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场效应晶体管、存算一体芯片、电路及设备[发明专利]

专利名称：场效应晶体管、存算一体芯片、电路及设备专利类型：发明专利

发明人：刘欢，玉虓，韩根全，刘艳，金成吉，陈佳佳

申请号：CN202210065533.2

申请日：20220120氧空位

公开号：CN114093935B

公开日：

20220513

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明公开了一种具有逻辑特性与存储特性相互转换功能的场效应晶体管、存算一体芯片、电路及设备。其自下而上包括衬底、绝缘界面层、栅介质层、栅电极；所述衬底两边分别设有源极和漏极，所述栅介质层具有带正电荷氧空位的可移动离子。当栅电极施加有高频脉冲时，所述带正电荷氧空位处于被俘获状态，使得所述场效应晶体管具备逻辑特性而能够作为逻辑器件使用；当栅电极施加有低频脉冲时，所述带正电荷氧空位处于去俘获状态，使得所述场效应晶体管具备存储特性而能够作为存储器件使用。本发明可以实现逻辑特性与存储特性感相互转换并保持高性能器件状态稳定，这可用于存算一体的三维异质集成芯片。

申请人：之江实验室

地址：310023 浙江省杭州市余杭区文一西路1818号人工智能小镇10号楼

国籍：CN

本文发布于:2024-09-22 23:30:50，感谢您对本站的认可！

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