进行双面工艺的方法[发明专利]

专利名称:进行双面工艺的方法专利类型:发明专利
发明人:杨辰雄
申请号:CN200510126925.1申请日:20051128
公开号:CN1975982A
公开日:
20070606
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明公开了一种进行双面工艺的方法。首先,提供一晶片,且该晶片的正面包含有一结构图案。接着在该结构图案上界定多条正面切割道,再在该等正面切割道内填入一填充层。随后利用一黏着层将该结构图案与一承载晶片接合,并在该晶片的背面界定多条背面切割道。最后移除所述正面切割道内的填充层。
申请人:探微科技股份有限公司
地址:桃园县
国籍:CN
代理机构:北京市柳沈律师事务所

本文发布于:2024-09-22 13:29:14,感谢您对本站的认可!

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标签:晶片   切割   专利   结构   图案   北京市
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