发明人:杨培志,赵恒利,杨雯,杨启鸣,张志恒
申请号:CN201710848484.9
申请日:20170919
公开号:CN107937884A
公开日:
20180420
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种制备大面积二硫化钼薄膜的沉积方法,该方法的特征是采用六羰基钼(Mo(CO))、二硫化二甲基(CHS)作为钼和硫的前躯体源进行原子层沉积(ALD),采用常规原子层沉积设备,通过优化反应参数,得到大面积的二硫化钼薄膜材料。基于原子层沉积技术的优越性,此方法制备的薄膜具有面积大、致密性好、性能优异、沉积速度稳定、厚度可控等特点,可以改善薄膜质量,进一步增强和拓展二硫化钼薄膜的应用。
申请人:云南师范大学
地址:650500 云南省昆明市呈贡区雨花片区1号
国籍:CN