首页 > 专利查询

一种高功率单极脉冲磁控溅射CrSiCN膜的制备工艺[发明专利]

专利名称：一种高功率单极脉冲磁控溅射CrSiCN膜的制备工艺

专利类型：发明专利

发明人：蔡俊信

申请号：CN202010714713.X

申请日：20200723

公开号：CN111910161A

公开日：

20201110

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了一种高功率单极脉冲磁控溅射CrSiCN膜的制备工艺，涉及基体材料表面镀膜技术领域。在镀膜沉淀步骤中，首先，进行打底离子镀膜(Cr)沉积；然后，进行过度层(CrN)沉积；最后，进行复合层(CrSiCN)沉积；通过在进行过度层(CrN)沉积步骤中控制氩气和氮气的流量比及在复合层(CrSiCN)沉积控制所述的氩气、氮气和乙炔的流量比，并合理控制三种涂层的厚度比为1:1:5，不仅使涂层与基体表面紧密结合，具备优异的耐磨与耐腐蚀性能，而且使制备的涂层更致密，薄膜表面平整，结晶性好，硬度高。

申请人：滨中元川金属制品(昆山)有限公司

地址：215300 江苏省苏州市昆山市开发区蓬朗高鼎路1号

国籍：CN

代理机构：广州市红荔专利代理有限公司

代理人：唐婷婷

本文发布于:2024-09-21 14:40:28，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/4/424662.html

上一篇：一种晶圆水平电镀装置及阴极电镀液的喷流方法

下一篇：一种高效离子液体脱纯化方法