模拟CMOS集成电路设计中的电流基准源及用CadenceVirtuosoIC617设计并...

模拟CMOS集成电路设计中的电流基准源及⽤CadenceVirtuosoIC617设计并
仿。。。
前⾔
本⽂为我⾃⼰的学习笔记,属于Cadence Virtuoso系列的进阶部分,采⽤的软件版本是Cadence Virtuoso IC617。其他⽂章请点击上⽅,看我制作的Cadence Virtuoso专栏内容。
在前⾯的⽂章中,记录了电流镜的相关知识。虽然在运放中我们基本解决了电流源的问题,但是引⼊了⼀个新的电流源,也就是电流基准。本⽂记录了如何产⽣这个基准源。
集成电路版图设计
基准电流源
在上⼀节中,我们引⼊了电流镜,虽然我们能产⽣任意电流了,但是,基准电流源Iref被引⼊,这就需要我们解决⼀个新的问题,怎么产⽣基准电流源Iref?
基准源特性
⾸先,我们要知道,⼀个好的基准源,需要有怎样的特性。
与VDD和noise⽆关,即在⼀定电压范围内都是恒流输出,抗噪声要灵敏度很低
与temperature⽆关,使得器件在⼀定的温度范围内都是恒流输出
与u·Cox⽆关,即与⼯艺参数⽆关,使得不同批次的器件都能保持输出电流恒定
那么,我们怎样得到这个偏置呢?
电路原理
拉扎维的第⼆版书中的P459给出了⼀个解决⽅案,可以⽤四只晶体管加⼀个电阻,产⽣⼀个与电源⽆关的偏置(但实际测试下来发现误差挺⼤的)。这是经典的标准电流源。
左边的电路中,M2会产⽣体效应,所以⼀般⽤右边的电路。后续都是以右边电路举例。在图中将电流镜也加⼊进去。
教科书中告诉了我们,以下关系式成⽴。从公式中看出,输出电流和电源电压VDD(VDS)⽆关,仅和⼯艺参数及温度有关。但是,公式并没有考虑沟道长度调制效应,所以,当引⼊沟道长度调制时,公式变得不⼀样,此时输出电流和电源电压有关了。
计算过程I=
out∗
μC()
p ox L
W
p
2
R S2
1
(1−)K12
以下介绍两种计算MOS尺⼨的⽅法。以前⾯设计的两级运放举例,第⼀级运放需要314uA的电流,第⼆级运放需要2.356mA的电流。那
么,参考电流源可以设计为157uA,这样,第⼀个电流镜为2倍关系,第⼆个电流镜为15倍关系。
也就是说,接下来设计的基准电流源,输出的电流为157uA。
gm/id 计算法
⾸先,有以下的关系式成⽴。
其次,它们之间的关系如下。
最后可以得到以下关系式。
在这四个晶体管中,M3是最⼤的,我们令它们的gm/id的取值如下表。同时,为了抑制沟道长度调制效应,每⼀只晶体管的L取值为2um。
标号1,234gm/id取值
6
12
6
V =GS 3V +OV 3V ,V =THP GS 4V +OV 4V THP
V =GS 4V +GS 3I R ,=out S I d g m V OV
2
2[()−I d g m 4−1
()]=I d g m
3−1
I R out S
同时,我们知道每⼀条⽀路的电流为157uA,只需要查idoverw-gmoverid表,得到电流密度,就能算出对应晶体管的W。最终得出的晶体管尺⼨如下。
M3的尺⼨约是M4的4倍,也就是K=4,这也是很多⽂献中得出的结论。
计算出M4的尺⼨后,可以直接将W和L套⽤到M3上,然后将Multiplier改成四倍即可。
标号1,234W 11.07u 28.18u 28.11u L 2u 2u 2u Multiplier
2
16
4
最后通过计算得到Rs的取值。除了上⾯通过Iout计算外,实际上,Rs的取值约是M4的gm的倒数,也可以通过这个关系进⾏计算,下⾯给出了两种计算结果,它们⾮常相近。
上⾯计算的Rs结果只是给了⼀个⼤致的范围(⼤致为1kΩ左右),实际上经过仿真,Rs需要取值为1.112kΩ才能达到⽬标电流值。接下来的仿真都是以Rs=1.112kΩ举例。
直接引⼊法
直接引⼊法,是⼀个⾮常偷懒的⽅法,但是⼗分简单⾼效,其基本思想还是使⽤了gm/id⽅法,因为每⼀个⽀路的电流都是⼀致的,所以在保证了对应晶体管的gm/id值是⼀致的情况下,就能产⽣对应的电流。
电路原理图如下图。看着可能很复杂,但是我们从右到左,⼀步⼀步分析。其中晶体管旁边的数值分别代表W,L,Multiplier。1. 左边是⼀个五管OTA运放,输⼊管为P-MOS,负载为N-MOS组成的电流源2. 右边是基准电流源产⽣电路,同样由两个P-MOS和两个N-MOS组成3. 左边的P-MOS尺⼨由右边映射得来,注意右⽀路的晶体管的Multiplier是44. 左边的N-MOS尺⼨由右边映射得来,注意L增⼤变成
了2u(增⼤电流源Rout)5. 中间是电流镜部分,Iref电流源的尺⼨直接照搬左边的晶体管
6. 上⾯两个P-MOS可以直接照搬运放输⼊管尺⼨,可减⼩Multiplier以减⼩⾯积
7. 上⾯两个P-MOS可以以gm/id=5~8重新设计,以降低电流源噪声
8. Rs的取值约是输⼊管的gm的倒数,误差较⼤,需要根据仿真结果进⾏微调
I ⇒out R =S    1.06k Ωg ⇒m R =S    1.05k Ω
⽤这个⽅法,除了简单和懒⼈专属这个优点,还有⼀个强迫症患者的福⾳,那就是这个⽅法可以保证,晶体管之间的W尺⼨的⼀致的,也就是Multiplier和L不同,在绘制版图的时候,就可以将晶体管排列得整整齐齐。
仿真结果

本文发布于:2024-09-21 10:45:28,感谢您对本站的认可!

本文链接:https://www.17tex.com/tex/4/376637.html

版权声明:本站内容均来自互联网,仅供演示用,请勿用于商业和其他非法用途。如果侵犯了您的权益请与我们联系,我们将在24小时内删除。

标签:电流   晶体管   输出   基准   设计   计算
留言与评论(共有 0 条评论)
   
验证码:
Copyright ©2019-2024 Comsenz Inc.Powered by © 易纺专利技术学习网 豫ICP备2022007602号 豫公网安备41160202000603 站长QQ:729038198 关于我们 投诉建议