(12)发明专利说明书 | ||
(10)申请公布号 CN 114021505 A (43)申请公布日 2022.02.08 | ||
权利要求说明书 说明书 幅图 |
本发明涉及晶体管技术领域,特别提供了一种集成电路FinFET复杂三维结构描述文件的生成方法和系统,具体包括以下步骤:获取集成电路物理版图信息,版图信息只包含平面二维数据;获取FinFET的工艺参数,包括栅极沟道的具体深度参数、源漏极Fin结构的具体参数;根据得到的具体参数生成描述FinFET结构的描述文件,描述文件主要包括栅极沟道结构和源漏极Fin结构;结合三维描述语言得到完整的版图三维结构。本发明在保证结构精准的前提下更简洁,更高效的生成复杂结构,省略了复杂的层生成过程,更贴合芯片的生产过程。 | |
法律状态公告日 | 法律状态信息 | 法律状态 |
2022-02-08 | 公开 | 公开 |
2022-02-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
2022-05-17 | 授权 | 发明专利权授予 |
本文发布于:2024-09-24 18:19:59,感谢您对本站的认可!
本文链接:https://www.17tex.com/tex/4/408596.html
版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。
留言与评论(共有 0 条评论) |