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非易失性存储单元编程方法[发明专利]

专利名称：非易失性存储单元编程方法专利类型：发明专利

发明人：朴祥珍，薛光洙

申请号：CN200810108833.4

申请日：20080529

公开号：CN101354920A

公开日：

20090128

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供一种非易失性存储单元编程方法。一种将2位数据编入具有4个阈值电压分布的存储单元中的存储单元编程方法可以包括：第一编程操作，通过将第一编程电压施加到存储单元来将2位数据中的第一位编入存储单元中；第二编程操作，通过将第二编程电压施加到存储单元来将2位数据中的第二位编入存储单元中；稳定操作，在执行第一和第二编程操作中与第一和第二编程电压中较高的编程电压对应的编程操作之后，将电场极性与第一和第二编程电压所形成的电场极性相反的稳定电压施加到存储单元。

申请人：三星电子株式会社

地址：韩国京畿道水原市灵通区梅滩洞416

国籍：KR

代理机构：北京铭硕知识产权代理有限公司

本文发布于:2024-09-21 21:54:32，感谢您对本站的认可！

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