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一种高吸气性能薄膜吸气剂及制备方法[发明专利]

专利名称：一种高吸气性能薄膜吸气剂及制备方法专利类型：发明专利

发明人：毛昌辉，卜继国，张艳，张心强

申请号：CN201110447870.X

申请日：20111228

公开号：CN103182297A

公开日：

20130703

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明提供了一种高吸气性能的薄膜吸气剂及制备方法。该薄膜吸气剂是在金属、硅片、陶瓷、玻璃基片或密封器件内壁沉积一层气体吸收层或是由气体吸收层与调节层构成的双层结构薄膜，气体吸收层为Zr和Co与选自Y、La、Ce、Pr、Nd中的至少一种材料形成的多元合金，调节层为Ti、Zr、Y、Hf、Mn、Cu、Cr、Al、Fe、Pt、Ru中的一种或多种组分形成的合金。制备方法是采用射频磁控溅射法来沉积气体吸收层和调节层薄膜。本发明的薄膜吸气剂在250～350℃之间激活，吸气速率高，吸气容量大，解决了附着力差、制备效率低与激活时易中毒问题，能够满足微电子机械系统(MEMS)、平板显示器(OLED/FED/LCD)、太阳能绝热板、氢敏感微电子器件的高可靠性与长寿命所需的真空工作环境的设计要求。

申请人：北京有金属研究总院

地址：100088 北京市西城区新街口外大街2号

国籍：CN

代理机构：北京北新智诚知识产权代理有限公司

代理人：程凤儒

本文发布于:2024-09-22 01:19:52，感谢您对本站的认可！

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