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一种光电位移传感器及其制备方法[发明专利]

专利名称：一种光电位移传感器及其制备方法专利类型：发明专利

发明人：吴茹菲，洪何清

申请号：CN200910308373.4

申请日：20091016

公开号：CN101672624A

公开日：

20100317

专利内容由知识产权出版社提供

摘要：本发明涉及一种光电位移传感器及其制备方法，属于传感器技术领域。所述光电位移传感器包括激光器、光纤和位移刻度板，激光器安装于被测物体的主轴上，并可沿被测物体的主轴进行运动；激光器产生的激光束通过光纤照射到位移刻度板上；位移刻度板上的位移刻度由具有光电导效应的半导体材料制成，位移刻度板用于感应通过光纤传输的激光束，并产生光电流。本发明光电位移传感器的结构简单紧凑、体积小、便于携带且测量精度相对传统的位移传感器大幅度提高，由于采用光电技术实现了非接触式位移传感，可以延长传感器的使用寿命，同时能够应用于微电子的大规模生产技术中，使得生产成本下降，传感器的价格相对国外类似高端产品的价格低廉。

申请人：中国科学院微电子研究所

地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所

国籍：CN

代理机构：北京市德权律师事务所

代理人：王建国

光电感应器

本文发布于:2024-09-21 12:39:05，感谢您对本站的认可！

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