一种量子点发光二极管及其封装方法

(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利说明书
(10)申请公布号 CN 111952426A 8
(43)申请公布日 2022.02.08
(21)申请号 CN202010703828.9
(22)申请日 2020.07.21
(71)申请人 广东广腾达科技有限公司;台湾奈晶股份有限公司
    地址 523000 广东省东莞市松山湖园区总部二路9号1栋2单元210室
(72)发明人 陈志荣 蒋瑞光
(74)专利代理机构 31333 上海微策知识产权代理事务所(普通合伙)
    代理人 李萍
(51)Int.CI
      H01L33/48(20100101)
      H01L33/50(20100101)
      H01L33/52(20100101)
      H01L33/58(20100101)
                                                                  权利要求说明书 说明书 幅图
(54)发明名称
      一种量子发光二极管及其封装方法
(57)摘要
      本发明公开了一种量子点发光二极管,所述量子点发光二极管从下到上依次包括LED光源、量子点光阻层、阻隔层。本发明通过使用厚度<20μm和特定材质的量子点光阻层,减少量子点光阻层与LED光源出光面的阶梯段差,提高阻隔材料的涂布性,保证阻隔材料的涂布可采用干式或湿式法,且阻隔材料不易因热冷缩而产生龟裂,导致漏气而氧化,增加侧边封装的成功率和制程的可靠度及延长材料的可靠性。本发明还在阻隔材料上设置有第二遮光层,防止由于LED光源的出光面积和量子点光阻层的发光面积的大小不一致带来的漏光问题。而在LED光源和阻隔层的四周包覆设置有第一遮光层,实现正面单面发光设计,以增加正面的发光效率。
法律状态
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-12-04
实质审查的生效
实质审查的生效
2020-11-17
公开
公开
2022-02-08
发明专利公报更正卷:36号:47-01页码: 申请号:2020107038289IPC(主分类):H01L0033480000修正类型代码:更正项目:申请人;地址;申请人误:广东广腾达科技有限公司;523000 广东省东莞市松山湖园区总部二路9号1栋2单元210室;台灣奈晶股份有限公司正:广东广腾达科技有限公司;523000 广东省东莞市松山湖园区总部二路9号1栋2单元210室;台湾奈晶股份有限公司
发明专利更正
2022-03-25
授权
发明专利权授予
2022-10-04
专利权的转移IPC(主分类):H01L33/48专利号:ZL2020107038289登记生效日:20220921变更事项:专利权人变更前权利人:广东广腾达科技有限公司变更后权利人:广东广腾达科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:523000 广东省东莞市松山湖园区总部二路9号1栋2单元210室变更后权利人:523000 广东省东莞市松山湖园区工业南路4号2栋411室变更事项:专利权人变更前权利人:台湾奈晶股份有限公司变更后权利人:
专利申请权、专利权的转移
2023-04-21
专利权的转移IPC(主分类):H01L33/48专利号:ZL2020107038289登记生效日:20230410变更事项:专利权人变更前权利人:广东广腾达科技有限公司变更后权利人:青岛诚志奈晶显示科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:523000 广东省东莞市松山湖园区工业南路4号2栋411室变更后权利人:266000 山东省青岛市中国(山东)自由贸易试验区青岛片区前湾保税港区莫斯科路44号乾通源办公楼二楼8212-1-7室(A)
专利申请权、专利权的转移

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