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一种LED衬底转移方法及其应用[发明专利]

专利名称：一种LED衬底转移方法及其应用专利类型：发明专利

发明人：王亚洲，朱酉良

申请号：CN201711464249.8

申请日：20171228

公开号：CN108365058A

公开日：

20180803

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种LED衬底转移方法及其应用，该LED衬底转移方法包含：在LED结构的P‑GaN层的P面进行键合金属层生长，该键合金属层通过若干对Au层和Sn层叠对生长，且Au层和Sn 层至少两对叠对；在转移衬底Si表面生长粘合Au层；将所述的键合金属层和所述的粘合Au层进行金属键合，完成衬底转移。本发明的衬底转移方法解决了现有技术由于键合层的厚度较厚，键合速度面时间长，且金属Sn易被氧化，而造成的影响键合效果差和产率低的问题，能够增加键合速度，提高键合产率。

申请人：映瑞光电科技(上海)有限公司

地址：201306 上海市浦东新区临港产业区新元南路555号金融中心211室

国籍：CN

代理机构：上海信好专利代理事务所(普通合伙)

代理人：周乃鑫

本文发布于:2024-09-20 21:29:13，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/4/399907.html

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