通过氟处理进行的IGZO钝化的氧空位[发明专利]

专利名称:通过氟处理进行的IGZO钝化的氧空位
专利类型:发明专利
发明人:徐豪键,任东吉,元泰景,张雪娜,元镐成,罗德尼·顺隆·利马
申请号:CN201780006372.7
申请日:20170110
公开号:CN108475620A
公开日:
20180831
专利内容知识产权出版社提供
摘要:本公开内容的实施方式一般地涉及用于形成具有金属氧化物层的TFT的方法。所述方法可以包括形成金属氧化物层并且用含氟的气体或等离子体处理金属氧化物层。对金属氧化物层的氟处理帮助填充金属氧化物沟道层中的氧空位,从而产生更稳定的TFT并且防止TFT中的负阈值电压。
申请人:应用材料公司
地址:美国加利福尼亚州
国籍:US
代理机构:北京律诚同业知识产权代理有限公司

本文发布于:2024-09-22 01:10:14,感谢您对本站的认可!

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