无芯封装基板及其制备方法与流程

1.本发明涉及半导体封装基板的制造领域，特别是涉及一种无芯封装基板及其制备方法。

背景技术：

2.随着现代社会的发展，尤其随着5g时代的到来，电子产品逐渐变得多功能化及高集成度，高频射频和功放等大功率电子元件对封装基板的散热能力要求也越来越高，这促进了高密度、多样化的基板散热结构设计的发展。随着无线通信、汽车电子及其它消费类电子产品朝着多功能、轻薄短小、高频高速、低功耗和高可靠性等方向发展，电子产品的薄型化催生了无芯封装基板，它不仅比有芯封装基板更薄，而且电气性能更加优越，对于支撑、导通芯片的刚性封装基板而言，其所涉及的线路越来越细，埋入线路技术ets(embedded trace substrate)，是无芯(coreless)基板的一种特殊线路结构，埋线线路控制精度高，埋线线路嵌入树脂中，所谓嵌入树脂中是指埋线线路的上面被树脂包覆，使得埋线线路结合力大。现已从常规线宽/线距(l/s)的50μm/50μm发展到25μm/25μm、15μm/15μm甚至更小的8μm/8μm。
3.传统pcb埋线工艺采用“承载板上压铜箔，图形转移，电镀/蚀刻及去膜”的工艺流程制作埋线。在蚀刻过程中，蚀刻药水会同时攻击需蚀刻区域与被保护图形侧壁，造成线路“侧蚀”现象。这样完成的埋线并不是设计的“矩形”状而是“梯形”状，而且完成的埋线常会出现埋线底边参差不齐的问题。若是加成法则会受到药水及设备的限制，目前最细只能做到8μm/8μm，还会造成废水等的产生，此外，若图形制作使用加成法，承载板上的铜箔最后要翻转进行闪蚀进行去除，而药水蚀刻的同时更会使得事先做好的埋线产生凹陷(dimple)等问题，降低了其可靠性。更重要的是，有些内埋天线或电感线圈等会对埋线的线宽间距进行容差规定，例如公差
±
3μm，这是加成法和半加成法做不到的公差，这对电信号传输的完整性以及制作更精密的埋线线路需求有着很大的不利影响。
4.鉴于以上，有必要提供一种无芯封装基板及其制备方法，以解决现有技术中埋线技术导致产品性能差和工艺中常出现的众多问题，比如线路“侧蚀”、埋线底边参差不齐等的品质问题，以提高埋线线路精度，应对快速发展的无芯封装基板。

技术实现要素：

5.鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种无芯封装基板及其制备方法，以解决现有技术中埋线技术导致产品性能差和工艺中常出现的众多问题，比如线路“侧蚀”、埋线底边参差不齐等的品质问题，以提高埋线线路精度，应对快速发展的无芯封装基板。
6.为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种无芯封装基板的制备方法，所述制备方法包括：
7.s1：提供附有可解离膜的支撑板；
8.s2：于所述可解离膜上采用干法制程制备第一金属柱与埋线，所述第一金属柱高于所述埋线，所述埋线的线宽/线距大于等于5μm/5μm；
9.s3：于所述可解离膜、所述第一金属柱及所述埋线上形成第一介电层，以将所述第一金属柱与所述埋线塑封，得到无芯封装基板结构；
10.s4：于所述无芯封装基板结构表面形成第一金属种子层；
11.s5：于所述第一金属种子层上形成第一金属盘及第一线路；
12.s6：通过所述可解离膜去除所述支撑板，得到所述无芯封装基板。
13.可选地，当所述无芯封装基板的高度小于预设高度的无芯封装基板时，在步骤s5后重复进行步骤s2至s5至少一次，其中重复步骤s2中不包括形成所述埋线的步骤，直至形成预设高度的所述无芯封装基板。
14.可选地，所述无芯封装基板的制备方法还包括于所述无芯封装基板上下表面进行阻焊工艺的步骤，保护所述无芯封装基板的外层结构不被氧化。
15.可选地，所述第一介电层的材质不包含玻璃纤维。
16.可选地，所述第一金属柱为铜柱，所述铜柱为圆柱形，所述铜柱的直径大于等于10μm，高度大于等于5μm。
17.可选地，所述干法制程为3d打印技术。
18.可选地，所述3d打印技术制备所述第一金属柱及所述埋线所用的打印材料包含导电颗粒银及铜的混合浆料或纯金属纳米浆料中的一种。
19.本发明还提供一种无芯封装基板，所述无芯封装基板通过上述任意一项所述的无芯封装基板的制备方法所制备。
20.可选地，所述无芯封装基板的厚度大于等于30μm。
21.如上所述，本发明的无芯封装基板及其制备方法，具有以下有益效果：
22.本发明的支撑板可重复利用，减少了成本的浪费，还能有效地避免无芯封装基板在生产过程中因太薄或涨缩而产生的翘曲、卡板等问题；本发明在附有可解离膜的支撑板进行无芯封装基板的制备，基板制备完成去除可解离膜后，不会造成传统埋线工艺蚀刻掉铜箔所产生的凹陷等问题，使得线型更好更稳定，此外，本发明的第一金属柱及埋线可直接接触可解离膜，制备第一金属柱及埋线后压合介电层，结合力更好，从而增加了无芯封装基板的可靠性，在去除可解离膜后，第一金属柱表面也不会有介电层中的残胶，避免了第一金属柱与介电层存在高度差的问题；本发明采用干法制程制备第一金属柱及埋线，可减少废水的产生，减轻环境污染，更为绿环保；相比传统工艺中电镀填孔，只能一次电镀一种规格的孔径，需要分别制备不同规格的第一金属柱及埋线，才能保证电镀的均匀性，本发明可以制备不同规格的埋线及更高的第一金属柱，制备更灵活多变，简化工艺流程，生产周期更短，生产效率更高；本发明的线路层使用加成法制备，相比以往的减成法或者半加成法，可以做到更精细的线路和盘。
附图说明
23.图1显示为本发明的无芯封装基板的制备方法的流程示意图。
24.图2至图10显示为本发明的无芯封装基板的制备方法的各步骤所呈现的结构示意图。
25.图11显示为本发明的另一实施例中无芯封装基板的结构示意图。
26.元件标号说明
27.10
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支撑板
28.20
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可解离膜
29.31
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第一金属柱
30.32
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第二金属柱
31.40
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埋线
32.51
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第一介电层
33.52
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第二介电层
34.61
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第一种子层
35.62
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第二种子层
36.70
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干膜
37.81
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第一金属盘
38.82
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第一线路
39.83
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第二金属盘
40.84
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第二线路
41.85
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第三金属盘
42.86
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第三线路
具体实施方式
43.以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
44.如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。
45.为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个结构或特征与其他结构或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。本文使用的“介于
……
之间”表示包括两端点值。
46.在本技术的上下文中，所描述的第一特征在第二特征“之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。
47.请参阅图1至图11。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
48.实施例一
49.如图1及图10所示，本实施例提供一种无芯封装基板的制备方法，所述无芯封装基板的制备方法包括以下步骤：
50.s1：提供附有可解离膜20的支撑板10；
51.s2：于所述可解离膜20上采用干法制程制备第一金属柱31与埋线40，所述第一金属柱31高于所述埋线40，所述埋线40的线宽/线距大于等于5μm/5μm；
52.s3：于所述可解离膜20、所述第一金属柱31及所述埋线40上形成第一介电层51，以将所述第一金属柱31与所述埋线40塑封，得到无芯封装基板结构；
53.s4：于所述无芯封装基板结构表面形成第一金属种子层61；
54.s5：于所述第一金属种子层61上形成第一金属盘81及第一线路82；
55.s6：通过所述可解离膜20去除所述支撑板10，得到所述无芯封装基板。
56.本实施例的支撑板可重复利用，减少了成本的浪费，还能有效地避免无芯封装基板在生产过程中因太薄或涨缩而产生的翘曲、卡板等问题；本实施例在附有可解离膜的支撑板进行无芯封装基板的制备，基板制备完成去除可解离膜后，不会造成传统埋线工艺蚀刻掉铜箔所产生的凹陷等问题，使得线型更好更稳定，此外，本实施例的第一金属柱及埋线可直接接触可解离膜，制备第一金属柱及埋线后压合介电层，结合力更好，从而增加了无芯封装基板的可靠性，在去除可解离膜后，第一金属柱表面也不会有介电层中的残胶，避免了第一金属柱与介电层存在高度差的问题；本实施例采用干法制程制备第一金属柱及埋线，可减少废水的产生，减轻环境污染，更为绿环保；相比传统工艺中电镀填孔，只能一次电镀一种规格的孔径，需要分别制备不同规格的第一金属柱及埋线，才能保证电镀的均匀性，本实施例可以制备不同规格的埋线及更高的第一金属柱，制备更灵活多变，简化工艺流程，生产周期更短，生产效率更高；本实施例的线路层使用加成法制备，相比以往的减成法或者半加成法，可以做到更精细的线路和盘。
57.参阅图1至图10，以下结合附图对本实施例进行进一步的介绍。
58.如图1及图2所示，作为示例，首先进行步骤s1，提供附有可解离膜20的支撑板10。
59.所述支撑板10具有一定的刚性，可以足够支撑在其表面形成的其他结构，所述支撑板10上附有的所述可解离膜20，用于后续工艺的使用，方便去除所述支撑板10。所述支撑板10的厚度及所述可解离膜20的厚度不做任何限制，可根据实际需要进行设置，只要符合以上要求即可。所述支撑板10的材质为无机材料、有机高分子聚合物等中的一种或两种以上的组合，此外，所述支撑板10可重复利用，在一定程度上减少了成本的浪费。本实施例的支撑板可重复利用，减少了成本的浪费，还能有效地避免无芯封装基板在生产过程中因太薄或涨缩而产生的翘曲、卡板等问题；本实施例在附有可解离膜的支撑板进行无芯封装基板的制备，基板制备完成去除可解离膜后，不会造成传统埋线工艺蚀刻掉铜箔所产生的凹陷等问题，使得线型更好更稳定。
60.如图1及图3所示，作为示例，接着进行步骤s2，于所述可解离膜20上采用干法制程制备第一金属柱31与埋线40，所述第一金属柱31高于所述埋线40，所述埋线40的线宽/线距大于等于5μm/5μm。
61.作为示例，所述干法制程为3d打印技术，可减少废水的产生，减轻环境污染，更为绿环保；所述3d打印技术制备所述第一金属柱31与所述埋线40所用的打印材料包括导电颗粒银及铜的混合浆料或纯金属纳米浆料中的一种，浆料利用率高，不会导致大量浪费，以
使整体成本会更加低廉。
62.在所述3d打印技术打印所述第一金属柱31与所述埋线40时，可以一次性同时进行对不同规格的所述第一金属柱31与所述埋线40的打印，节省工艺时间，只要预先设定好所述第一金属柱31与所述埋线40所需要的规格即可。且包括并不限于一次性同时进行对不同规格的所述第一金属柱31与所述埋线40的打印，也可以先打印所述第一金属柱31，再打印所述埋线40，或先打印所述埋线40再打印所述第一金属柱31。所述3d打印技术所使用的3d打印机具体类型并无固定限制，只要能满足本实施例的打印需求即可，可根基实际情况进行选择。此外，还可以同时打印和激光烧结，也可以先进行打印后，再烧结固化成型，成型方式可根据实际需要进行设置，在此不做限制。
63.相比传统工艺中电镀填孔，只能一次电镀一种规格的孔径，需要分别制备不同规格的第一金属柱及埋线，才能保证电镀的均匀性，本实施例可以制备不同规格的所述埋线40及更高的所述第一金属柱31，制备更灵活多变，简化工艺流程，生产周期更短，生产效率更高。
64.本实施例中，所述第一金属柱31的形状可根据实际情况进行设置，可为长方体形、圆柱形及多边形柱体中的一种或两种以上的组合，在本实施例中，为了保证每层金属柱的无差别互联，第一金属柱31优选采用相同的形状，以圆柱形为例，第一金属柱31的直径大于等于10μm，高度大于等于5μm，其具体尺寸可根据实际需要进行设置，只要再次范围内即可；在本实施例中，因金属铜的导电效果及其成本低的原因，所述第一金属柱31优先采用为铜柱。
65.本实施例中所述埋线40的线宽/线距大于等于5μm/5μm，高度不做限制，只要在制备时，所述第一金属柱31的高度高于所述埋线40的高度即可。在现有技术中，采用“承载板上压铜箔，图形转移，电镀/蚀刻及去膜”的工艺流程制作的埋线，目前最细线宽/线距规格只能做到8μm/8μm，而本实施例中采用所述3d打印技术来进行打印，可以制作5μm/5μm以上的线路。
66.这里需要说明的是，所述第一金属柱31的高度设置需要高于所述埋线40，以满足所述第一金属柱31与上下层的互联。
67.如图1及图4至图5所示，作为示例，接着进行步骤s3，于所述可解离膜20、所述第一金属柱31及所述埋线40上形成第一介电层51，以将所述第一金属柱31与所述埋线40塑封，得到无芯封装基板结构。
68.于所述可解离膜20、所述第一金属柱31及所述埋线40上压合一层所述第一介电层51，也叫绝缘层，在此可以包含pcb所有的绝缘介电层。但在现有技术中，往往采用含有玻璃纤维的pp材料进行层压，但是这种方法制作的无芯封装基板的线路密度不高，作为示例，所述第一介电层51的材质不包含玻璃纤维，所述第一介电层51的材料可以为环氧树脂、聚酰亚胺、聚马来酰亚胺三嗪树脂、聚苯醚或聚四氟乙烯、玻璃、石英或氧化硅中的一种或两种以上的组合。压合采用热压或真空压膜的方式进行，所述第一介电层51会随着层压具有流动性，从而填满所述第一金属柱31及所述埋线40间的缝隙。这里需要说明的是，层压后，所述第一介电层51的高度需要比所述第一金属柱31的高度高(如图4所示)。
69.如图5所示，对上述结构的顶层进行物理抛光或研磨以及等离子体干法刻蚀工艺，以将所述第一金属柱31的顶部露出来，同时，研磨掉通过所述3d打印方式打印的所述第一
金属柱31的端部，使得所述第一金属柱31得到完整的柱状。研磨以上结构后，所述第一金属柱31的顶部表面还会存在少量所述第一介电层51留下的残胶，可以适当的进行表面处理，比如等离子体处理工艺或者化学除胶渣工艺，使得上述结构表面的粗糙度以及清洁度都有所增加，以增加后续所述第一金属种子层61与基板表面的结合力。
70.此外，本实施例的所述第一金属柱31及所述埋线40可直接接触所述可解离膜20，制备所述第一金属柱31及所述埋线40后压合介电层，结合力更好，从而增加了所述无芯封装基板的可靠性。
71.如图1及图6所示，作为示例，接着进行步骤s4，于所述无芯封装基板结构表面形成第一金属种子层61。
72.所述第一金属种子层61的材料为钛、铜及钛钨合金中的一种或两种以上的组合；形成所述第一金属种子层61的工艺方法为化学沉铜工艺或者溅射工艺。
73.如图1及图7至图8所示，作为示例，接着进行步骤s5：于所述第一金属种子层61上形成第一金属盘81及第一线路82。
74.于所述第一金属种子层61上进行图形转移工艺，包括贴膜、曝光及显影的步骤，先在所述第一金属种子层61上贴上干膜70，经过曝光及显影后(如图7所示)，在显影形成的图形中进行电镀金属，电镀后再去除所贴的干膜，同时闪蚀掉干膜底下的所述第一金属种子层61，此时即形成了所述第一金属盘81及所述第一线路82(如图8所示)。此外，所述第一金属盘81及所述第一线路82的制备方法也可以使用所述3d打印技术来进行打印。这里需要说明的是，所述第一金属盘81位于所述第一金属柱31端部，且横截面大于所述第一金属柱31，避免因所述第一金属柱31错位而导致所述无芯封装基板短路；显影出的槽可以是圆形的槽，也可以是方形的槽，或多边形的槽，可根据实际需要进行设置，在此不做限制，显影出的槽的形状也即所述第一金属盘81及所述第一线路82横截面的形状，两者形状可相同也可不同，所述第一金属盘81及所述第一线路82的材料在本实施例中优先采用为金属铜。本实施例的线路层使用加成法制备，相比以往的减成法或者半加成法，可以做到更精细的线路和盘。
75.如图1及图9所示，作为示例，最后进行步骤s6，通过所述可解离膜20去除所述支撑板10，得到所述无芯封装基板。
76.从所述支撑板10远离所述可解离膜20的方向进行激光解离或物理解离，可实现所述可解离膜20和所述支撑板10与所述第一金属柱31和所述埋线40的分离，得到所述无芯封装基板。
77.如图10所述，作为示例，当所述无芯封装基板的高度小于预设高度的无芯封装基板时，重复步骤s2至s5至少一次，其中重复步骤s2中不包括形成所述埋线40的步骤，形成第二金属块32及第二金属盘83和第二线路84，直至达到所述预设高度的所述无芯封装基板。
78.于所述第一金属盘81上直接形成第二金属柱32，于所述第一介电层51及所述第一金属柱31上形成第二介电层52，以将所述第二金属柱32塑封，于上述无芯封装基板结构表面形成第二金属种子层62，于所述第二金属种子层62上形成第二金属盘83及第二线路84。重复进行的步骤所涉及的工艺方法及材料种类与步骤s2至s5中相同，上述已详细介绍，此处不再进行赘述。
79.作为示例，所述无芯封装基板的制备方法还包括于所述无芯封装基板上下表面进
行阻焊工艺的步骤，保护所述无芯封装基板的外层结构不被氧化。
80.所述无芯封装基板的外层结构为所述无芯封装基板的金属柱、埋线、金属盘及线路，例如本实施例中的所述第一金属柱31、所述埋线40、所述第一金属盘81及所述第一线路82，进行阻焊工艺，可保护其不被氧化，保证所述无芯封装基板在使用前的良率。
81.实施例二
82.本实施例提供一种无芯封装基板制备方法的具体实施例，所述无芯封装基板制备方法包括以下步骤：
83.提供附有所述可解离膜20的所述支撑板10，所述支撑板10具有一定刚性，所述可解离膜2能够被物理分解剥离，本实施例中所述支撑板10的厚度为1mm，所述可解离膜20的厚度为10μm。
84.于所述可解离膜20上采用所述3d打印技术打印第一金属柱31与埋线40，本实施例中所述第一金属柱31为铜柱，用于对所述无芯封装基板的线路之间进行互联，所述铜柱的形状为圆柱形，其半径为30μm，高度为40um，所述埋线40线宽为30μm，线距为40um，线高为20um。打印所述铜柱和所述埋线40的同时，进行激光烧结，所述3d打印技术所用的打印材料包括导电颗粒银及铜的混合浆料，混合浆料的散热性能更好，此时，可直接定义所述第一金属柱31为铜柱。
85.于所述可解离膜20及所述铜柱与所述埋线40上采用热压合的方式形成所述第一介电层51，所述第一介电层51的材料为环氧树脂类材料，在热压合的过程中，因其流动性填满所述铜柱与所述埋线40间的间隙，且所述第一介电层51的顶部高于所述铜柱的顶部。采用物理研磨的方式对所述第一介电层51顶部的表面进行研磨，将所述铜柱露出的同时，研磨掉打印的所述铜柱的端部，使得所述铜柱得到完整的圆柱形；研磨以上结构后，所述铜柱的顶部表面还会存在少量所述第一介电层51留下的残胶，本实施例采用等离子体处理工艺除掉胶渣，使得上述结构表面的粗糙度以及清洁度都有所增加，同时也增加了后续所述第一金属种子层61与基板表面的结合力。
86.于上述无芯封装基板结构表面采用溅射工艺溅射钛和铜，形成第一金属种子层61。溅射的所述第一金属种子层61可为纳米级的一层钛金属层及一层铜金属层，由于钛金属层的电导率和附着力较高，且厚度平整性好，可将后续形成的线路牢牢结合在所述第一介电层51上。本实施例溅射钛金属层的厚度为200nm，溅射铜金属层的厚度为600nm，铜金属主要用于调节电镀阻抗，使溅射的所述第一金属种子层61更均匀。
87.于所述第一金属种子层61上通过图形转移工艺，贴膜、曝光及显影，显影后，进行图形电镀，电镀后再去膜，去膜后闪蚀掉底下的所述第一金属种子层61，即形成了所述第一金属盘81及所述第一线路82，其中，所述第一金属盘81及所述第一线路82的材料也为金属铜，可与所述第一金属柱31的材料保持一致。
88.在制备好上述基板结构后，还可以重复进行以上步骤，于所述第一金属盘81上继续进行打印铜柱及所述第二金属盘83及所述第二线路84，每次打印所述铜柱的高度相似，所涉及的工艺方法及材料种类上述步骤中相同，已详细介绍，此处不再进行赘述。
89.制备好所述第二金属盘83及所述第二线路84后，从所述支撑板10远离所述可解离膜20的方向进行激光解离，实现所述可解离膜20和所述支撑板10与所述铜柱和所述埋线40的分离，从而获得一个完整的无芯封装基板。
90.最后，在所述无芯封装基板的上下表面进行阻焊工艺，保护外层所述第二金属盘83及所述第二线路84和所述铜柱及所述埋线40不被氧化。
91.实施例三
92.如图9所示，本实施例提供一种无芯封装基板，所述无芯封装基板通过实施例一的制备方法得到，所述无芯封装基板包括：
93.内含金属柱及埋线的介电层，所述金属柱上下贯穿所述介电层，所述埋线一端包裹于所述介电层内部；
94.所述介电层远离所述埋线的一面依次设置有金属盘及线路，所述介电层和所述金属盘及所述线路之间还设置有金属种子层，且所述金属盘横截面大于所述金属柱。
95.本实施例中，只在所述介电层远离所述埋线的一面依次设置有金属盘及线路，是为了便于在后续工艺中，对所述埋线暴露的一端进行贴装工艺，具体可根据实际需要进行设置。
96.作为示例，所述无芯封装基板的厚度大于等于30μm。
97.实施例四
98.如图11所示，本实施例还提供一种无芯封装基板的制备方法，与实施例一的差别在于步骤s2中只制备所述第一金属柱31，而不制备所述埋线40，整个无芯封装基板结构中，并不包含所述埋线40；同时，在通过所述可解离膜20去除所述支撑板10后，还包括反转所述无芯封装基板结构180
°
，于所述无芯封装基板结构表面依次形成第三金属种子层63及第三金属盘85和第三线路86，其中，所述第三金属种子层63、所述第三金属盘85及所述第三线路86与所述第一金属种子层61、所述第一金属盘81及所述第一线路82位于所述无芯封装基板结构的相对两侧的步骤。
99.形成所述第三金属种子层63的工艺方法为化学沉铜工艺或者溅射工艺，所述第三金属种子层63的材料为钛、铜及钛钨合金中的一种，所述第一金属种子层61及所述第三金属种子层63所用材料可相同或不相同，本实施例中因考虑整体结构导电效果要保持一致的问题，优先采用相同的材料。
100.形成所述第三金属盘85及所述第三线路86所用工艺也为图形转移工艺，所述第三金属盘85位于所述第一金属柱31的另一个端部。其他要求与上述实施例一中相同，已详细介绍，此处不再进行赘述。
101.实施例五
102.如图11所示，本实施例提供另一种无芯封装基板，所述无芯封装基板通过实施例四的制备方法得到，所述无芯封装基板包括：
103.内含金属柱的介电层，所述金属柱上下贯穿所述介电层；
104.所述介电层上下表面依次设置有金属盘及线路，所述介电层和所述金属盘及所述线路之间还设置有金属种子层，所述金属盘位于所述金属柱的两端，且所述金属盘横截面大于所述金属柱。
105.本实施例中，所述介电层上下表面依次设置有金属盘及线路是为了便于在后续工艺中进行贴装工艺，具体可根据实际需要进行设置。
106.综上所述，本发明提供一种无芯封装基板及其制备方法，所述无芯封装基板的制备方法包括：s1：提供附有可解离膜的支撑板；s2：于所述可解离膜上采用干法制程制备第
一金属柱与埋线，所述第一金属柱高于所述埋线，所述埋线的线宽/线距大于等于5μm/5μm；s3：于所述可解离膜、所述第一金属柱及所述埋线上形成第一介电层，以将所述第一金属柱与所述埋线塑封，得到无芯封装基板结构；s4：于所述无芯封装基板结构表面形成第一金属种子层；s5：于所述第一金属种子层上形成第一金属盘及第一线路；s6：通过所述可解离膜去除所述支撑板，得到所述无芯封装基板。本发明的支撑板可重复利用，减少了成本的浪费，还能有效地避免无芯封装基板在生产过程中因太薄或涨缩而产生的翘曲、卡板等问题；本发明在附有可解离膜的支撑板进行无芯封装基板的制备，基板制备完成去除可解离膜后，不会造成传统埋线工艺蚀刻掉铜箔所产生的凹陷等问题，使得线型更好更稳定，此外，本发明的第一金属柱及埋线可直接接触可解离膜，制备第一金属柱及埋线后压合介电层，结合力更好，从而增加了无芯封装基板的可靠性，在去除可解离膜后，第一金属柱表面也不会有介电层中的残胶，避免了第一金属柱与介电层存在高度差的问题；本发明采用干法制程制备第一金属柱及埋线，可减少废水的产生，减轻环境污染，更为绿环保；相比传统工艺中电镀填孔，只能一次电镀一种规格的孔径，需要分别制备不同规格的第一金属柱及埋线，才能保证电镀的均匀性，本发明可以制备不同规格的埋线及更高的第一金属柱，制备更灵活多变，简化工艺流程，生产周期更短，生产效率更高；本发明的线路层使用加成法制备，相比以往的减成法或者半加成法，可以做到更精细的线路和盘所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
107.上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

技术特征：

1.一种无芯封装基板的制备方法，其特征在于，所述无芯封装基板的制备方法包括：s1：提供附有可解离膜的支撑板；s2：于所述可解离膜上采用干法制程制备第一金属柱与埋线，所述第一金属柱高于所述埋线，所述埋线的线宽/线距大于等于5μm/5μm；s3：于所述可解离膜、所述第一金属柱及所述埋线上形成第一介电层，以将所述第一金属柱与所述埋线塑封，得到无芯封装基板结构；s4：于所述无芯封装基板结构表面形成第一金属种子层；s5：于所述第一金属种子层上形成第一金属盘及第一线路；s6：通过所述可解离膜去除所述支撑板，得到所述无芯封装基板。2.根据权利要求1所述的无芯封装基板的制备方法，其特征在于：当所述无芯封装基板的高度小于预设高度的无芯封装基板时，在步骤s5后重复进行步骤s2至s5至少一次，其中重复步骤s2中不包括形成所述埋线的步骤，直至形成预设高度的所述无芯封装基板。3.根据权利要求1所述的无芯封装基板的制备方法，其特征在于：所述无芯封装基板的制备方法还包括于所述无芯封装基板上下表面进行阻焊工艺的步骤，保护所述无芯封装基板的外层结构不被氧化。4.根据权利要求1所述的无芯封装基板的制备方法，其特征在于：所述第一介电层的材质不包含玻璃纤维。5.根据权利要求1所述的无芯封装基板的制备方法，其特征在于：所述第一金属柱为铜柱，所述铜柱为圆柱形，所述铜柱的直径大于等于10μm，高度大于等于5μm。6.根据权利要求1所述的无芯封装基板的制备方法，其特征在于：所述干法制程为3d打印技术。7.根据权利要求6所述的无芯封装基板的制备方法，其特征在于：所述3d打印技术制备所述第一金属柱及所述埋线所用的打印材料为包含导电颗粒银及铜等的混合浆料或纯金属纳米浆料中的一种。8.一种无芯封装基板，其特征在于，所述无芯封装基板包括：采用权利要求1～7中任意一项所述的无芯封装基板的制备方法所制备的无芯封装基板。9.根据权利要求8所述的无芯封装基板，其特征在于：所述无芯封装基板的厚度大于等于30μm。

技术总结

本发明提供一种无芯封装基板及其制备方法，所述无芯封装基板的制备方法包括：S1：提供附有可解离膜的支撑板；S2：于可解离膜上采用干法制程制备第一金属柱及埋线，所述埋线的线宽/线距大于等于5μm/5μm；S3：于可解离膜、第一金属柱及埋线上形成第一介电层，得到无芯封装基板结构；S4：于无芯封装基板结构表面形成第一金属种子层；S5：于第一金属种子层上形成第一金属盘及第一线路；S6：通过可解离膜去除支撑板。本发明解决现有技术中埋线技术导致产品性能差和工艺中常出现的众多问题，比如线路“侧蚀”、埋线底边参差不齐等的品质问题，以提高埋线线路精度，应对快速发展的无芯封装基板。板。板。