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...体技术增强氧化铪(HfO)基铁电薄膜铁电性能的方法[发明专利...

专利名称：一种通过等离子体技术增强氧化铪(HfO)基铁电薄膜铁电性能的方法
专利类型：发明专利
发明人：燕少安，龚俊，罗鹏宏，唐明华，郑学军
申请号：CN202011325193.X
申请日：20201124
公开号：CN112447508A
公开日：
20210305
专利内容由知识产权出版社提供
摘要：本发明公开了一种通过等离子体技术增强氧化铪(HfO)基铁电薄膜铁电性能的方法，具体方法步骤包括：预先对衬底进行等离子体清洗；配制HfO基铁电薄膜的前驱体溶液；在所述衬底上沉积HfO基铁电薄膜；对所述HfO基铁电薄膜进行退火处理；对所述HfO基铁电薄膜进行等离子体处理；在所述HfO基铁电薄膜上沉积顶电极。本发明通过等离子技术改善衬底与HfO基铁电薄膜界面的质量、降低HfO基铁电薄膜中的氧空位浓度，从而显著提高HfO基铁电薄膜材料的极化强度。本发明公开的工艺方法具有低成本、高重复性、效果显著等优点。
申请人：湘潭大学
地址：411105 湖南省湘潭市雨湖区湘潭大学机械工程学院411
国籍：CN

本文发布于:2024-09-22 16:50:42，感谢您对本站的认可！

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标签：薄膜   基铁   等离子体   进行   衬底   方法   专利   湘潭
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