射频馈入结构以及管式PECVD设备的电极接入结构[实用新型专利]

专利名称:射频馈入结构以及管式PECVD设备的电极接入结构
专利类型:实用新型专利
发明人:张勇,李学文,李军阳,龚文志,谭晓华,张海涛,盛亚
申请号:CN202120732264.1
申请日:20210409
公开号:CN215799887U
公开日:
20220211
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本实用新型公开了射频馈入结构以及管式PECVD设备的电极接入结构。其中,射频馈入结构,用于将射频电源接入炉体的真空腔内,所述炉体的炉尾端设置有电极接入口,所述射频馈入结构包括:第一电极杆,所述第一电极杆伸进所述真空腔内;第二电极杆,设置在所述真空腔的外部,所述第二电极杆和射频电源的发射端连接;第一连接部,安装到所述电极接入口,使所述第一电极杆的轴向的一端的第一端部和所述第二电极杆的轴向的一端的第二端部相互导通,并至少使所述第一端部和所述第二端部被绝缘以及被屏蔽。本实用新型的射频馈入结构,不仅能够可靠地将射频电源引入真空腔内,而且结构简单。
申请人:深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司
地址:518118 广东省深圳市坪山区龙田街道竹坑社区金牛东路62号一层至六层
国籍:CN
代理机构:广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人:林明校

本文发布于:2024-09-21 23:29:13,感谢您对本站的认可!

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