一、 (共75题,共150分)
1. 单词“LAYOUT”的含义是:( )。 (2分)
A.版图 B.电路 C.输出
.标准答案:A
2. 集成电阻通常由扩散或者淀积层形成,通常可以用厚度一定的薄膜作为模型,因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位,称为( )。 (2分) A.方块电阻 B.电阻 C.半导体电阻
.标准答案:A
3. 由于其较小的方块电阻,发射区是唯一适合于制作较小电阻(0.5~100)的区域。对于发射区电阻可以忽略( )和电导调制效应。 (2分) .标准答案:B
4. 在模拟BiCMOS工艺中,发射区电阻可以直接置入( )外延层内; (2分)
A.P型 B.N型 C.P型或N型
.标准答案:A
5. 电容的标准单位是( )。 (2分)
A.法拉 B.伏特 C.安培
.标准答案:A
6. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容,( )可以用作多晶硅-多晶硅电容的下电极。 (2分)
A.电阻多晶硅 B.电容多晶硅 C.多晶硅栅
.标准答案:C
7. 单位面积电容与相对介电常数即电介质常数成( )。 (2分)
A.反比 B.正比 C.无关
.标准答案:B
8. 流过导体的电流会在导体周围产生( )。 (2分)
A.电场 B.磁场 C.电磁场
.标准答案:B
9. 发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的( )工作电压。重要的三种击穿电压为VEBO,VCBO,VCEO等。 (2分)
A.最大 B.最小 C.任意
.标准答案:A
10. 发射极开路时集电极的击穿电压表示为VCBO,绝大多数晶体管的集电区和基区都是( ) 的,所以VCBO通常很大。 (2分)
A.重掺杂 B.不掺杂 C.轻掺杂
.标准答案:C
11. 二极管连接形式的晶体管可以作为一个很方便的基准( )源。 (2分)
A.电压 B.电流 C.电压或电流
.标准答案:A
12. 使用P型外延层,必须加入深的轻掺杂( )型扩散区用于制作PMOS晶体管。 (2分)
A.N B.P C.N或P
.标准答案:A
13. MOS晶体管是一种( )控制器件。 (2分)
A.电流 B.电压 C.电阻
.标准答案:B
14. 根据版图设计规则中的( )最小宽度,可以确定器件最小沟道长度。 (2集成电路版图设计分)
A.active B.poly C.metal1
.标准答案:B
15. LVS的作用是检查所设计的版图是否与所设计的( )完全一致。 (2分)
A.结构图 B.电路性能 C.电路图
.标准答案:C
16. 集成电路版图设计按设计自动化程度来分有: ________________和________________。 (4分)
.标准答案:1. 手工设计;2. 自动设计;
17. 导体又分为____________和____________区分。材料传导电流的强弱用材料电阻值来描述。 (4分)
.标准答案:1. 良导体;2. 不良导体;
18. 在标准双极工艺中,发射区电阻常用做____________________和____________________。在单层金属工艺中广泛用做隧道。 (4分)
.标准答案:1. 功率管整流;2. 电流敏感电阻;
19. 电容存储的是________________。 (2分)
.标准答案:1. 电场能量;
20. CMOS工艺中的多晶硅-多晶硅电容,一般而言,________________________可以用作形成上电极。 (2分)
.标准答案:1. 电阻多晶硅层;
21. 随着电流的变化,能量流入或流出这个磁场,这些能量流沿着导体产生压降。电流和电压关系可以定量的表示为____________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________________。 (2分)
.标准答案:1. ;
22. 在线圈中每圈导线称为一匝,每匝产生的磁场也会通过其他所有匝,称为____________。 (2分)
.标准答案:1. 磁耦合;
23. 集成电路版图设计师共设( )个等级。 (2分)
A.3 B.4 C.5
.标准答案:C
24. 元素周期表中一些元素(如硅和锗)的电学特性介于金属与非金属之间,叫( )。 (2分)
A.导体 B.绝缘体 C.半导体
.标准答案:C
25. 标准双极工艺基区方块电阻的典型值范围为( ),并且允许直接在电阻上形成欧姆接触。 (2分)
A.10~20 B.100~200 C.400~800
.标准答案:B
26. 发射区电阻必须置于适合的隔离岛中,通常的做法是发射区电阻制作在( )内,基区扩散又制作在一个N阱内。 (2分)
A.有源区 B.基区扩散 C.发射区扩散
.标准答案:B
27. 标准双极工艺和BiCMOS工艺都能提供发射结电容。在零偏压下,这种电容能提供较大
的单位面积电容(典型值为0.8fF/um2),但这种电容会随着反偏电压的增大而逐渐( )。 (2分)
A.增大 B.减小 C.不变
.标准答案:B
28. 使用( )的电介质,利用相对较小的区域制作大电容器。 (2分)
A.高介电常数 B.低介电常数 C.无所谓
.标准答案:A
29. 结电容通常作在隔离岛内,隔离岛必须制作接触以确保集电结( )。 (2分)
A.正偏 B.不偏 C.反偏
.标准答案:C
30. 品质因数的一般性原则:寄生效应越小,品质因数Q( ); (2分)
A.越大 B.越小 C.无关
.标准答案:A
31. 集电极开路时发射结击穿电压表示为VEBO。对于标准双极型工艺制造的NPN晶体管,VEBO大约( )左右。 (2分)
A.1V B.7V C.10V
.标准答案:B
32. 当NPN晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进入( )。 (2分)
A.饱和工作状态 B.线性放大工作状态
C.截止工作状态
.标准答案:A
33. 发射结齐纳二极管的发射区通常为圆形或椭圆形。采用圆形是为了防止发射区拐角( )增
强。 (2分)
A.磁场 B.电场 C.电磁场
.标准答案:B
34. 使用N型外延层,必须加入深的轻掺杂( )型扩散区用于制作NMOS晶体管。 (2分)
A.N B.P C.N或P
.标准答案:B
35. MOS晶体管是( )端器件。 (2分)
A.2 B.3 C.4
.标准答案:C
36. 版图设计规则,原因是器件的几何图形受加工精度的限制,物理学上对器件图形大小和( )也有要求。 (2分)
A.间距 B.形状 C.层次
.标准答案:A
37. 以下是正确的版图设计步骤的是( )。 (2分)
A.先画版图,再设计线路图,然后做LVS,最后是DRC
B.先画线路图,再设计版图,然后做DRC,最后是LVS
C.先画DRC,再设计线路图,然后做LVS,最后是版图
.标准答案:B
38. 按照对布局布线位置的限制和布局模块的限制来分有________________________________________________________________和________________________________________________________________2大类。 (4分)
.标准答案:1. 全定制(full custom);2. 半定制(semi-custom )。;
39. 集成电阻通常由扩散或者淀积层形成,通常可以用厚度一定的薄膜作为模型,因此习惯上把电阻率和厚度合成一个单位,称为________________。 (2分)
.标准答案:1. 方块电阻;
40. 实际电阻的非线性(电压调制)源于几个因素:____________、____________以及____________。 (6分)