在批次热处理腔室中的晶片边缘温度校正的制作方法

在批次热处理腔室中的晶片边缘温度校正
1.背景
技术领域
2.本文描述的实例大体涉及半导体处理领域，且更特定而言涉及晶片的预外延烘烤。

背景技术：

3.在常规半导体制造中，在经由外延工艺于晶片上进行薄膜生长之前，晶片被预清洁以移除污染物，诸如氧化物。通过在单晶片外延(epi)腔室中或在熔炉中在氢气氛中烘烤晶片来执行晶片的预清洁。单晶片epi腔室已被设计为在设置于处理容积内的晶片上提供均匀温度分布，以及提供对晶片之上的气流的精确控制。然而，单晶片epi腔室一次处理一个晶片，并且因此可能无法提供制造工艺中的所需产量。熔炉实现了多个晶片的批次处理。然而，熔炉无法提供设置于处理容积中的每个晶片上及/或晶片之间的均匀温度分布，并且因此可能无法提供制造的装置的所需品质。特定而言，晶片边缘附近的热损失导致在每个晶片上的高度非均匀温度分布。
4.因此，需要一种能够执行批次多晶片工艺同时降低晶片边缘附近的热损失，以提供晶片上的均匀温度分布的工艺及处理设备。

技术实现要素：

5.本公开内容的实施方式包括用于处理腔室中的处理套组。处理套组包括：外衬套；内衬套，具有多个第一入口孔及多个第一出口孔，该多个第一入口孔设置在该内衬套的注入侧上并且被配置为与处理腔室的气体注入组件流体连通，该多个第一出口孔设置在该内衬套的排气侧上并且被配置为与该处理腔室的气体排放组件流体连通；第一环形反射器，设置在该外衬套与该内衬套之间；顶板及底板，附接于该内衬套的内表面，该顶板及底板与内衬套一起形成外壳(enclosure)；盒匣，设置在外壳之内，该盒匣包含被配置为在其上保持多个基板的多个搁架；及边缘温度校正元件，设置在该内衬套与第一环形反射器之间。
6.本公开内容的实施方式亦包括处理腔室。处理腔室包括：壳体结构，具有第一侧壁及在第一方向上与该第一侧壁相对的第二侧壁；气体注入组件，耦接至该第一侧壁；气体排放组件，耦接至该第二侧壁；石英腔室，设置于该壳体结构之内；处理套组，设置在该石英腔室之内，该处理套组包含具有多个搁架的盒匣，该多个搁架被配置为在其上保持多个基板；多个上部灯模块，设置于该石英腔室的第一侧上并且被配置为提供辐射热至该多个基板；多个下部灯模块，设置于在垂直于该第一方向的第二方向上与该第一侧相对的该石英腔室的第二侧上，并且被配置为提供辐射热至该多个基板；及升降旋转机构，被配置为在该第二方向上移动该盒匣并且围绕该第二方向旋转该盒匣。处理套组进一步包括：外衬套；内衬套，具有多个第一入口孔及多个第一出口孔，该多个第一入口孔设置在该内衬套的注入侧上并且被配置为与气体注入组件流体连通，该多个第一出口孔设置在该内衬套的排气侧上
并且被配置为与气体排放组件流体连通；第一环形反射器，设置在该外衬套与该内衬套之间；顶板及底板，附接于该内衬套的内表面，该顶板及底板与内衬套一起形成外壳，盒匣设置在外壳之内；及边缘温度校正元件，设置在该内衬套与第一环形反射器之间。
7.本公开内容的实施方式进一步包括处理系统。处理系统包括处理腔室，处理腔室包括：壳体结构，具有第一侧壁及在第一方向上与该第一侧壁相对的第二侧壁；气体注入组件，耦接至该第一侧壁；气体排放组件，耦接至该第二侧壁；石英腔室，设置于该壳体结构之内；处理套组，设置在该石英腔室之内，该处理套组包含：具有多个搁架的盒匣，该多个搁架被配置为在其上固持多个基板；外衬套；内衬套，具有多个第一入口孔及多个第一出口孔，该多个第一入口孔设置在该内衬套的注入侧上并且被配置为与气体注入组件流体连通，该多个第一出口孔设置在该内衬套的排气侧上并且被配置为与气体排放组件流体连通；及第一环形反射器，设置在该外衬套与该内衬套之间；顶板及底板，附接于该内衬套的内表面，该顶板及底板与内衬套一起形成外壳，盒匣被设置在外壳之内；及边缘温度校正元件，设置在该内衬套与第一环形反射器之间；多个上部灯模块，设置于该石英腔室的第一侧上并且被配置为提供辐射热至该多个基板；多个下部灯模块，设置于在垂直于该第一方向的第二方向上与该第一侧相对的该石英腔室的第二侧上，并且被配置为提供辐射热至该多个基板；升降旋转机构，被配置为在该第二方向上移动该盒匣并且围绕该第二方向旋转该盒匣；及移送机器人，被配置为将该多个基板移送进出设置于该处理腔室中的该处理套组。
附图说明
8.为了能够详细理解本公开内容的上述特征的方式，可经由参考实例获得简要概述于上文的更特定描述，这些实例的一些实例图示于附图中。然而，应注意，附图仅图示一些实例并且因此不被视为限制本公开内容的范围，因为本公开内容可允许其他同等有效的实例。
9.图1是根据一或多个实施方式的批次多腔室处理系统的实例的示意俯视图。
10.图2是根据一或多个实施方式的可用于执行批次多晶片清洁工艺的示例性处理腔室的示意截面图。
11.图3是根据一个实施方式的处理套组的示意截面图。
12.图4是根据一个实施方式的处理套组的示意截面图。
13.图5是根据一个实施方式的处理套组的示意截面图。
14.为了促进理解，在可能的情况下，已使用相同的附图标记来指示诸图共用的相同元件。
具体实施方式
15.总体而言，本文描述的实例大体涉及半导体处理的领域，且更特定而言涉及晶片的预外延烘烤。
16.本文描述的一些实例提供一种多晶片批次处理系统，其中在经由外延工艺于多个基板上进行薄膜生长之前，通过在外延(epi)腔室中的氢气氛中烘烤基板，将多个基板预清洁以移除诸如氧化物的污染物，同时在设置于处理容积内的基板上及基板之间保持均匀的温度分布。因此，多晶片批次处理系统可在制造的装置中提供改良的品质及产量。
17.下文描述了各种不同的实例。尽管不同实例的多个特征可在工艺流或系统中一起描述，但是多个特征可各自分别或个别地实施及/或在不同的工艺流或不同的系统中实施。
18.图1是根据一或多个实施方式的处理系统100的实例的示意俯视图。处理系统100通常包括工厂界面102，装载锁定腔室104、106，具有各自的移送机器人110、118的移送腔室108、116，保持腔室112、114，及处理腔室120、122、124、126、128、130。如本文所详述的，处理系统100中的基板可在不暴露于处理系统100外部的周围环境的情况下在各个腔室中处理并且在各个腔室之间移送。例如，在系统100中的基板上执行的各个工艺之间在不破坏低压或真空环境的情况下，基板可在低压(例如，小于或等于约300托)或真空环境中在各个腔室中处理并且在各个腔室之间移送。因此，处理系统100可为基板的一些处理提供整合解决方案。
19.可根据本文提供的教示适当修改的处理系统的实例包括可根据本文提供的教示适当修改的处理系统的实例包括或整合处理系统或其他适当的处理系统，上述处理系统可购自位于加利福尼亚圣克拉拉(santa clara，california)的应用材料公司(applied materials，inc.)。可以预期，其他处理系统(包括来自其他制造商的处理系统)可适于受益于本文所述的方面。
20.在图1的所示实例中，工厂界面102包括对接站140及工厂界面机器人142以促进基板移送。对接站140被配置为接收一或多个前开式晶片传送盒(front opening unified pod；foup)144。在一些实例中，每一工厂界面机器人142通常包含设置在各个工厂界面机器人142的一端上的叶片148，该工厂界面机器人被配置为将基板从工厂界面102移送至装载锁定腔室104、106。
21.装载锁定腔室104、106具有耦接至工厂界面102的相应端口150、152，以及耦接至移送腔室108的相应端口154、156。移送腔室108进一步具有耦接至保持腔室112、114的相应端口158、160，以及耦接至处理腔室120、122的相应端口162、164。类似地，移送腔室116具有耦接至保持腔室112、114的相应端口166、168，以及耦接至处理腔室124、126、128、130的相应端口170、172、174、176。端口154、156、158、160、162、164、166、168、170、172、174及176可以是例如具有狭缝阀的狭缝开口，用于经由移送机器人110、118使基板通过并且用于在各个腔室之间提供密封以防止气体在各个腔室之间通过。通常，任何端口为开放的以用于通过其移送基板；否则，端口是关闭的。
22.装载锁定腔室104、106，移送腔室108、116，保持腔室112、114，及处理腔室120、122、124、126、128、130可流体地耦接至气体及压力控制系统(未图示)。气体及压力控制系统可包括流体地耦接至各个腔室的一或多个气泵(例如，涡轮泵、低温泵、低真空泵等)、气源、各个阀及导管。在操作中，工厂界面机器人142将基板从foup 144通过端口150或152移送至装载锁定腔室104或106。气体及压力控制系统随后将装载锁定腔室104或106抽真空。气体及压力控制系统还将移送腔室108、116及保持腔室112、114维持为具有内部低压或真空环境(其可包括惰性气体)。因此，装载锁定腔室104或106的抽真空促进了在例如工厂界面102的大气环境与移送腔室108的低压或真空环境之间传递基板。
23.对于在已经抽真空的装载锁定腔室104或106中的基板，移送机器人110将基板从装载锁定腔室104或106通过端口154或156移送至移送腔室108中。移送机器人110随后能够通过相应端口162、164将基板移送至处理腔室120、122的任何处理腔室及/或在处理腔室
120、122的任何处理腔室之间移送以便处理，以及通过相应端口158、160将基板移送至保持腔室112、114以便保持以等待进一步移送。类似地，移送机器人118能够通过端口166或168接取保持腔室112或114中的基板，并且能够通过相应端口170、172、174、176将基板移送至处理腔室124、126、128、130的任何处理腔室及/或在处理腔室124、126、128、130的任何处理腔室之间移送以便处理，以及通过相应端口166、168将基板移送至保持腔室112、114以便保持以等待进一步移送。基板在各个腔室之内及之间的移送及保持可在由气体及压力控制系统提供的低压或真空环境中进行。
24.处理腔室120、122、124、126、128、130可为用于处理基板的任何适当腔室。在一些实例中，处理腔室122可能够执行清洁工艺；处理腔室120可能够执行蚀刻工艺；并且处理腔室124、126、128、130可能够执行各个外延生长工艺。处理腔室122可为可从加利福尼亚圣克拉拉的applied materials获得的siconi
tm
预清洁腔室。处理腔室120可为可从加利福尼亚圣克拉拉的applied materials获得的selectra
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蚀刻腔室。
25.系统控制器190被耦接至处理系统100，用于控制处理系统100或该系统的各部件。例如，系统控制器190可使用对处理系统100的腔室104、106、108、112、114、116、120、122、124、126、128、130的直接控制，或通过控制与腔室104、106、108、112、114、116、120、122、124、126、128、130相关联的控制器来控制处理系统100的操作。在操作中，系统控制器190实现来自各个腔室的数据收集及反馈以协调处理系统100的性能。
26.系统控制器190通常包括中央处理单元(central processing unit；cpu)192、存储器194、及支持电路196。cpu 192可为可在工业环境中使用的任何形式的通用处理器之一。存储器194，或非暂态计算机可读介质可由cpu 192访问并且可为诸如随机存取存储器(random access memory；ram)、只读存储器(read only memory；rom)的存储器、软盘、硬盘、或者本地或远程的任何其他形式的数字储存器的一或多者。支持电路196耦接至cpu 192并且可包含高速缓存、时钟电路、输入/输出子系统、电源等等。本文揭示的各种方法可通常通过cpu 192执行储存于存储器194中(或在特定处理腔室的存储器中)的计算机指令代码(如例如软件程序)在cpu 192的控制下实施。当计算机指令代码由cpu 192执行时，cpu 192控制腔室以根据各个方法执行工艺。
27.其他处理系统可采用其他配置。例如，更多或更少的处理腔室可耦接至移送装置。在所示实例中，移送装置包括移送腔室108、116及保持腔室112、114。在其他实例中，更多或更少的移送腔室(例如，一个移送腔室)及/或更多或更少的保持腔室(例如，无保持腔室)可实施为处理系统中的移送装置。
28.图2是可用于执行批次多晶片清洁工艺(诸如在约800℃的温度下在氢气氛中的烘烤工艺)的示例性处理腔室200的示意截面图。处理腔室200可以是来自图1的处理腔室120、122、124、126、128、130中的任一者。可根据本文揭示的实施方式修改的适当处理腔室的非限制实例可包括rp epi反应器、elvis腔室及lennon腔室，上述腔室全部可购自加利福尼亚圣克拉拉的applied materials，inc.。处理腔室200可被添加至可获自加利福尼亚圣克拉拉的applied materials的整合处理系统。虽然在下文中描述了处理腔室200来用于实践本文所述的各个实施方式，但是来自不同制造商的其他半导体处理腔室亦可用于实践本公开内容中描述的实施方式。
29.处理腔室200包括壳体结构202、支持系统204及控制器206。壳体结构202由耐工艺
材料(process resistant material)制成，例如铝或不锈钢。壳体结构202围封处理腔室200(诸如石英腔室208)的各个功能元件，包括上部210及下部212。处理套组214适于在石英腔室208之内接收多个基板w，处理容积216包含在该石英腔室208中。
30.如本文所使用的，术语“基板”是指用作用于后续处理操作的基础并且包括将被设置为用于在其上形成薄膜的表面的材料层。基板可以为硅晶片、氧化硅、应变硅、硅锗、掺杂或未掺杂的多晶硅、掺杂或未掺杂的硅晶片、图案化或非图案化的晶片、绝缘体上硅(silicon on insulator；soi)、碳掺杂的氧化硅、氮化硅、磷化铟、锗、砷化镓、氮化镓、石英、熔融硅石、玻璃或蓝宝石。此外，基板不限于任何特定尺寸或形状。基板可以为具有200mm直径、300mm直径或其他直径(诸如450mm等)的圆形晶片。基板w亦可为任何多边形、正方形、矩形、弯曲或其他非圆形工件，诸如多边形玻璃基板。
31.基板w的加热可由辐射源提供，辐射源诸如于z轴方向在石英腔室208之上的一或多个上部灯模块218a、218b，以及于z轴方向在石英腔室208之下的一或多个下部灯模块220a、220b。在一个实施方式中，上部灯模块218a、218b及下部灯模块220a、220b为红外灯。来自上部灯模块218a、218b及下部灯模块220a、220b的辐射行进穿过上部210中的上部石英窗222，以及穿过下部212中的下部石英窗224。在一些实施方式中，用于上部210的冷却气体可通过入口226进入并且通过出口228离开。
32.一或多种气体经由气体注入组件230提供至石英腔室208的处理容积216，并且处理副产物经由气体排放组件232从处理容积216移除，该气体排放组件典型地与真空源(未图示)连通。
33.处理套组214进一步包括多个圆筒形衬套，内衬套234及外衬套236，这些衬套为处理容积216屏蔽开壳体结构202的侧壁242。内衬套234包括在-x轴方向上的于面向气体注入组件230的一侧(在下文中称为“注入侧”)上的一或多个入口孔264，以及在+x轴方向上的于面向气体排放组件232的一侧(在下文中称为“排气侧”)上的一或多个出口孔270。外衬套236包括在注入侧上的一或多个入口孔260及在排气侧上的一或多个出口孔272。在内衬套234与外衬套236之间，设置了环形反射器238。环形反射器238包括在注入侧上的一或多个入口孔262及在排气侧上的一或多个出口孔274。环形反射器238通常具有圆筒形管状结构，具有面向内衬套234的反射表面。环形反射器238的反射表面反射来自内衬套234的辐射热并且将该热量封闭于内衬套234之内，否则该热量可能会逸出内衬套234。环形反射器238由不透明的石英或碳化硅(sic)涂布的石墨形成。在一些实施方式中，面向内衬套234的环形反射器238的内表面涂布有高度反射性材料(诸如金)以防止热损失。在一些其他实施方式中，面向内衬套234的环形反射器238的内表面涂布有反射性材料，诸如氧化硅，例如heraeus reflective coating，内衬套234充当容纳盒匣246的处理容积216的圆筒形壁，该盒匣具有多个搁架248(例如，在图2中示出五个搁架)以为批次多晶片工艺保持多个基板w。搁架248在保持于盒匣246中的基板w之间交错，以便在搁架248与基板w之间存在间隙，以允许基板w往返于搁架248的有效机械移送。基板w可通过移送机器人(诸如图1中所示的移送机器人110、118)经由滑动开口(未图示)移送进出处理容积216，该滑动开口形成于面向-y轴方向的前侧上的外衬套236中。在一些实施方式中，基板w被逐个移送进出盒匣246。在一些实施方式中，外衬套236的狭缝开口可通过使用狭缝阀(未图示)打开及关闭。
34.处理套组214进一步包括顶板250及底板252，该顶板250及底板252附接至内衬套
234的内表面并且围封处理套组214内的圆柱形处理容积216。顶板250及底板252以足够的距离与搁架248间隔开设置以允许气体在保持于搁架248中的基板w之上流动。
35.内衬套234由透明石英、碳化硅(sic)涂布的石墨、石墨、或碳化硅(sic)形成。顶板250及底板252由透明石英、不透明石英、碳化硅(sic)涂布的石墨、石墨、碳化硅(sic)、或硅(si)形成，以使得从处理容积216通过顶板250及/或底板252产生的热损失得以降低。设置于处理容积216内的盒匣246的搁架248亦由诸如碳化硅(sic)涂布的石墨、石墨、或碳化硅(sic)的材料形成。外衬套236由具有高反射率的材料形成，诸如不透明石英，并且进一步降低来自处理套组214内的处理容积216的热损失。在一些实施方式中，外衬套236以中空结构形成，其中外衬套236的面向内衬套234的内表面与外衬套236的面向壳体结构202的侧壁242的外表面之间的真空降低了通过外衬套236的热传导。
36.气体可从气体注入组件230的第一气源254(诸如氢气(h2)、氮气(n2)或任何载气)及第二气源256(或无第二气源256)通过在内衬套234中形成的入口孔264注入至处理容积216。内衬套234中的入口孔264经由侧壁242中形成的注入气室258、外衬套236中形成的入口孔260、及环形反射器238中形成的入口孔262而与第一气源254及第二气源256流体连通。被注入的气体沿着层状流动路径266形成气流。入口孔260、262、264可被配置为提供具有可变参数的气流，这些参数诸如速度、密度或组成。
37.沿着流动路径266的气体被配置为流过处理容积216至形成于侧壁242中的排放气室268中，以由气体排放组件232从处理容积216排放。气体排放组件232经由在外衬套236中形成的出口孔272、在环形反射器238中形成的出口孔274、及排放气室268而与内衬套234中形成的出口孔270流体连通，从而最终使气体处于排放流动路径278。排放气室268被耦接至排气泵或真空泵(未图示)。至少注入气室258可由注入帽280支撑。在一些实施方式中，处理腔室200适于为工艺(诸如沉积及蚀刻工艺)提供一或多种液体。此外，尽管在图2中仅图示了两个气源254、256，但是处理腔室200可适于容纳与在处理腔室200中执行的工艺所需的一样多的流体连接。
38.支持系统204包括用于执行和监测处理腔室200中的预定工艺的部件。控制器206被耦接至支持系统204，并且适于控制处理腔室200及支持系统204。
39.处理腔室200包括位于壳体结构202的下部212中的升降旋转机构282。升降旋转机构282包括位于护罩286内的轴284，通过在处理套组214的搁架248中形成的开口(未标记)设置的升降销(未图示)耦接至该轴284。轴284可在z方向上垂直地移动以允许经由移送机器人(诸如图1中所示的移送机器人110、118)通过在内衬套234中的狭缝开口(未图示)及未在外衬套236中图示的狭缝开口，将基板w装载到搁架248中以及将基板w从搁架248卸载。轴284亦可旋转以促进设置在处理套组214之内的基板w于处理期间在x-y平面中的旋转。轴284的旋转由耦接至轴284的致动器288来促进。护罩286通常固定就位，且因此在处理期间不旋转。
40.石英腔室208包括周边凸缘290、292，该周边凸缘290、292使用o形环294附接至且真空密封至壳体结构202的侧壁242。周边凸缘290、292可全部由不透明石英形成，以保护o形环294免于直接暴露于热辐射。周边凸缘290可由诸如石英的光学透明材料形成。
41.在本文描述的示例性实施方式中，处理套组214包括设置在内衬套234与环形反射器238之间的边缘温度校正元件，该边缘温度校正元件通过补偿或降低在基板w边缘附近的
来自处理容积216的热损失而提高保持于处理容积216的搁架248中的每一基板w上的温度均匀性。
42.图3是根据一个实施方式的处理套组214的示意截面图。在图3中所示的示例性实施方式中，边缘温度校正元件为围绕内衬套234的两个加热器302。一个加热器302被设置在注入侧上并且另一加热器302设置在排气侧上。除了上部灯模块218a、218b及下部灯模块220a、220b之外，加热器302可适于加热保持于搁架248中的基板w，并且补偿在内衬套234附近的来自处理容积216的热损失。
43.加热器302可为圆筒形的石墨加热器。在一些实施方式中，加热器302由碳化硅(sic)涂布的石墨形成。提供一或多个端子(未图示)以支持加热器302。加热器302各自包括在z方向上延伸的多个狭缝，从而允许有效地产生热量及通过内衬套234的气体流动。多个狭缝的空间布置及尺寸可被调整以提供在z方向上的所需温度梯度。在一个实例中，加热器320各自具有于z方向上的在约1,000mm与约3,500mm之间的长度，在约25mm与约125mm之间的高度，在约4mm与约8mm之间的厚度，及在约4mm与约12mm之间的宽度。加热器302可将保持于搁架248中的基板w加热至高达约1200℃。在一些实施方式中，可通过调整传递至加热器302的功率而将内衬套234附近的基板w的温度调节在所需温度下。
44.图4是根据一个实施方式的处理套组214的示意截面图。在图4中所示的示例性实施方式中，边缘温度校正元件为环绕内衬套234的加热器402。除了上部灯模块218a、218b及下部灯模块220a、220b之外，加热器402可适于加热保持于搁架248中的基板w，并且补偿在内衬套234附近的来自处理容积216的热损失。
45.加热器402可为设置于内衬套234与环形反射器238之间的灯(例如环形形状的灯)并且提供辐射能至保持于搁架248中的基板w，从而产生具有短的升温(ramp-up)及降温(ramp-down)时间的有效加热。归因于环绕内衬套234的灯的环形形状，加热器402允许气体在外衬套236的入口孔260与外衬套的出口孔272之间无阻碍地流动。在一些实施方式中，加热器402为其中设置有灯丝的环形灯泡。
46.在一些实施方式中，环形反射器238是弯曲的以产生足够的空间来容纳在内衬套234与环形反射器238之间的环形形状的加热器402。
47.图5是根据一个实施方式的处理套组214的示意截面图。在图5中所示的示例性实施方式中，边缘温度校正元件为围绕内衬套234的一或多个额外环形反射器502。一或多个额外环形反射器502可由与环形反射器238相同的材料或不同材料形成，并且适于充当在内衬套234之内的辐射/传导热屏蔽，从而降低在内衬套234附近的来自处理容积216的热损失。额外环形反射器506也包括一或多个出口孔(未标记)及在注入侧上的一或多个入口孔(未标记)，从而允许气体流过内衬套234。
48.在本文描述的实例中，图示一种多晶片批次处理系统，其中在经由外延工艺于多个基板上进行薄膜生长之前，通过在外延(epi)腔室中的氢气氛中烘烤基板，将多个基板预清洁以移除诸如氧化物的污染物，同时在设置于处理容积内的基板上，特别是在基板边缘附近，保持均匀的温度分布。因此，多晶片批次处理系统可在制造的装置中提供所需的品质及产量。
49.虽然前述内容针对本公开内容的各个实例，但是可在不背离本公开内容的基本范围的情况下设计其他及进一步实例，且本公开内容的范围由随附的权利要求书确定。

技术特征：

1.一种用于处理腔室中的处理套组，所述处理套组包含：内衬套，具有：多个第一入口孔，所述多个第一入口孔设置在所述内衬套的注入侧上并且被配置为与处理腔室的气体注入组件流体连通；以及多个第一出口孔，设置在所述内衬套的排气侧上并且被配置为与所述处理腔室的气体排放组件流体连通；顶板及底板，附接于所述内衬套的内表面，所述顶板及所述底板与所述内衬套一起形成外壳；盒匣，设置在所述外壳之内，所述盒匣包含被配置为在其上保持多个基板的多个搁架；第一环形反射器，设置在所述内衬套外侧；及边缘温度校正元件，设置在所述内衬套与所述第一环形反射器之间。2.如权利要求1所述的处理套组，进一步包含：外衬套，在所述第一环形反射器外侧，其中所述外衬套包含选自不透明石英和碳化硅(sic)涂布的石墨的材料。3.如权利要求1所述的处理套组，其中所述内衬套包含选自透明石英和碳化硅(sic)涂布的石墨的材料，且所述顶板及所述底板包含选自透明石英、不透明石英、碳化硅(sic)涂布的石墨的材料。4.如权利要求1所述的处理套组，其中所述第一环形反射器包含选自不透明石英或碳化硅(sic)涂布的石墨的材料，且所述多个搁架包含碳化硅(sic)涂布的石墨。5.如权利要求1所述的处理套组，其中所述边缘温度校正元件包含围绕所述内衬套的两个石墨加热器。6.如权利要求1所述的处理套组，其中所述边缘温度校正元件包含在所述内衬套与所述第一环形反射器之间的灯。7.如权利要求1所述的处理套组，其中所述边缘温度校正元件包含环绕所述内衬套的环形灯。8.如权利要求1所述的处理套组，其中所述边缘温度校正元件包含围绕所述内衬套的第二环形反射器，且所述第二环形反射器包含选自不透明石英或碳化硅(sic)涂布的石墨的材料。9.一种处理腔室，包含：壳体结构，具有第一侧壁及在第一方向上与所述第一侧壁相对的第二侧壁；气体注入组件，耦接至所述第一侧壁；气体排放组件，耦接至所述第二侧壁；石英腔室，设置于所述壳体结构之内；处理套组，设置在所述石英腔室之内，所述处理套组包含具有多个搁架的盒匣，所述多个搁架被配置为在其上保持多个基板；多个上部灯模块，设置于所述石英腔室的第一侧上并且被配置为提供辐射热至所述多个基板；
多个下部灯模块，设置于在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一侧相对的所述石英腔室的第二侧上，并且被配置为提供辐射热至所述多个基板；以及升降旋转机构，被配置为在所述第二方向上移动所述盒匣并且围绕所述第二方向旋转所述盒匣，其中所述处理套组进一步包含：内衬套，具有：多个第一入口孔，设置在所述内衬套的注入侧上并且被配置为与所述气体注入组件流体连通；以及多个第一出口孔，设置在所述内衬套的排气侧上并且被配置为与所述气体排放组件流体连通；顶板及底板，附接于所述内衬套的内表面，所述顶板及所述底板与所述内衬套一起形成外壳，所述盒匣设置在所述外壳之内；第一环形反射器，设置在所述内衬套外侧；及边缘温度校正元件，设置在所述内衬套与所述第一环形反射器之间。10.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述处理套组进一步包含外衬套，且所述外衬套包含选自不透明石英和碳化硅(sic)涂布的石墨的材料。11.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述内衬套包含选自透明石英和碳化硅(sic)涂布的石墨的材料，所述顶板及所述底板包含选自透明石英、不透明石英、碳化硅(sic)涂布的石墨的材料，所述第一环形反射器包含选自不透明石英或碳化硅(sic)涂布的石墨的材料，且所述多个搁架包含碳化硅(sic)涂布的石墨。12.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述边缘温度校正元件包含围绕所述内衬套的两个石墨加热器。13.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述边缘温度校正元件包含在所述内衬套与所述第一环形反射器之间的灯。14.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述边缘温度校正元件包含环绕所述内衬套的环形灯。15.如权利要求9所述的处理腔室，其中所述边缘温度校正元件包含围绕所述内衬套的第二环形反射器，且所述第二环形反射器包含选自不透明石英或碳化硅(sic)涂布的石墨的材料。16.一种处理系统，包含：处理腔室，包含：壳体结构，具有第一侧壁及在第一方向上与所述第一侧壁相对的第二侧壁；气体注入组件，耦接至所述第一侧壁；气体排放组件，耦接至所述第二侧壁；石英腔室，设置于所述壳体结构之内；处理套组，设置在所述石英腔室内，所述处理套组包含：
盒匣，具有被配置为在其上保持多个基板的多个搁架；内衬套，具有：多个第一入口孔，设置在所述内衬套的注入侧上并且被配置为与所述气体注入组件流体连通；以及多个第一出口孔，设置在所述内衬套的排气侧上并且被配置为与所述气体排放组件流体连通；以及顶板及底板，附接于所述内衬套的内表面，所述顶板及所述底板与所述内衬套一起形成外壳，所述盒匣设置在所述外壳之内；第一环形反射器，设置在所述内衬套外侧；及边缘温度校正元件，设置在所述内衬套与所述第一环形反射器之间；多个上部灯模块，设置于所述石英腔室的第一侧上并且被配置为提供辐射热至所述多个基板；多个下部灯模块，设置于在垂直于所述第一方向的第二方向上与所述第一侧相对的所述石英腔室的第二侧上，并且被配置为提供辐射热至所述多个基板；升降旋转机构，被配置为在所述第二方向上移动所述盒匣并且围绕所述第二方向旋转所述盒匣；及移送机器人，被配置为移送所述多个基板进出设置于所述处理腔室中的所述处理套组。17.如权利要求16所述的处理系统，其中所述处理套组进一步包含在所述第一环形反射器外侧的外衬套，且所述外衬套包含选自不透明石英和碳化硅(sic)涂布的石墨的材料。18.如权利要求16所述的处理系统，其中所述内衬套包含选自透明石英和碳化硅(sic)涂布的石墨的材料，所述第一环形反射器包含选自不透明石英或碳化硅(sic)涂布的石墨的材料，且所述多个搁架包含碳化硅(sic)涂布的石墨。19.如权利要求16所述的处理系统，其中所述边缘温度校正元件包含围绕所述内衬套的两个石墨加热器。20.如权利要求16所述的处理系统，其中所述边缘温度校正元件包含在所述内衬套与所述第一环形反射器之间的灯。21.如权利要求16所述的处理系统，其中所述边缘温度校正元件包含环绕所述内衬套的环形灯。22.如权利要求16所述的处理系统，其中所述边缘温度校正元件包含围绕所述内衬套的第二环形反射器，且所述第二环形反射器包含选自不透明石英或碳化硅(sic)涂布的石墨的材料。

技术总结

一种用于处理腔室中的处理套组，该处理套组包括：外衬套；内衬套，被配置为与处理腔室的气体注入组件及气体排放组件流体连通；第一环形反射器，设置在该外衬套与该内衬套之间；顶板及底板，附接于该内衬套的内表面，该顶板及底板与内衬套一起形成外壳；盒匣，设置在外壳之内，该盒匣包含被配置为在其上保持多个基板的多个搁架；及边缘温度校正元件，设置在该内衬套与第一环形反射器之间。衬套与第一环形反射器之间。衬套与第一环形反射器之间。