一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方 ...

(19)中华人民共和国国家知识产权局

	(12)发明专利说明书
		(10)申请公布号 CN 114068757 A (43)申请公布日 2022.02.18

(21)申请号 CN202111215134.1

(22)申请日 2021.10.19

(71)申请人复旦大学

地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

(72)发明人卢红亮陈丁波

(74)专利代理机构 31200 上海正旦专利代理有限公司

代理人王洁平

(51)Int.CI

H01L31/153(20060101)

H01L31/18(20060101)

H01L27/15(20060101)

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法

(57)摘要

本发明公开了一种基于氮化镓微型发光二极管和光电三极管的单片集成器件及其制备方法。本发明在AlGaN/GaN异质结基板上通过选区外延生长制备微型发光二极管microLED，并与AlGaN/GaN界面的二维电子气原位形成电连接。本发明中，micro‑LED采用自下而上方法制备，从根本上消除了侧壁损伤，能够有效提高器件性能。同时，由于集成了microLED和紫外光电探测器，使得本发明的单片集成器件具有发射信号和接收信号的双重功能，可以作为光通信中的收发单元和光互连单元。

法律状态

法律状态公告日	法律状态信息	法律状态
2022-02-18	公开	公开
2022-03-08	实质审查的生效IPC(主分类):H01L31/153专利申请号:2021112151341申请日:20211019	实质审查的生效