超高真空多功能磁控溅射镀膜设备
一、首次开机
分子泵、各磁控靶接通冷却水。检查水路是否漏水。
各单元电源与总电源接通，总电源供电。
开闸板G1、G2，启动机械泵Ⅰ、Ⅱ，开电磁阀，预抽溅射室、进样室。
根据镀膜需要，依次开截止阀V1（混气室）、V3（氧气）、V4（氩气），将MFC1、MFC2、MFC3开至清洗挡，预抽气路。
开复合真空计热偶测量部分（V1满偏电流87mA, V2满偏电流100mA，这两个值会因热偶更换而改变），分别观测溅射室、进样室低真空，待真空度≤20Pa时（一般2~3Pa），开分子泵Ⅰ、Ⅱ抽高真空。待分子泵正常后，待复合电离“V1测量”溅射室、“V2测量”进样室到0.1Pa以下后，才可以打开DL-7超高真空计看溅射室高真空；打开复合真空计真空规管“灯丝” 看进样室高真空（从10-1挡随真空度增大逐打到10-4~10-5） 二、开盖之后
打开冷却循环水机开关，分子泵、各磁控靶接通冷却水，检查水路是否漏水
总电源供电，L1、L2、L3灯亮
多功能制水机
镀膜室、进样室均为大气状态时，打开连接进样室、镀膜室之间的闸板阀G3，启动机械泵Ⅱ，逐渐打开进样室的旁抽角阀V7对两室进行旁抽，开FZH-2BK3型复合真空计热偶测量部分（V1或V2），两室真空度低于20Pa。（一般2~3Pa）
关闸板阀G3、关旁抽角阀V7。启动机械泵Ⅰ，打开电磁阀，打开闸板阀G1、G，打开分子泵Ⅰ、Ⅱ抽高真空。
三、日常开机
一般情况下，两个真空室都必须保持在＜20Pa的真空状态.
接通冷却循环水机
总电源供电
启动机械泵Ⅰ和Ⅱ。
看复合真空计V1测量和V2测量，确认两室为＜20Pa真空状态后.
启动机械泵Ⅱ1~2分钟后（可以防止机械泵Ⅱ返油），打开电磁阀，启动分子泵Ⅰ和分子泵Ⅱ。
6.开闸板阀G1、G2。
四、进样室换样
关闭复合真空计电离部分（高真空）（如果电离部分已经打开）
关闭闸板阀G2、G3
打开充气阀，充满后，关闭充气阀
开窗口，换样，关窗口（随着真空度变好，拧紧窗口旋钮）。
（下面第5、6、7、8步操作要注意开关电磁阀和旁抽阀V7的顺序，如若操作失误，容易损坏分子泵）
关电磁阀
开旁抽阀V7，约5分钟（真空低于20 Pa），
关旁抽阀V7.
打开电磁阀
打开闸板阀G2.
待进样室真空达到，E10-4Pa(与溅射室的真空度相差一个数量级时)，可以打开闸板阀G3，用磁力送样杆将样品送入溅射室. 五、溅射室（慎重操作，一般情况下关机操作）
当溅射室短时间暴露大气时（比如更换靶材），关闭闸板阀G1（此时
闸板阀G3是关闭的），分子泵Ⅰ可以不关。当溅射室重新抽真空时，先将进样室充入大气打开G3，可通过进样室作为旁抽。（旁抽关电磁阀，开旁抽阀V7，约5分钟，待两室真空度＜20Pa（2～3Pa）时，关旁抽阀V7，打开电磁阀。然后关闸板阀G3，开闸板阀G1。
当溅射室长时间暴露大气时（比如进行清洗），可重复首次开机步骤。（一般采用此方法）
六、分子泵使用说明
分子泵Ⅰ操作步骤
启动：（１）打开电源（ON），屏幕出现“F400”
（２）按下FUNC/DATA键，示数为零。
（３）按START键（示数由0－400约６分钟）H00。
关闭：(1) 按STOP键（示数由400－０约10分钟）。
(2) 按开关至OFF。
分子泵Ⅱ操作步骤
启动：（１）打开电源。
（２）显示“400”后，按启动键。
关闭：（１）按停止键。
（２）按开关至“关闭”。
1. 计算机控制系统程序
for=n；（循环次数为Ｎ次）
ta=m；（在A靶位溅射Ｍ秒）
tb=k；（在Ｂ靶位溅射Ｋ秒）
te=l；（在Ｅ靶位溅射Ｌ秒）
next；
如果不需要循环时，可省略FOR和NEXT语句。
程序设好后，若不运行，则操作先“保存”，enter，再“运行”，enter。
举例
Ta=1;(将样品1对准A靶位，不溅射),
挡板先转至A靶位, 样品1转至A靶位，等待1秒钟，然后挡板再转至B靶位（顺时针转600。）
举例
Ta=1000；（将样品1对准A靶位，溅射1000秒）
挡板先转至A靶位, 样品1转至A靶位。等待1000秒，然后挡板再顺时针转600。
八、溅射镀膜
确认样品1及挡板1开孔位置在A靶位(此位置为样品交接位置，实际上是样品2及挡板2开孔在D靶位)
将两个真空室抽至满足要求的真空度（此时气路也应预抽过）
开闸板阀G3
通过磁力传递轴从样品库上取下一块样品，将样品库转至空位再将样品送入溅射室样品2的位置
退回磁力传递轴，关闸板阀G3，两室各自抽真空。
如果要将样品托放在样品1的位置，则设定样品1和挡板1在D靶位九、镀膜开始
打开直流或射频电源预热。接通质量流量控制计“电源”，预热3分钟。将溅射室抽至所需要的真空，关闭高真空。缓缓打开截止阀V1
（混气室）、V3（氧气）、V4（氩气）、，将MFC2、MFC3开至清洗挡，抽管路中的气体，关闭上述各阀及MFC，将溅射室抽至原来的真空。（如果气路中没有混入空气，则无需开MFC2、MFC3清挡）。
调整好靶与样品的间距（一般不作调整），挡板处于遮挡样品位置（由计算机控制）
关闭高真空计（DL-7），打开气瓶阀门，打开截止阀V1，根据镀膜的需要，通入不同的气体，打开截止阀V3（O2）和/或 V4（Ar），再打开MFC2、MFC3“阀控”，设定不同的通气量（通过流量计控制），同时缓缓关闭闸板阀G1，以达到需要的真空度（起辉压强3－5Pa），打开各靶对应的直流电源，使靶起辉（这时可能有打火现象，这是由于靶材表面不洁或者有毛刺所致，属正常现象）。
调节不同功率，进行预溅射。待辉光正常后，打开挡板，镀膜开始，此后镀膜的时间、样品换位均由计算机控制。
根据需要，样品可选择加热或自转。样品1和进样室的退火炉均可加热到800℃，样品2可自转加热到4
00℃。
注意事项：
1．程序控制“运行”开始之前，必须校准靶位，一定要确认样品和挡板的当前状态完全符合溅射室内实际情况，与计算机设置相符，如不相符，用“状态修改”进行修改。
2．程序执行时按样品1作标准。
十、射频溅射
确认RF电源功率调节旋钮处于零位。
开射频电源（灯丝开关）预热5分钟。
调节溅射室内真空度使其处于起辉压强范围之内（一般起辉压强在3－5Pa），然后启动射频电源，使靶起辉。
若不起辉，板压调节到0.5，根据功率计中入射、反射功率显示情况，适当慢慢调节RF匹配器(C1、C2)，使得反射功率低于入射功率的4％以内。即：入射功率尽量大，反射功率尽量小，两指针交点（驻波比）在1.7 以下，起辉就有自偏压
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