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小面区域的检测方法和检测装置以及晶片的生成方法和激光加工装置

专利名称：小面区域的检测方法和检测装置以及晶片的生成方法和激光加工装置

专利类型：发明专利

发明人：伊藤优作，村泽尚树，平田和也

申请号：CN201911079478.7

申请日：20191107

公开号：CN111162017A

公开日：

20200515

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供小面区域的检测方法和检测装置以及晶片的生成方法和激光加工装置。该小面区域的检测方法是能够检测出小面区域和非小面区域的SiC晶锭的小面区域的检测方法。该小面区域的检测方法包括下述工序：荧光亮度检测工序，从SiC晶锭(84)的上表面对SiC晶锭(84)照射规定波长的激发光(EL)，检测SiC固有的荧光亮度；以及坐标设定工序，将荧光亮度检测工序中荧光亮度为规定值以上的区域设为非小面区域(100)，荧光亮度低于规定值的区域设为小面区域(98)，设定小面区域(98)与非小面区域(100)的边界的坐标。

申请人：株式会社迪思科

地址：日本东京都

国籍：JP

代理机构：北京三友知识产权代理有限公司

本文发布于:2024-09-21 19:55:16，感谢您对本站的认可！

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