一种双口SRAM在智能手机中的应用方法[发明专利]

专利名称:一种双口SRAM在智能手机中的应用方法专利类型:发明专利
发明人:赵阳黎
申请号:CN200810057478.2
申请日:20080202
公开号:CN101499051A
公开日:
20090805
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开一种双口SRAM在高通+Marvell PXA270平台智能手机中的应用方法。双DSP 智能手机应用中采用高通MSM6280+Marvell PXA270平台,其中高通CPU是主设备,Marvell CPU是从设备。以DPSRAM器件CYDM256B16-55BVXI作为共享存储器,通过独特的软件分区处理设计有效地实现了智能手机系统中的主/从CPU之间的通信,使得其最大通讯速率可以达到
400Mbit/s。本发明所提供的有益效果在于利用DPSRAM(Dual-port SRAM)方便地构成各种工作方式的高速数据传送接口,不管是在并行处理网络中的数据共享,还是在流水方式中的高速数据传送中,DPSRAM都发挥着重要作用,保证数据通路的畅通。这样可以有效改善整个系统对数据的处理能力,大大提高了系统运行速度,方便用户的使用。
申请人:德信智能手机技术(北京)有限公司
地址:100016 北京市朝阳区酒仙桥北路甲10号D区2楼4-6层
国籍:CN

本文发布于:2024-09-23 05:24:25,感谢您对本站的认可!

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