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一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路[实用新型专利]

专利名称：一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路专利类型：实用新型专利

发明人：柳树渡，李茂华，孙志新

申请号：CN201821219164.3

申请日：20180727

公开号：CN208623641U

公开日：

20190319

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本实用新型公开了一种抑制负向驱动电压尖峰的MOS管驱动电路，包括推挽电路、RCD钳位电路、负压电路、RCD电路、栅极电阻R2和MOS管S1，负压电路由电阻R1、电容C1、电容C2和稳压二极管D1组成，MOS管S1的源极与所述稳压二极管D1的阴极连接，稳压二极管D1的阳极与所述供电电源地电平连接，所述电容C2与所述稳压二极管D1并联连接，电容C1的一端与所述推挽电路的供电电源连接，电容C1的另一端与所述MOS管S1的源极连接；本实用新型采用该电路能够有效减小MOS管的GS正向和负向驱动尖峰电压，提高MOS管的可靠开通和关断，具有电路结构简单，性能可靠等优点。

申请人：深圳英飞源技术有限公司

地址：518000 广东省深圳市宝安区石岩街道塘头社区塘头1号路领亚工业园1号厂房一层

国籍：CN

本文发布于:2024-09-21 10:51:28，感谢您对本站的认可！

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