属于本领域技术人员公知的现有技术。
23.工作时，将碳化硅罩71放置在钨丝加热器4的上方并向下移动，之后，固定块10与第一竖板8进行接触，从而第一竖板8受力并移动，从而移动块72通过滑槽77在固定杆5上滑动，并且弹簧6受力处于压缩状态，之后，固定块10与移动块72接触，移动块72继续在固定杆5上滑动，当固定块10位于移动块72的下方时，移动块72贴合在碳化硅罩71的表面上，当移动块72与卡槽76齐平时，移动块72插在卡槽76中，从而对碳化硅罩71进行固定，进行实验时，将材料放置在衬底放置管74中，材料与钨丝加热器4距离进，受到加热效果好，从而方便进行反应处理，从而整个过程，避免钨丝加热器4与氧气接触，同时，也可避免碳化硅罩71发生偏移，导致钨丝加热器4直接露在外面，可以避免钨丝发生氧化，解决了现有的氧化镓mocvd的反应室需要通入氧气，高温钨丝在遇到氧气后，瞬间会形成氧化钨材料，从而失去了加热的功能的问题，同样的道理，上提碳化硅罩71即可将碳化硅罩71从钨丝加热器4上取下，使用便利。
24.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。
25.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：

1.一种氧化镓mocvd的反应装置，包括底板(1)，所述底板(1)上设置有反应室(2)，所述反应室(2)内部设置有钨丝加热器电极(3)，所述钨丝加热器电极(3)的上方设置有钨丝加热器(4)，其特征在于：所述反应室(2)内部的侧壁上固定连接有固定杆(5)，所述固定杆(5)的外表面套设有弹簧(6)，所述反应室(2)上设置有辅助机构(7)；所述辅助机构(7)包括碳化硅罩(71)和移动块(72)，所述碳化硅罩(71)的顶部贯穿开设有固定孔(73)，所述固定孔(73)的内部设置有衬底放置管(74)，所述衬底放置管(74)的外表面固定连接有挡板(75)，所述碳化硅罩(71)的侧边开设有卡槽(76)，所述移动块(72)远离碳化硅罩(71)的一侧开设有滑槽(77)，所述滑槽(77)的内部与固定杆(5)的外表面相适配，所述移动块(72)的外表面与卡槽(76)的内部相适配，所述碳化硅罩(71)罩在钨丝加热器(4)的外部。2.根据权利要求1所述的一种氧化镓mocvd的反应装置，其特征在于：所述弹簧(6)的一端与反应室(2)的内壁固定连接，所述移动块(72)远离碳化硅罩(71)的一侧与弹簧(6)的另一端固定连接。3.根据权利要求1所述的一种氧化镓mocvd的反应装置，其特征在于：所述移动块(72)的顶部固定连接有固定连接有第一竖板(8)，所述第一竖板(8)一侧的顶部设置呈斜面。4.根据权利要求1所述的一种氧化镓mocvd的反应装置，其特征在于：所述移动块(72)的底部固定连接有固定连接有第二竖板(9)，所述第二竖板(9)一侧的底部设置呈斜面。5.根据权利要求1所述的一种氧化镓mocvd的反应装置，其特征在于：所述碳化硅罩(71)的侧边固定连接有固定块(10)，所述固定块(10)的顶部和底部均设置呈斜面。6.根据权利要求1所述的一种氧化镓mocvd的反应装置，其特征在于：所述固定孔(73)设置有多个，所述移动块(72)靠近碳化硅罩(71)的一侧设置呈弧形。

技术总结

本实用新型公开了一种氧化镓MOCVD的反应装置，所述辅助机构包括碳化硅罩和移动块，所述碳化硅罩的顶部贯穿开设有固定孔，所述固定孔的内部设置有衬底放置管，所述衬底放置管的外表面固定连接有挡板，所述碳化硅罩的侧边开设有卡槽，本实用新型涉及半导体材料技术领域。该氧化镓MOCVD的反应装置，通过在碳化硅罩、移动块、固定孔、衬底放置管、挡板、卡槽和滑槽的配合使用下，利用碳化硅罩，避免钨丝加热器与氧气接触，同时，避免碳化硅罩发生偏移，导致钨丝加热器直接露在外面，可以避免钨丝发生氧化，解决了现有的氧化镓MOCVD的反应室需要通入氧气，高温钨丝在遇到氧气后，瞬间会形成氧化钨材料，从而失去了加热的功能的问题。从而失去了加热的功能的问题。从而失去了加热的功能的问题。