電子零件IQC檢驗驗證方法
1 ﹑分類
1.1 以插件加工分類﹕DIP( 環電阻)﹐SMD(晶片電阻)
1.2 按功率分類﹕1/20,1/10,1/8,1/4,1/2等。
1.3 常見材質﹕碳膜電阻(常用電阻680Ω±5%﹐1/8W)﹐金屬氧化皮膜﹐繞線有/無感。
1.4 測偵用途﹕光敏電阻﹐壓敏電阻﹐熱敏電阻等。
2﹑外觀尺寸﹕
2.1 通常見承認書或規格書之尺寸(按廠商提供的規格檢驗)﹐加上公差。
2.2 晶片電阻常用代號來表示。有0603﹑0805﹑1206﹑1808。
3﹑環電阻
示意圖﹕
3.1 阻值 用萬用表測量﹐得到值為標准值加上公差﹐應在規定范圍內。
3.2.1 通過環來辨認﹐具體為﹕
棕 紅 橙 黃 綠 藍 紫 灰 白 黑
1 2 3 4 5 6 7 8 9 0
3.2.2 計數方法﹕
D D D * 10n±T
A. 通常最后一環表示精度T( 公差)。
B. 其次為倍率n。
C. 前面為有效數位 (十進制)。
附誤差﹕
紅﹕2% 藍﹕0.25% 金﹕5%
棕﹕1% 紫﹕0.1% 銀﹕10%
綠﹕0.5% 灰﹕0.05%
3.3﹑晶片電阻常用代碼表示外觀尺寸及阻值﹐例如﹐470Ω/±5%/1/8w/1206。常用的還有1KΩ±5% 1/10W 1206, 470Ω±5% 1/4W 1206, 1.2 KΩ±5% 1/10W 0805等。
晶片電阻473表示47KΩ
1542表示15.4KΩ
3.3.1 外觀尺寸(公差) 常見規格書。
3.3.2 阻值用萬用表測量(包含公差)。
附公差代號﹕ B﹕±0.1% J﹕±5%
D﹕±0.5% K﹕±10%
F﹕±1% E﹕±15%
G﹕±2% M﹕±20%
4﹑ 耐壓﹕(廠商提供標准值)﹐可根據U=√PR 來計算。
5 ﹑耐熱性﹕將電阻浸入260±5℃(國標)錫爐中10秒取出來﹐表面應該無異常變化﹐此為材料必檢項目。 6﹑ 焊錫性﹕將電阻浸入235±5℃(國標)錫溶液中﹐經2秒取出﹐75%以上附著新錫﹐此為材料必檢項目。
二﹑半導體材料
(一) 1﹑二極管﹕
1.1 由1個pn結加上相應電極引線和密封殼做成的半導體元件。
1.2 主要特性﹕單向導通性。
1.3 外觀尺寸﹕用游標卡尺﹐根據如圖所示進行測量﹐其值在規定的范圍內。
2﹑分類
2.1 封裝形式﹕DIP和SMD
常用的有﹕IN4004﹑KDS181(共陽極),KDS184(共陰極),BAT54A等。
2.2 應用形式﹕齊納二極管﹑肖特基二極管﹑開關二極管(IN4148﹑IN4606)。
3﹑正向導通電阻﹕
用萬用表測試﹐紅表筆接正極﹐黑表筆接負極﹐測量值應在0.5~~0.65KΩ范圍內。表筆反接﹐阻值接近無窮大﹐帶黑標記的一端為負極。若兩方向之讀數均高﹐則二極管斷路。反之為短路。 硅管正向電阻為數百至數千歐﹐反向1M歐以上。
鍺管正向電阻為數10Ω~~1000Ω。
為什么整流管采用硅材料面接觸型?
(1) 工作頻率低。
(2) 允許通過的正向電流大。
(3) 反向擊穿電壓高。
(4) 工作溫度高。
4﹑逆向耐壓值﹕
逆向耐壓值例如100V﹑用高壓機進行測試﹐反接于電路中﹐即紅表筆負極﹐黑表筆接正極﹐經過10秒后﹐二極管不被擊穿。應該按照廠商之規格。
5﹑ 逆向恢復時間﹕(開關時間納秒級)
雜訊由此產生﹐通常在矩形的上沿(下降沿)產生﹐而鏈波(紋波)是交流電﹐包含電網進入的高次詣波產生。
Switch 開關管的Trr 為10nS。
6﹑ 耐熱性﹕將電阻浸入260±5℃(國標)錫爐中10秒取出來﹐表面應該無異常變化﹐此為材料必檢項目。
7﹑ 焊錫性﹕將電阻浸入235±5℃(國標)錫溶液中﹐經3秒取出﹐至離本體4±0.5mm處﹐75%以上附著新錫﹐此為材料必檢項。
8﹑最高工作頻率fM﹕(用晶體管特性圖示儀測試)
超過fM值﹐則單向導電性不佳。
(二)﹑三極管
1. 分類﹕DIP (TO-92﹑TO-252﹑TO-92S) 有HE8050-D,2SD1863﹑ 2SD1768﹑KSD1616A等。
SMD(SOT-23,SOT-89 )有BCX19T-116,2SC2411K-R,KST4401﹑2SD1664﹑2SD1898等。
2. b,c,e 三電極判斷﹕
2.1 將印字面正對自己﹐從左到右依次為e,c,b。
2.2 用數字萬用表如下測試﹕(1K檔測試)
先假設一電極為b極﹐用黑表筆接b極﹐紅表筆分別接其它兩電極﹐若電阻都很小﹐
則可判斷出為NPN型﹐再判斷c,e極﹐黑表筆接b極﹐紅表筆分別接其它剩下的兩極﹐測得電阻小的為e極﹐剩下的為c極。
PNP型類似﹐先假設一電極為b極﹐用紅表筆接b極﹐黑表筆分別接其它兩電極﹐若電阻都很小﹐則可判斷出為PNP型﹐再判斷c,e極﹐紅表筆接b極﹐黑表筆分別接其它剩下的兩極﹐測得電阻小的為c極﹐剩下的為e極。
3. 放大倍數hfe
利用三用表 hfe檔來測量﹐將三極管按NPN或PNP的腳位插好﹐讀取數據。DIP直接測量﹐SMD需連線﹐一般在90~380范圍內。
4. 耐壓﹕
VCE耐壓為60左右﹐VCBO耐壓為120V左右﹐用電源供給器或高壓機設定為60v﹐紅表筆接c極﹐黑表筆接e極﹐經10秒后﹐三極管不被擊穿。同樣方法測試VCBO,電壓設定為120v﹐紅表筆接c極﹐黑表筆接b極﹐經10秒后﹐三極管不被擊穿。
5. ICBO 為100nA﹐即飽和電流。
IEBO為100nA。
依其Data book而定。
6. 耐熱性﹕將電阻浸入260±5℃(國標)錫爐中10秒取出來﹐測量hfe值
在測試前±5%范圍以內﹐表面應該無異常變化﹐此為材料必檢項目。
7. 焊錫性﹕將電阻浸入235±5℃(國標)錫溶液中﹐經2±0.5秒取出﹐至
離本體4±0.5mm處﹐75%以上附著新錫﹐此為材料必檢項。
8. fT特征頻率﹕
根據廠商提供之規格﹐用晶體管特性圖示儀測試﹐若fT值過高﹐晶體管可能截止不工作。
1﹑分類﹕
1.1﹑陶瓷電容
1.2﹑鋁質電解電容
1.3﹑鉭質電解電容
1.4﹑晶片積層電容及材質Y5V/X7R/NPO
為什么轉換器中常用到鉭質電解電容?
主要原因是溫度升高﹐電解液開始膨脹﹐導致氣體逸出﹐改變兩極之間的介質﹐導致電容值變化﹐久而久之導致失效﹐一般壽命為10000h,其次鋁質電解電容在溫度下降時﹐ESR(等效串聯電阻)增大﹐使得功耗也增大﹐導致壽命短﹐鉭質電容改進了這一弊端。
2﹑外觀尺寸﹕
用游標卡尺根據圖示進行測量﹐測量值應在規定范圍內。
3﹑漏電流
用電源供給器在電容兩端加上一正向電壓﹐最大值不要超過16V ﹐用數字萬用表直流檔測試。
典型值﹕1.5uA。
4﹑等效串聯電阻(內部電阻ESR越大﹐功耗也越大)
用電橋1692的電阻檔進行測量﹐電壓設定為1V﹐頻率設定為1KHz,容許值應在ESR 頻率特性曲線對應頻率的±30%范圍內。
5﹑耐熱性
將電容入250±10℃(國標)錫爐中3±0.5秒取出來﹐在常溫下靜置1小時以上﹐2小時以下﹐再測量其值﹕
(1) 靜電容量在試驗前測試值±10%以內﹐
(2) 漏電流仍符合要求
(3) 表面應該無異常變化﹐
此為材料必檢項目。
6﹑焊錫性
將電容浸入230±5℃(國標)錫溶液中﹐經2 ±0.5秒取出﹐至離本體4 ±0.8mm處﹐75%以上附著新錫﹐此為材料必檢項。
7﹑高溫特性﹕
把電容置于85℃或105℃±3℃高溫環境中1小時﹐在120Hz的測量件
下﹐應該滿足以下要求﹕
(1)﹑靜電容量在試驗前測試值±10%以內﹐
(2)﹑漏電流仍符合要求﹐
(3)﹑表面應該無異常變化﹐
此為材料必檢項目。
附注﹕
(1)晶片電容器﹕(達而特/一等高)
NPO/0805/50PF± /50V
匯僑晶片電容﹕
額定電壓 (有B16V; T:25V U:50V ) A:100V)
(2) U 0805 C 102 J N T
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