双镶嵌工艺[发明专利]

专利名称：双镶嵌工艺

专利类型：发明专利

发明人：李再春，吴仓聚，欧阳晖申请号：CN200610103119.7申请日：20060704

公开号：CN1983552A

公开日：

20070620

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了一种应用三层阻抗的部分接触孔优先(partial－via－first)的双镶嵌工艺。首先形成第一接触孔，该第一接触孔穿过介电层的部分厚度，然后在介电层上形成三层阻抗结构，其中三层阻抗的底层填满第一接触孔。进行干式显影工艺去除顶层，使顶层的开口转移至中间层及底层，同时移除第一接触孔的底层以露出第一接触孔。之后进行干式蚀刻工艺以在第一接触孔下形成第二接触孔，并在第二接触孔上形成沟槽。最后进行湿式剥除工艺去除残留的光刻胶层。

申请人：台湾积体电路制造股份有限公司

地址：新竹市

国籍：CN

代理机构：隆天国际知识产权代理有限公司

代理人：潘培坤

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