一种高性能PbTe基N型热电材料及其制备方法[发明专利]

专利名称:一种高性能PbTe基N型热电材料及其制备方法专利类型:发明专利
发明人:裴艳中,李文,肖猷魏,吴怡萱
申请号:CN202010031353.3
申请日:20200113
公开号:CN111200055A
公开日:
20200526
专利内容由知识产权出版社提供
摘要:本发明涉及一种高性能PbTe基N型热电材料及其制备,该热电材料的化学式为CuPbTeSe,其中,0<x≤0.75%。与现有技术相比,本发明通过使用异价的间隙原子掺杂,铜原子在进入晶格后,在间隙位置能够释放电子,调节载流子浓度,使材料表现出N型半导体的性质。由于加入的间隙铜原子在PbTeSe材料体系中具有随温度不断增大的溶解度,从而在升温过程中能够获得随温度升高而增大的载流子浓度,实现载流子浓度的动态优化,增强了材料的电学输运性能;此外,间隙铜原子的聚集能够材料中引入高密度的晶内位错,这些位错缺陷能在材料中引入显著的晶格应变,从而大幅降低材料的晶格热导率,大大优化材料的热学性能。
申请人:同济大学
地址:200092 上海市杨浦区四平路1239号
国籍:CN
代理机构:上海科盛知识产权代理有限公司
代理人:刘燕武

本文发布于:2024-09-23 10:30:27,感谢您对本站的认可!

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标签:材料   原子   间隙   能够   载流子
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