(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 201910320919.1
(22)申请日 2019.04.21
(71)申请人 苏州源特半导体科技有限公司
地址 215024 江苏省苏州市苏州工业园区
金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20
幢403-12
(72)发明人 唐盛斌
(51)Int.Cl.
H02M 3/335(2006.01)
G01R 19/00(2006.01)
G01R 31/02(2006.01)
(54)发明名称
(57)摘要
本发明提供一种DCDC原边反馈电压的检测
流产生电路、匹配电阻对、占空比调制电路及功
率开关NMO。还提供一种DCDC原边反馈电压的检
测设定方法。
不仅避免了寄生电容引起的空载飘高、抗干扰能力差的问题，也不存在影响开关电
源输出电压精度的问题。权利要求书2页 说明书7页 附图3页CN 109980947 A 2019.07.05 C N 109980947
A
权 利 要 求 书1/2页CN 109980947 A
1.DCDC原边反馈电压检测设定电路，其特征在于，包括：
稳压基准电流产生电路，用于基于芯片内部的基准电压，在芯片外置的基准电流产生电阻R IB上产生基准电流源，再通过电流镜镜像出成比例的基准电流；
采样电流产生电路，用于在芯片外置的输出电压采样电阻R FB上产生反映开关电源输出电压大小的采样电流；
匹配电阻对，所述匹配电阻对包括：电阻R B及电阻R S，所述电阻R B与所述稳压基准电流产生电路的输出端连接，所述电阻R S与所述采样电流产生电路的输出端连接；
占空比调制电路，用于获取电阻R B及电阻R S上的电压，进行误差放大，并根据开关电源输出电压调制占空比。
2.根据权利要求1所述的DCDC原边反馈电压检测设定电路，其特征在于，
所述稳压基准电流产生电路包括：放大器AMP、N沟道MOS管NM1及第一电流镜；
所述放大器AMP的输出端与所述N沟道MOS管NM1的栅极连接，所述放大器AMP的反向输入端与所述N沟道MOS管NM1的源极连接且与芯片的RIB引脚连接，芯片内部基准电压作为所述放大器AMP的正向输入电压，所述N沟道MOS管NM1的漏极与所述第一电流镜的输入节点连接，所述第一电流镜的的输出节点输出所述基准电流；
芯片的RIB引脚连接所述基准电流产生电阻R IB到地。
3.根据权利要求2所述的DCDC原边反馈电压检测设定电路，其特征在于，
所述采样电流产生电路包括：组成第二电流镜的P沟道MOS管PM1及P沟道MOS管PM2；
所述P沟道MOS管PM1的源极与芯片V IN引脚相连，P沟道MOS管PM2的源极与芯片R FB引脚连接，所述P沟道MOS管PM1的栅极与所述P沟道MOS管PM2的栅极连接，所述P沟道MOS管PM2的漏极输出所述采样电流；
芯片V IN引脚接开关电源的输入电压VIN，芯片R FB引脚通过所述输出电压采样电阻R FB后与芯片功率管漏极引脚DRN以及变压器主绕组的输出端口连接。
4.根据权利要求3所述的DCDC原边反馈电压检测设定电路，其特征在于，所述电阻R B一端与所述稳压基准电流产生电路的第一电流镜的的输出节点连接，另一端接地；所述电阻R S一端与所述采样电流产生电路的P沟道MOS管PM2的漏极连接，另一端接地。
5.根据权利要求4所述的DCDC原边反馈电压检测设定电路，其特征在于，还包括：功率开关NMO；
所述占空比调制电路包括：误差放大器及占空比控制模块；所述占空比控制模块的输入端与所述误差放大器的输出端连接，所述占空比控制模块的输出端与功率开关NMO的栅极连接；所述稳压基准电流产生电路的输出端口与所述误差放大器的同向输入端连接；所述采样电流产生电路的输出端口与所述误差放大器的反向输入端连接；所述功率开关NMO 的漏极与芯片DRN引脚连接。
6.根据权利要求5所述的DCDC原边反馈电压检测设定电路，其特征在于，变压器主绕组的输入端口接开关电源的输入电压VIN以及输入电容C IN的正端，变压器副边绕组与输出整流二极管D OUT和输出电容C OUT构成副边输出整流电路，形成反激开关电源拓扑结构。
7.DCDC原边反馈电压检测设定方法，其特征在于，包括：
稳压基准电流产生电路基于芯片内部的基准电压，在芯片外置的基准电流产生电阻R IB 上产生基准电流源，再通过电流镜镜像出成比例的基准电流，所述基准电流在芯片内部的
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