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一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片[发明专利]

专利名称：一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片专利类型：发明专利

发明人：王毅，谢盛达

申请号：CN200910029292.0

申请日：20090408

公开号：CN101515584A

公开日：

20090826

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：一种用MOS工艺结构集成的二极管芯片。涉及一种由多个单元集成的二极管芯片。本发明芯片的硅片中集成有若干个含有8个半导体管的“细胞”电路，每个半导体管中均设有栅(G)、源(S)、漂移区、漏(D)，所述的栅(G)、源(S)短接；在硅片两面设正极面铝钛镍银金属层、负极面铝钛镍银金属层，所述栅(G)嵌入正极面铝钛镍银金属层的底面，所述漏(D)接触负极面铝钛镍银金属层的顶面。本发明采用MOS工艺结构设计制造，根据MOC场效应晶体管P沟道器件效应原理，设计成柵－源短路新型结构。正向导通压降小、正向导通功耗及发热量小、电流通过能力强、反向漏电流小、反向高温特性好和具有较强抗静电抗雷电能力。

申请人：扬州扬杰电子科技有限公司

地址：225008 江苏省扬州市维扬区平山堂北路江阳工业园创业园三期

国籍：CN

代理机构：北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：奚衡宝

本文发布于:2024-09-23 12:30:30，感谢您对本站的认可！

本文链接：https://www.17tex.com/tex/4/396550.html

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